Ic模块以及ic卡、ic模块基板的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种IC模块以及IC卡、IC模块基板，特别是涉及能够降低制造成本而不会使接触端子的外观受损的IC模块以及IC卡、IC模块基板。
【背景技术】
[0002]当前，在接触式的IC卡中使用如下构造的IC模块，S卩，在具有接触端子的IC模块基板安装IC芯片，通过导线键合等将IC芯片和接触端子电连接，利用封装部件树脂对IC芯片及导线进行封装。在将这种IC模块安装于卡基材的情况下，预先在卡基材设置用于埋设IC模块的凹部，将IC模块埋设于该凹部(例如，参照专利文献I)。另外，已知通过在接触端子的镀层上按顺序依次设置导电性印刷层和透明导电性保护层而实施外观设计(例如，参照专利文献2)。
[0003]图25是表示现有例所涉及的IC模块800的结构例的剖面图。如图25所示，该IC模块800以如下方式形成，S卩，在具有接触端子510的IC模块基板501安装IC芯片555，通过键合孔503并利用导线560将接触端子510的连接用区域和IC芯片555电连接，然后，利用模塑树脂570对IC芯片555和导线560进行封装。
[0004]专利文献I:日本特开2002-312746号公报
[0005]专利文献2:日本特开2000-348154号公报
【发明内容】
[0006]但是，在图25所示的IC模块800中，接触端子510具有:铜(Cu)箔511;未图示的镍(Ni)镀层，其形成于铜箔511上；以及金(Au)镀层514、524，它们设置于镍镀层上。IC卡读写器(下面称为RW)、ATM等的端子(引脚)与接触端子510接触，因此考虑到耐久性、耐腐蚀性、外观美观性等而实施金镀敷，但该金镀敷的使用成为制造成本提高的重要原因。
[0007]这里，为了降低制造成本，考虑减薄金镀层514的厚度。然而，如果减薄金镀层514的厚度，则接触端子510的光泽会下降。另外，存在如下课题，S卩，出现(反映出)IC模块500的轻微的凹凸，键合孔的痕迹、向卡基材安装时的热压头的痕迹等容易露出，容易使IC卡的外观受损。
[0008]因此，本发明就是鉴于这种情形而提出的，其目的在于提供能够降低制造成本而不会使接触端子的外观受损的IC模块以及IC卡、IC模块基板。
[0009]为了解决上述课题，本发明的一个方式具备:接触端子，其设置于基材的表面，相对于外部端子的接触面的至少一部分由贵金属镀层构成；IC芯片，其安装于基材的背面;导电部件，其通过在基材的表面及背面开口的贯通孔，而将IC芯片和接触端子连接；以及绝缘性的表面材料，其将基材的表面局部地覆盖。而且，将所述表面中的俯视时与IC芯片重叠的区域的至少一部分设为不形成贵金属镀层的非形成区域，将表面材料配置于该非形成区域。
[0010]发明的效果
[0011]根据本发明的一个方式，将表面中的俯视时与IC芯片重叠的区域的至少一部分设为不形成贵金属镀层的非形成区域，将表面材料配置于该非形成区域。由此，不会减薄接触端子的接触面中的贵金属镀层的厚度，能够减少贵金属的使用量，因此能够降低制造成本而不会使接触端子的外观受损。另外，利用绝缘性的表面材料将接触端子的侧面覆盖。由此，能够防止接触端子的侧面暴露于使用环境中，能够防止在该侧面生锈等。因此，能够提高接触端子的耐腐蚀性。
【附图说明】
[0012]图1是表示第I实施方式所涉及的IC模块基板50的结构例的剖面图。
[0013]图2是表示第I实施方式所涉及的IC模块100的结构例的剖面图。
[0014]图3是表示第I实施方式所涉及的IC卡150的结构例的剖面图。
[0015]图4是按照工序顺序示出IC模块100的制造方法的剖面图。
[0016]图5是按照工序顺序示出IC模块100的制造方法的剖面图。
[0017]图6是按照工序顺序示出IC模块100的制造方法的剖面图。
[0018]图7是表示IC模块100的外观的一个例子的平面图。
[0019]图8是示意地表示IC卡150中的辊接触区域的平面图。
[0020]图9是表示第2实施方式所涉及的IC模块基板250的结构例的剖面图。
[0021 ]图10是表示第2实施方式所涉及的IC模块300的结构例的剖面图。
[0022]图11是表示第2实施方式所涉及的IC卡350的结构例的剖面图。
[0023]图12是按照工序顺序示出IC模块300的制造方法的剖面图。
[0024]图13是按照工序顺序示出IC模块300的制造方法的剖面图。
[0025]图14是表示第3实施方式所涉及的IC模块基板450的结构例的剖面图。
[0026]图15是表示第3实施方式所涉及的IC模块500的结构例的剖面图。
[0027]图16是表示第3实施方式所涉及的IC卡550的结构例的剖面图。
[0028]图17是按照工序顺序示出IC模块500的制造方法的剖面图。
[0029]图18是按照工序顺序示出IC模块500的制造方法的剖面图。
