一种具有沟道切割晶体及夹具的组件的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光学试验的一种辅助装置，更具体地涉及X射线高能量分辨四晶单色器中所用的具有沟道切割晶体及夹具的组件。
【背景技术】
[0002]同步辐射装置是利用速度接近光速的带电粒子在磁场中沿弧形轨道运动时放出的电磁辐射进行实验的装置。同步辐射光是具有高强度、高度准直、高度极化以及特性可精确控制等优异性能的脉冲光源，其具有从远红外到X光范围内的连续光谱，可用于开展其它光源无法实现的许多前沿科学技术研究。
[0003]由于同步辐射光谱具有连续性，往往需要采用单色器以从同步辐射中分离出单色光以供实验使用。在X射线波段，常用的单色器为双晶单色器，其在结构上通过将两个分光晶体平行排列，从而使满足布拉格条件的光通过。双晶单色器结构简单，较易实现，但是出射光高程会有变化，不能加装在已有的光束线上。而采用四晶单色器可以补偿出射光的高程变化，采用沟道切割工艺可以自动保证反射面的平行性。
[0004]现有的沟道切割晶体一般用锗的低指数面做反射面，能量分辨率较低。如果用硅的高指数晶面做反射面，会得到较高的能量分辨率。但此时，首先必须保证晶体反射晶面的高度平整，减少重力引起的反射面变形；其次，晶体的夹持装置在夹持晶体时需要保持稳固而不能引起晶体反射面的变形；同时，通常情况下具有高运动精度的晶体运动控制器往往负载较小，这意味着还要求晶体和夹具的重心需要非常接近控制器的轴心。因此如何设计晶体的结构及其夹持机构将是同福辐射实验中非常重要的环节。
[0005]沟道切割晶体在现有的商业化设备中已有使用，但根据功能要求不同所使用的晶体形状也各不一样。国际上使用沟道切割晶体做单色器的组织都有自己独特的晶体设计方案，但这些方案一般只使用硅的某一个特定的高指数晶面做反射面，比如使用硅333做反射面，能量10-12keV时需设计一块晶体；使用硅333做反射面，能量18_20keV时需要设计另外一块晶体，因此，现有晶体设计的的能量适应范围比较小，比如，美国物理协会(APS)的3ID高能量分辨模式的能量范围仅有20个电子伏。至于国内，尚没有应用沟道切割晶体做高能量分辨单色器晶体的先例。
【实用新型内容】
[0006]本实用新型的目的是提供一种具有沟道切割晶体及夹具的组件，从而提供能量适用范围更大的晶体以便于进行同步辐射相关实验。
[0007]本实用新型提供的具有沟道切割晶体及夹具的组件，该组件包括第一模块和第二模块，第一模块和第二模块完全镜像对称布置；第一模块包括第一晶体、第一夹具以及第一底板，第一晶体具有晶体本体、第一上晶块和第一下晶块，晶体本体具有平整的正面，第一上晶块和第一下晶块从正面向外凸出，第一上晶块的下表面形成为平整的第一反射面，第一下晶块的上表面形成为平整的第二反射面，第一反射面和第二反射面相互平行且垂直于正面；第一夹具夹持固定第一晶体；第一底板与第一夹具固定连接；第一模块的重心形成为第一模块的旋转中心，其位于第一反射面和所述第二反射面之间。
[0008]晶体本体为立方体，晶体本体上还设置有在同一平面内对置的两个卡槽，卡槽所在的平面平行于第一反射面并且分别从晶体本体相对的侧面向晶体本体内部凹陷。
[0009]第一上晶块和第一下晶块为立方体，第一上晶块和第一下晶块的边缘分别与晶体本体相对的侧面齐平，第一上晶块的顶部与其中一个卡槽的下边缘齐平，第一上晶块的下表面形成第一反射面，第一下晶块的上表面形成为第二反射面，第一下晶块的下表面与晶体本体的底面齐平。
[0010]第一夹具包括矩形主板、矩形顶板和立方体状的侧柱，主板、顶板和侧柱一体成型且相互垂直布置，顶板和侧柱均从主板的大面同侧向外凸出，主板的大面上还具有对置的牙板，牙板位于平行于顶板的同一平面内，其中一个牙板与侧柱连接且垂直于侧柱，另一个牙板与远离侧柱的主板的侧面齐平，两个牙板对应的卡入第一晶体的两个卡槽内。
[0011]侧柱的上部和下部分别设置两个沉降螺孔，主板上远离顶板和侧柱的拐角处还设置有一个通孔，螺丝分别穿过沉降螺孔和通孔而将第一夹具固定于第一底板上。
