lage applied on slaver winding = turns of slaver winding X volage applied on each trim (4)
[(K)加]步骤4:根据上面的计算结果，选择MOS管Q1、M0S管Q2和MOS管Q3的MOSFET型号。
[0051 ]步骤5:辅路输出电感的计算，与Buck电路一样。
[0052] W实际产品为例，主路输出30V，主路绕组W4和主路绕组W5的应数是2，推挽的占空 比为50%。因此，变压器每一应线圈承受的电压为15VdM0S管Q1和M0S管Q2的占空比不能大 于50% (即辅路绕组的有效工作占空比）。
[0化3] 如果辅路绕组的线圈为2应，则辅路绕组电压为30V，M0S管Q1和M0S管Q2的占空比 为 16.7%。
[0化4] 而如果辅路绕组线圈为1应，则辅路绕组电压为15V，M0S管Q1和M0S管Q2的占空比 为33%，远局于方案2的占至比。
[0055] 而且，由于此时辅路绕组电压为15V，M0S管QUM0S管Q2W及M0S管Q3的平台电压为 15V，可W使用电压等级更低的M0S阳T，比如使用30V的M0S阳T。运样可W有利于效率的进一 步提升。
[0056] 如图7所示，电路仿真结果的主路输出为30V，辅路输出5V，实现了双路输出的目 标。
[0057] M0S管Q1、M0S管Q2与M0S管Q7同时开通，但提前关断。M0S管Q1和M0S管Q2的占空比 是33%，M0S管Q7的占空比为50%，满足M0S管Q1和M0S管Q2占空比小于M0S管Q7占空比的限 制条件。
[005引 M0S管QUM0S管Q2和M0S管Q3的平台电压大约15V，可W使用电压等级更低的 M0S阳 T。
[0059] 如图8所示，当主路输出和辅路输出之间不需要隔离时的开关电源辅路拓扑辅路 输出绕组（即辅助线圈W1)由部分主路输出绕组形成，辅路输出绕组的同名端连接M0S管Q1 的d极，M0S管Q1的S极串联电感线圈后形成辅路输出端，M0S管Q1的S极串联电感线圈和电容 后接地，M0S管Q1的S极连接M0S管Q3的d极，M0S管Q3的S极接地，M0S管Q1和M0S管Q3的g极接 工作电压。
[0060] 主路输出和辅路输出不需要隔离的应用场合，A点的电压对于参考地总是正向的， 因此，M0S管Q2省略。
[0061] 辅助绕组是从主路绕组中抽出，为了不影响主路的输出，绕组W1和绕组W4的圈数 总和应与之前相等，绕组W1+绕组W4 =绕组W5。
[0062] 此时，辅路输出与M0S管Q1、M0S管Q7，W及绕组W巧日绕组W4+绕组W 5的电压之间的 关系如下：
[00631
巧
[0064] 在运个案子里面，主路输出30V，绕组W5的应数是2，推挽的占空比为50%。因此，变 压器每一应线圈承受的电压为15VdM0S管Q1和M0S管Q2的占空比不大于50%。
[0065] 如图9所示，电路仿真辅路输出的要求与上述隔离型的辅路拓扑一样是5V，当绕组 W1的应数为1的时候，M0S管Q1的占空比为33%。而如果绕组W1的应数为2,则M0S管Q1的占空 比为16.7%。因此，我们选择绕组W1的应数为1。电路仿真结果如下：
[0066] 1)主路输出为30V，辅路输出5V，实现了双路输出的目标。
[0067] 2)M0S管Q1与M0S管Q7同时开通，但提前关断。M0S管Q1的占空比是33%，M0S管Q7的 占空比为50%。
[006引 3)M0S管Q1的平台电压为15V，和MOS管Q3的平台电压大约45V，此电压应力比隔离 的版本要高一些。
[0069] 如图10所示，当辅路输出的占空比没有限制要求。运意味着辅路输出的占空比可 W大于主路的占空比。辅助的输出上升为13.5V，我们可W计算M0S管Q1的占空比为：
[0070]
[0071] M0S管Q1的占空比大于M0S管Q7的占空比。电路仿真结果如下：
[0072] 1)M0S管Q1的占空比为63%，大于M0S管Q7 50%的占空比。在非隔离的版本里面， 对辅助的占空比没有限制的要求。
[0073] 2)主路输出为30V，辅路输出13.5V，实现了双路输出的目标。
[0074] 3)M0S管Q1和M0S管Q3的平台电压大约45V，此电压应力比图5和图6所描述的电路 要高。
[0075] 在实际应用中，主路电路与本实施例的辅路电路拓扑可W形成灵活的电路组合。
