量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置。
【背景技术】
[0002]量子点发光器件，比如，量子点发光二极管(Quantum dot Light EmittingD1de，QLED)因具有色域广、色纯度高、稳定性好、低功耗、低成本等优点被誉为新一代照明器件。由于量子点发光器件的量子点膜厚较薄和量子点材料的团聚效应，量子点发光层中的量子点发光材料之间存在较大的空隙，从而导致量子点发光器件的漏电流较大，进而导致量子点发光器件的性能较差。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层及所述阴极设置在所述基板的同侧，所述阳极与所述阴极相对且间隔设置，所述空穴传输层、所述发光层及所述电子传输层夹设在所述阳极与所述阴极之间，且所述空穴传输层的一面与所述阳极相连，所述发光层及所述电子传输层依次层叠设置在所述空穴传输层远离所述阳极的一面，且所述电子传输层远离所述发光层的一面与所述阴极相连，所述阳极用于提供空穴，所述空穴传输层用于将所述空穴传输至所述发光层，所述阴极用于提供电子，所述电子传输层用于将所述电子传输至所述发光层，所述空穴和所述电子在所述发光层中复合以发光，其中，所述发光层包括量子点发光材料及有机小分子发光材料，所述有机小分子发光材料填充所述量子点发光材料之间的间隙。
[0004]其中，所述阳极远离所述空穴传输层的一面设置在所述基板上，所述阳极为透明电极，所述阴极为金属电极，所述空穴和所述电子在所述发光层中复合发出的光线自所述基板远离所述阳极的表面出射。
[0005]其中，所述阳极包括ITO，所述阴极包括Al。
[0006]其中，所述阴极的厚度为100?150nm。
[0007]其中，所述阴极远离所述电子传输层的一面设置在所述基板上，所述阴极为透明电极，所述阳极为金属电极，所述空穴和所述电子在所述发光层中复合发出的光线自所述基板远离所述阴极的表面出射。
[0008]其中，所述发光层包括层叠设置的第一子发光层及第二子发光层，所述第一子发光层的一面与在所述空穴传输层远离所述阳极的一面接触，所述第二子发光层的一面与所述电子传输层远离所述阴极的一面接触，所述第一子发光层包括量子点发光材料及有机小分子发光材料，所述第二子发光层包括有机小分子发光材料。
[0009]其中，所述空穴传输层包括PED0T:PSS或者P型金属氧化物纳米粒子，其中，所述P型金属氧化物纳米粒子包括Mo03、Ni0、V205及Wo03的任意一种或者多种。[00?0]其中，所述空穴传输层的厚度为40nm。
[0011]本发明还提供了一种量子点发光器件的制备方法，所述量子点发光器件的制备方法包括:
[0012]提供基板，在所述基板的表面形成阳极；
[0013]在所述阳极远离所述基板的表面涂布空穴传输材料以形成空穴传输层；
[0014]在所述空穴传输层远离所述阳极的表面沉积量子点发光材料；
[0015]在所述量子点发光材料远离所述空穴传输层的表面沉积有机小分子发光材料，所述有机小分子发光材料填充所述量子点发光材料的间隙，以形成发光层；
[0016]在所述发光层远离所述空穴传输层的表面涂布电子传输材料以形成电子传输层；
[0017]在所述电子传输层远离所述发光层的表面形成阴极。
[0018]本发明还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括如权利要求1?8任意一项所述的量子点发光器件。
[0019]相较于现有技术，本发明的量子点发光器件的发光层包括量子点发光材料及有机小分子发光材料，且有机小分子发光材料填充量子点发光材料之间的间隙。因此，减小了量子点发光材料之间的间隙，减低了所述量子点发光器件的漏电流，提高了量子点发光器件的性能。进一步地，有机小分子发光材料可以自主发光来提高所述量子点发光器件的发光亮度，且可以通过能量转移的方式提高量子点的发光效率。
【附图说明】
[0020]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本发明一较佳实施方式的量子点发光器件的结构示意图。
[0022]图2为本发明一较佳实施方式的量子点发光器件的制备方法的流程图。
[0023]图3为本发明一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0024]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025]请参阅图1，图1为本发明一较佳实施方式的量子点发光器件的结构示意图。所述量子点发光器件100包括基板110、阳极120、空穴传输层130、发光层140、电子传输层150及阴极160。所述阳极120、所述空穴传输层130、所述发光层140、所述电子传输层150及所述阴极160设置在所述基板110的同侧。所述阳极110与所述阴极160相对且间隔设置，所述空穴传输层130、所述发光层140及所述电子传输层150夹设在所述阳极120与所述阴极160之间，且所述空穴传输层130的一面与所述阳极120相连，所述发光层140及所述电子传输层150设置在所述空穴传输层130远离所述阳极110的一面，且所述电子传输层150远离所述发光层140的一面与所述阴极160相连。所述阳极120用于提供空穴，所述空穴传输层130用于将所述空穴传输至所述发光层140。所述阴极160用于提供电子，所述电子传输层150用于将所述电子传输至所述发光层140。所述空穴和所述电子在所述发光层140中复合以发光，其中，所述发光层140包括量子点发光材料及有机小分子发光材料，所述有机小分子发光材料填充所述量子点发光材料之间的间隙。
[0026]所述基板110为透明基板，所述基板110可以为但不仅限于为玻璃、塑料基板等。
[0027]本发明所提到的有机小分子发光材料通常指的是分子量为500?2000的有机发光材料。
[0028]在本实施方式中，所述阳极120远离所述空穴传输层130的一面设置在所述基板110上，所述阳极120为透明电极，所述阴极160为金属电极，所述空穴和所述电子在所述发光层140中复合发出的光线自所述基板110远离所述阳极120的表面出射。在一实施方式中，所述阳极120包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)所述阴极160包括但不仅限于招(Al)，所述紧急160的厚度为额00?150nmo
[0029]可以理解地，在其他实施方式中，所述阴极160远离所述电子传输层150的一面设置在所述基板110上，所述阴极160为透明电极，所述阳极120为金属电极，所述空穴和所述电子在所述发光层140中复合发出的光线自所述基板110远离所述阴极160的表面出射。
[0030]所述发光层140包括层叠设置的第一子发光层141及第二子发光层142。所述第一子发光层141的一面与所述空穴传输层130远离所述阳极120的一面接触，所述第二发光层142的一面与所述电子传输层150远