[0012]第一底板为矩形板，第一底板的三个拐角处设置有分别与沉降螺孔和通孔对应的三个螺纹孔，第一底板和第一夹具通过将螺丝插入螺纹孔内固定，第一底板中间设置有以正方形阵列布置的四个沉降孔。
[0013]顶板上设置有两个螺纹通孔，第一晶体和顶板之间还设置有垫板，螺丝穿过螺纹通孔抵触垫板。
[0014]第一反射面的长度为13.8mm，第二反射面的长度为40mm，第一反射面和第二反射面之间的间距为1mm0
[0015]晶体本体的长、宽、高分别为50mm、15mm、38mm，第一模块的重心与晶体本体的底面之间的距离为17.2mm，重心与晶体本体的两个相对的侧面之间的距离分别为38.91mm、
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[0016]夹具、底板、螺丝以及垫板均为201#退火不锈钢。
[0017]晶体本体的顶面的长度、宽度分别为50mm、15mm，侧面的高度为38mm ;卡槽的宽度与晶体本体的宽度相同，高度为2mm，深度为15mm;第一上晶块的长度为13.8mm，宽度为1mm,高度为8mm ;第一下晶块的长度为40mm，宽度为10mm，高度为8mm。
[0018]侧柱的长度为15臟，宽度为18臟，高度为63.47mm ;主板的厚度为5臟，长度为68.87mm，宽度为63.47mm ;顶板的长度为50.87mm，宽度为15mm，厚度为5mm ;两个牙板的厚度均为1.9mm，宽度均为15mm，与侧柱连接的牙板的长度为15.67mm，另外一个牙板的长度为14.8mm，两个牙板之间的间距为20.4mm，牙板与顶板的间距为13.2mm。
[0019]第一底板为矩形板，其长度、宽度、厚度分别为68.87mm,63.47mm、8mm0
[0020]垫块的长度、宽度、厚度分别是50mm、15mm和3mm。
[0021]本实用新型所述的用于高分辨四晶单色器的具有沟道切割晶体及夹具的组件具有以下优点:晶体可使用硅(333)和硅(555)晶面做反射面，适用的能量范围大，硅(333)可适用8-20keV，硅(555)适用10_20keV ;晶体因自重引起的反射面变形较小；夹具夹持不会使反射面变形；装置的重心在旋转轴附近。另外，本实用新型的旋转轴位于晶体两个反射面之间，从而可以将装置旋转到某一角度，使入射光不通过晶体直接通过，相当于不使用装置，将装置移出光路，方便切换实验状态。本实用新型简单易行，可靠性高，重新将装置移回到光路上时不会发生大的误差，简化装置移入移出时的调试过程。
【附图说明】
[0022]图1为根据本实用新型的一个实施例的具有沟道切割晶体及夹具的组件的布置示意图；
[0023]图2为根据本实用新型的一个实施例的沟道切割晶体的设计原理图；
[0024]图3是根据图1的组件的第一模块的立体示意图；
[0025]图4是根据图3的组件的第一模块的爆炸示意图；
[0026]图5是根据图3的组件的第一晶体的立体示意图；
[0027]图6是根据图1的组件的第一夹具的立体示意图；
[0028]图7是根据图6的组件的第一夹具的平面尺寸示意图；
[0029]图8是根据图1的组件的第一底板的立体示意图；
[0030]图9是根据图1的组件的第二模块的立体示意图；
[0031]图10是根据图9的组件的第二晶体的立体示意图；
[0032]图11根据图9的组件的第二夹具的立体示意图；
[0033]图12根据图9的组件的第二底板的立体示意图。
【具体实施方式】
[0034]以下结合具体实施例，对本实用新型做进一步说明。应理解，以下实施例仅用于说明本实用新型而非用于限制本实用新型的范围。
[0035]图1为本实用新型的用于高分辨四晶单色器的具有沟道切割晶体及夹具的组件的布置示意图，由图1可知，本实用新型的组件包括关于AA轴镜像对称布置的第一模块10和第二模块20，其中，第一模块10具有第一夹具11、第一晶体12和螺丝13，第一晶体12通过螺丝13固定于第一夹具11上，第一晶体12通过沟道切割工艺形成