[0076] 如图11所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与半桥全波整流形主路电路相结合， 采用本实施例的隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0077] 如图12所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与全桥全波整流形主路电路相结合， 采用本实施例的隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0078] 如图13所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与正激同步整流形主路电路相结合， 采用本实施例的隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0079] 如图14所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与半桥全波整流形主路电路相结合， 采用本实施例的隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0080] 如图15所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与全桥全波整流电路的主路电路相结 合，采用本实施例的隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0081 ]如图16所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与半桥全波整流电路的主路电路相结 合，采用本实施例的非隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0082] 如图17所示，本实施例的开关电源辅路拓扑与全桥全波整流电路的主路电路相结 合，采用本实施例的非隔离型的开关电源辅路拓扑。
[0083] W上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明掲露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该W权利要求书的保护范 围为准。
【主权项】
1. 一种新型开关电源辅路拓扑，其特征在于:在主路输出侧，设置辅路输出绕组，辅路 输出绕组的同名端连接MOS管Q1的d极，MOS管Q1的S极串联电感线圈后形成辅路输出端，MOS 管Q1的s极串联电感线圈和电容后接地，MOS管Q1的s极连接MOS管Q3的d极，MOS管Q3的s极接 地，MOS管Q1和MOS管Q3的g极接工作电压。2. 如权利要求1所述的新型开关电源辅路拓扑，其特征在于:辅路输出绕组由部分主路 输出绕组形成。3. 如权利要求2所述的新型开关电源辅路拓扑，其特征在于:还包括MOS管Q2，辅路输出 绕组的同名端连接MOS管Q1的d极，MOS管Q1的s极连接MOS管Q2的s极，MOS管Q1和MOS管Q2的g 极连接工作电压，MOS管Q2的d极串联电感线圈后形成辅路输出端； 辅路输出绕组的接地端连接M0S管Q3的s极，M0S管Q3的d极连接M0S管Q2的d极，M0S管Q3 的g极连接工作电压，位于电感线圈两端的M0S管Q3与电容并联，电感线圈串联电容后接地。4. 如权利要求3所述的新型开关电源辅路拓扑，其特征在于：设置隔离的辅路输出绕 组。5. 如权利要求4所述的新型开关电源辅路拓扑，其特征在于:辅路输出绕组的同名端连 接M0S管Q1的s极，M0S管Q1的d极连接M0S管Q2的d极，M0S管Q1和M0S管Q2的g极连接工作电 压，M0S管Q2的s极串联电感线圈后形成辅路输出端，替换相应连接。6. 如权利要求4或5所述的新型开关电源辅路拓扑，其特征在于:M0S管Q1和M0S管Q2的 占空比《辅路绕组的有效工作占空比。
【专利摘要】新型开关电源辅路拓扑，在主路输出侧，设置辅路输出绕组，辅路输出绕组的同名端连接MOS管Q1的d极，MOS管Q1的s极串联电感线圈后形成辅路输出端，MOS管Q1的s极串联电感线圈和电容后接地，MOS管Q1的s极连接MOS管Q3的d极，MOS管Q3的s极接地，MOS管Q1和MOS管Q3的g极接工作电压。工作效率高、输出稳定，可适用与主路和辅路电压差异较大的情况下，应用范围广泛。加入的器件数量较少、成本较低。
【IPC分类】H02M3/335
【公开号】CN105656314
【申请号】
【发明人】吴文江, 王宁, 高云
【申请人】深圳市陆巡天下科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年3月18日