模制基板填充通过半蚀刻引线框架的两侧形成的腔在模制基板中形成定义的图案。
[0030]引线框架320进一步包括第一多个电接触表面328和第二多个电接触表面329，如在图3D和3E中所示的。图3D和3E分别为麦克风封装300第一侧302和第二侧304的侧视图。第一多个电接触表面328提供在引线框架320和第一多个柱凸块340之间的连接点。这允许引线框架320和嵌入式管芯330之间的多个电连接。第二多个电接触表面329提供电接触点以将金属盖(未示出)连接到模制基板310。
[0031]组装后的麦克风封装400包括，除其他组件外，图3A-3E的麦克风封装300、MEMS管芯410、金属盖420、后体积430、第一多个导线440，以及第二多个导线445，如在图4的横截面侦■图示出的。MEMS管芯410包括，除其他组件外，第一侧412、第二侧414和多个暴露的电接触表面416 JEMS管芯410的第二侧414与MEMS管芯410的第一侧412相对。多个暴露的电接触表面416被定位在MEMS管芯410的第一侧412上。MEMS管芯410的第二侧414结合到引线框架320的第一侧321。金属盖420被结合到引线框架320的第二多个接触表面328。在一些实施方式中，接地的手指沿着麦克风封装400的边缘暴露，以形成模制基板310和金属盖420之间的电磁干扰法拉第笼。这个笼完成组装后的麦克风封装400的后体积430。在一些实施方式中，金属盖420到模制基板310的连接是用导电材料(例如银填充的环氧树脂)制成，用于金属盖420和模制基板310之间的适当电接地。
[0032]第一多个导线440提供了第一多个柱凸块340和引线框架320之间的电连接。这允许嵌入式管芯330和引线框架320之间的电连接。第二多个导线445提供第二多个柱凸块345和MEMS管芯416的暴露的电接触表面416之间的电连接。这允许嵌入式管芯330和MEMS管芯410之间的电连接。
[0033]在一些实施方式中，嵌入式管芯330被直接结合到引线框架320，如在图5的横截面侧视图中所示。直接结合嵌入式管芯330到引线框架320(即，倒装芯片结合)创建了更加机械刚性的但仍具有与上文讨论的其他实施方式相同的电气质量的结构。
[0034]为清楚起见，各个图没有示出填充不足或过模制的应用。然而，之一或二者可以与上面讨论的实施方式结合使用，以便提供对安装在模制基板的第一侧上的组件的环境或机械保护。
【主权项】
1.一种半导体封装，包括: 第一侧； 与第一侧相对的第二侧； 丰吴制基板； 嵌入到所述模制基板中的管芯，所述管芯包括被定位在所述管芯的第一侧上的第一电接触表面；以及 引线框架，其被嵌入所述模制基板中，并且被定位在所述半导体封装的第一侧和第二侧之间，以提供所述半导体封装的第一侧和第二侧之间的第一电连接。2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述管芯还包括选自包括专用集成电路和硅管芯的组的至少一个组件。3.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述引线框架包括半蚀刻的第一侧，所述半蚀刻的第一侧基本上与所述半导体封装的第一侧平行。4.如权利要求3所述的半导体封装，其中所述第一电接触表面直接耦合到所述引线框架的所述半蚀刻的第一侧。5.如权利要求3所述的半导体封装，还包括第一柱凸块，所述第一柱凸块 被嵌入所述模制基板中， 被定位在所述第一电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间，以提供在所述第一电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间的第二电连接，并且与所述引线框架间隔开。6.如权利要求5所述的半导体封装，还包括 第二管芯，所述第二管芯包括被定位在所述第二管芯的第一侧上的第二电接触表面和被定位在所述第二管芯的第一侧上的第三电接触表面； 第二柱凸块，其被定位在所述第二电接触表面和所述第一柱凸块之间以提供在所述第二电接触表面和所述第一柱凸块之间的第三电连接;以及 第三柱凸块，其被定位在所述第三电接触表面和所述引线框架的半蚀刻的第一侧之间以提供在所述第三电接触表面和所述引线框架的半蚀刻的第一侧之间的第四电连接。7.如权利要求5所述的半导体封装，其中所述管芯还包括被定位在所述管芯的第一侧上并且平行于所述第一电接触表面的第二电接触表面，并且其中所述半导体封装还包括 第二柱凸块，所述第二柱凸块 被嵌入所述模制基板中， 被定位在所述第二电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间，以提供在所述第二电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间的第三电连接， 与所述引线框架间隔开；以及 第一导线，其耦合到所述第二柱凸块和所述引线框架的半蚀刻的第一侧。