低输出端RLY_0N连接，光电親合器U3输入端正极经第二电阻R16与第二电压输出端连接，光电親合器U3输入端负极与第二网络电平的置高/拉低输出端RLYJFF连接，下拉电阻R19—端分别与第一放电限流电阻R5—端、MOSFET驱动加速电容ClO—端、驱动单向二极管D3正极和光电耦合器U4输出端正极连接，下拉电阻R19另一端分别与光电親合器U4输出端负极、光电親合器U3输出端负极、储能电容Cll 一端、限压保护二极管D4正极和MOSFET管Ql源极连接，第一放电限流电阻R5另一端与第二放电限流电阻R18—端连接，第二放电限流电阻R18另一端分别与MOSFET驱动加速电容ClO另一端、驱动单向二极管D3负极、光电耦合器U3输出端正极、储能电容Cll另一端、限压保护二极管D4负极和MOSFET管Ql栅极连接，MOSFET管Ql漏极与限压二极管D2负极和第一输出端TPl连接，MOSFET管Ql源极与限压二极管D2正极和第二输出端TP4连接。其中，第一电压输出端和第二电压输出端的输出电压为+3.3V。
[0017]本实施例中工作原理如下:
a.在初始状态
MOSFET驱动网络40由于下拉电阻R19、第一放电限流电阻R5和第二放电限流电阻R18的作用，呈现关断状态。
[0018]b.需要输出导通时
控制单元1中的第一网络电平的置高/拉低输出端RLY_0N被前端电路拉到低电平，MOSFET驱动光耦20输入导通，其输出电压通过MOSFET驱动网络40开通MOSFET管50，并且对储能电容Cll进行充电；与此同时控制单元10中第二网络电平的置高/拉低输出端RLY_0FF必须要置为高电平，保证MOSFET关断光耦30的输出关断。
[0019]c.维持输出状态时
如前所述，在工业控制中，有些控制信号为毫秒级的脉冲控制信号，其维持时间短，脉冲控制信号结束之后，控制单元1中的第一网络电平的置高/拉低输出端RLY_0N被前端电路拉到高电平，MOSFET驱动光耦20的输入电流关断，其输出侧电平拉低;与此同时控制单元1中的第二网络电平的置高/拉低输出端RLY_0FF必须要维持高电平，保证MOSFET关断光耦30的输出关断;MOSFET管50靠MOSFET驱动网络40中的储能电容Cll的放电维持开启状态，且因为储能电容Cll的放电回路中有大阻值的第一放电限流电阻R5和第二放电限流电阻R18限制放电电流，MOSFET管50的开启状态可以维持足够长时间(秒级)。
[0020]d.输出关断
控制单元1中的第一网络电平的置高/拉低输出端RLY_0N维持高电平，MOSFET驱动光耦20的输入电流关断，输出侧电平拉低;与此同时控制单元1中的第二网络电平的置高/拉低输出端RLYJFF必须要置为低电平，使MOSFET关断光耦30的输出导通，将储能电容Cll储存的电量释放，关断MOSFET管50。
[0021]综上所述，本发明的电路设计使得信号控制在断电延时阶段无需为维持输出状态消耗额外电流，降低了信号延时控制电路的储能要求，在减小产品体积的同时可以降低元件成本；同时由于未采用传统磁保持继电器，产品可以全部使用贴片封装，容易实现更轻薄的产品尺寸，方便SMT生产，减少生产时间，具有广泛的应用前景。
[0022]应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种断电延时型继电器输出电路，其特征在于，该电路包括控制单元、MOSFET驱动光耦、MOSFET关断光耦、MOSFET驱动网络、MOSFET管和输出单元；所述控制单元分别与所述MOSFET驱动光耦和所述MOSFET关断光耦连接，所述MOSFET驱动光耦和所述MOSFET关断光耦均通过所述MOSFET驱动网络与所述MOSFET管连接，所述MOSFET管与输出单元连接。2.根据权利要求1所述的断电延时型继电器输出电路，其特征在于，所述MOSFET驱动光耦为光电池输出型光耦，所述MOSFET驱动网络包括储能电容。3.根据权利要求2所述的断电延时型继电器输出电路，其特征在于，所述MOSFET驱动网络包括下拉电阻、储能电容、限压保护二极管、MOSFET驱动加速电容、驱动单向二极管和放电限流电阻，所述下拉电阻一端分别与所述放电限流电阻一端、所述MOSFET驱动加速电容一端、所述驱动单向二极管正极、所述MOSFET驱动光耦输出端正极连接，所述下拉电阻另一端分别与所述MOSFET驱动光耦输出端负极、所述MOSFET关断光耦输出端负极、所述储能电容一端、所述限压保护二极管正极、所述MOSFET管源极连接，所述放电限流电阻另一端分别与所述MOSFET驱动加速电容另一端、所述驱动单向二极管负极、所述MOSFET关断光耦输出端正极、所述储能电容另一端、所述限压保护二极管负极、所述MOSFET管栅极连接。
【专利摘要】本发明公开了一种断电延时型继电器输出电路，该电路包括控制单元、MOSFET驱动光耦、MOSFET关断光耦、MOSFET驱动网络、MOSFET管和输出单元；控制单元分别与MOSFET驱动光耦和MOSFET关断光耦连接,MOSFET驱动光耦和MOSFET关断光耦均通过MOSFET驱动网络与MOSFET管连接,？MOSFET管连接与输出单元连接。本发明的电路设计使得信号控制在断电延时阶段无需为维持输出状态消耗额外电流，降低了信号延时控制电路的储能要求，减小产品体积的同时可以降低元件成本；同时由于未采用传统磁保持继电器，产品可以全部使用贴片封装，容易实现更轻薄的产品尺寸，方便SMT生产减少生产时间，具有广泛的应用前景。
【IPC分类】H03K17/687, H03K17/78, H03K17/28
【公开号】CN105656464
【申请号】
【发明人】钱诚, 凡冬青, 刘中
【申请人】魏德米勒电联接（上海）有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年1月6日