[0030]图19是按照工序顺序示出IC模块500的制造方法的剖面图。
[0031 ]图20是表示第4实施方式所涉及的IC模块基板650的结构例的剖面图。
[0032]图21是表示第4实施方式所涉及的IC模块700的结构例的剖面图。
[0033]图22是表示第4实施方式所涉及的IC卡750的结构例的剖面图。
[0034]图23是按照工序顺序示出IC模块700的制造方法的剖面图。
[0035]图24是按照工序顺序示出IC模块700的制造方法的剖面图。
[0036]图25是表示现有例所涉及的IC模块500的结构例的剖面图。
【具体实施方式】
[0037]下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在下面说明的各图中，对具有相同结构的部分标注相同的标号，省略其重复的说明。
[0038]〈第I实施方式〉
[0039](结构)
[0040]图1是表示本发明的第I实施方式所涉及的IC模块基板50的结构例的剖面图。IC模块基板50是用于安装IC芯片而构成IC模块的基板。如图1所示，IC模块基板50具有基材1、接触端子10、第I导电层20、第2导电层30以及表面材料40。
[0041]基材I具有表(正)面Ia以及背面lb。在基材I的表面Ia与背面Ib之间设置有作为贯通孔的通孔3。在基材I的背面Ib准备有用于安装IC芯片的IC安装区域。基材I的材质并未特别限定，例如由玻璃环氧树脂或者聚酰亚胺构成。另外，基材I的厚度例如大于或等于80μπι、且小于或等于170μπι。
[0042]接触端子10设置于基材I的表面la。接触端子10具有如下构造，S卩，在例如铜(Cu)箔等导电材料形成有成为相对于外部端子(例如，IC卡读写器、ATM等外部装置所具有的端子)的接触面的贵金属镀层。在第I实施方式中，接触端子10的侧面10a、10b和接触面1c由贵金属镀层构成。
[0043]列举一个例子，接触端子10具有:作为导电材料的铜箔11;铜镀层12，其形成于铜箔11上；未图示的镍(Ni)镀层，其形成于铜镀层12上；以及金(Au)镀层14，其形成于镍镀层上。金镀层14是贵金属镀层的一个例子。接触端子10的侧面10a、1b以及接触面1c由金镀层14构成。
[0044]另外，第I导电层20设置于基材I的背面lb。第I导电层20例如具有与接触端子10相同的构造。列举一个例子，第I导电层20具有:作为导电材料的铜箔21;铜镀层12，其形成于铜箔21上；未图示的镍镀层，其形成于铜镀层12上；以及金镀层14，其形成于镍镀层上。第I导电层20的表面(图1中为下表面)以及侧面20a、20b由金镀层14构成。
[0045]第2导电层30设置于通孔3的内壁。第2导电层30例如具有:铜镀层12;未图示的镍镀层，其形成于铜镀层12上；以及金镀层14，其形成于镍镀层上。
[0046]此外，接触端子10、第I导电层20以及第2导电层30所具有的贵金属镀层并不限定于金镀层。贵金属镀层可以是例如由银(Ag)、白金(Pt)、钯(Pd)等的任一种构成的镀层。
[0047]表面材料40例如将基材I的表面Ia及背面Ib分别局部地覆盖。列举一个例子，表面材料40将基材I的表面Ia中的、除配置有接触端子10的区域以外的区域覆盖。另外，表面材料40将基材I的背面Ib中的、除配置有第I导电层20的区域以外的区域覆盖。并且，表面材料40将接触端子1的由金镀层14构成的侧面1a、1b、从封装部件70露出的第I导电层20的侧面20b分别覆盖。在接触端子10的接触面1c中，从表面材料40下露出的区域的至少一部分是用于与外部端子连接的连接用区域。
[0048]这里，在上述说明中，如图1所示，举例示出在接触端子10与表面材料40之间不存在间隙的情况。可以在接触端子10与表面材料40之间存在间隙，但该间隙尽量越小越好。具体而言，在形成有间隙的情况下，该间隙优选小于或等于0.5mm。在间隙比0.5mm大的情况下，在表面材料40及接触端子10的间隙侧的侧壁形成的角部有时会受到摩擦刮削。
[0049]另外，如后所述，表面材料10的一部分可以配置为将接触端子10的外周部分覆盖。但是，在该情况下，覆盖的部分(重复的部分)的表面材料40的厚度优选为无法形成阶梯差的程度，具体而言，优选小于或等于I Oym。
[0050]另外，表面材料40的厚度(除将接触端子10覆盖的部分以外)与接触端子10的厚度之差小于或等于10ym即可。优选小于或等于50μπι，更优选小于或等于ΙΟμπι。在上述厚度差比ΙΟΟμπι大的情况下，形成与规定程度等同或者超过规定程度的阶梯差、且具有该阶梯差的角部受到刮削等，从而并非为优选。
[0051 ]另外，在IC模块基板50中，俯视时与表面I a中的IC安装区域重叠的区域的至少一部分设定为不形成贵金属镀层的非形成区域。而且，在该非形成区域配置有表面材料40。表面材料40只