8.如权利要求5所述的半导体封装，其中所述引线框架还包括与所述半蚀刻的第一侧相对并且基本上平行于所述半导体封装的第二侧的半蚀刻的第二侧。9.如权利要求8所述的半导体封装，其中所述引线框架的半蚀刻的第一侧和半蚀刻的第二侧具有选自包括端口孔结构和密封环结构的组的至少一个结构。10.如权利要求9所述的半导体封装，还包括 MEMS管芯，所述MEMS管芯包括第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、和被定位在所述MEMS管芯的第一侧上的第三电接触表面，并且所述MEMS管芯的第二侧耦合到所述引线框架的半蚀刻的第一侧；以及 耦合到所述第一柱凸块和所述第三电接触表面的第一导线。11.一种制造半导体封装的方法，所述半导体封装包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述方法包括: 提供模制基板； 将管芯嵌入到所述模制基板中，所述管芯包括被定位在所述管芯的第一侧上的第一电接触表面；以及 将引线框架嵌入到所述模制基板中，所述引线框架被定位在所述半导体封装的第一侧和第二侧之间，以提供所述半导体封装的第一侧和第二侧之间的第一电连接。12.如权利要求11所述的方法，其中所述管芯还包括选自包括专用集成电路和硅管芯的组的至少一个组件。13.如权利要求11所述的方法，还包括半蚀刻所述引线框架的基本上与所述半导体封装的第一侧平行的第一侧。14.如权利要求13所述的方法，还包括将所述第一电接触表面直接耦合到所述引线框架的半蚀刻的第一侧。15.如权利要求13所述的方法，还包括 将第一柱凸块嵌入所述模制基板中；以及 将所述第一柱凸块定位在所述管芯的第一电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间，以提供在所述第一电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间的第二电连接，并且将所述第一柱凸块定位成与所述引线框架间隔开。16.如权利要求15所述的方法，还包括 将第二柱凸块耦合到所述第一柱凸块； 将所述第二柱凸块耦合到第二电接触表面以提供在所述第二柱凸块与所述第二电接触表面之间的第三电连接，所述第二电接触表面被定位在第二管芯的第一侧上； 将第三柱凸块耦合到所述第二管芯；以及 将所述第三柱凸块耦合到所述引线框架的半蚀刻的第一侧。17.如权利要求15所述的方法，其中所述管芯还包括被定位在所述管芯的第一侧上并且平行于所述第一电接触表面的第二电接触表面，并且所述方法还包括 将第二柱凸块嵌入所述模制基板中， 将所述第二柱凸块定位在所述第二电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间，以提供在所述第二电接触表面和所述半导体封装的第一侧之间的第三电连接，并且将所述第二柱凸块定位成与所述引线框架间隔开； 将第一导线耦合到所述第二柱凸块；以及 将所述第一导线耦合到所述引线框架的半蚀刻的第一侧。18.如权利要求15所述的方法，还包括半蚀刻所述引线框架的与所述半蚀刻的第一侧相对的并且基本上平行于所述半导体封装的第二侧的第二侧。19.如权利要求18所述的方法，其中所述引线框架的半蚀刻的第一侧和半蚀刻的第二侧具有选自包括端口孔结构和密封环结构的组的至少一个结构。20.如权利要求19所述的方法，还包括 将第一导线耦合到所述第一柱凸块； 将所述第一导线耦合到第三电接触表面，所述第三电接触表面被定位在MEMS管芯的第一侧上；以及 将所述MEMS管芯的第二侧耦合到所述引线框架的半蚀刻的第一侧，所述MEMS管芯的第二侧与所述MEMS管芯的第一侧相对。
【专利摘要】一种半导体封装。该半导体封装包括第一侧、第二侧、模制基板、管芯和引线框架。半导体封装的第二侧与半导体封装的第一侧相对。管芯和引线框架被嵌入到模制基板中。引线框架也被定位在半导体封装的第一侧和第二侧之间，以提供半导体封装的第一侧和第二侧之间的第一电连接。
【IPC分类】H01L23/498, H04R19/00, H04R19/04
【公开号】CN105659379
【申请号】
【发明人】J.S.萨蒙, U.汉森
【申请人】罗伯特·博世有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2014年8月29日