间距为Ium及以上；
所述隔离环与截止环相互靠近的两条深沟槽间距在5um及以上；
所述终端区深沟槽的宽度等于或大于所述有源区深沟槽的宽度。
[0017]本发明实施例提供一种低压超结MOSFET终端结构的制造方法，如图1_15所示，该方法通过以下步骤实现:
步骤一:提供η型重掺杂的η+衬底，并在η+衬底上形成η型外延层，如图2所示；步骤二:在η型外延上通过光刻、干法腐蚀形成深沟槽，所述深沟槽包括有源区深沟槽与终端区深沟槽，所述终端区深沟槽包围有源区深沟槽，如图3所示；
步骤三:通过湿法热氧化工艺在所述深沟槽底部和侧壁生长场氧化层，如图4所示； 步骤四:通过多晶硅淀积工艺进行第一次多晶硅淀积，如图5所示；
步骤五:通过干法腐蚀工艺进行多晶硅回刻，刻蚀至多晶硅与外延层上表面齐平，如图6所示；
步骤六:通过干法加湿法腐蚀工艺去除表面场氧化层，如图7所示；
步骤七:通过光刻、多晶硅刻蚀及湿法腐蚀工艺对有源区深沟槽内的第一多晶硅及场氧化层先后进行回刻，使所述有源区深沟槽上方得到两个互相连接的浅沟槽，所述终端区深沟槽内的第一多晶硅及场氧化层在光刻胶的保护下不回刻，如图8所示；
步骤八:经过干法热氧化工艺生长栅氧化层，形成MOSFET器件栅氧，如图9所示；
步骤九:第二次多晶娃淀积，如图10所不；
步骤十:第二次多晶硅干法回刻，形成浅槽MOSFET器件栅极，如图11所示；
步骤^^一: P-BODY注入，形成P阱，如图12所示；
步骤十二: N+注入，形成器件源极，如图13所示；
步骤十三:介质层淀积，接触孔光刻及孔腐蚀，如图14所示；
步骤十四:完成接触孔钨填充，和表面金属工艺形成器件正面结构，如图15所示；
步骤十五:最后完成背面金属工艺，形成器件漏端，完成低压超结MOSFET终端结构，如图1所示。
[0018]采用本发明所述的功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法，利用与有源区同时制作的深沟槽做隔离环与截止环，在场氧化层回刻时不需要光刻版对隔离环与截止环表面的场氧进行掩蔽，有源区与终端区表面的场氧全部回刻，如图7所示，此方法在不影响器件特性的前提下简化了工艺，节约了制造成本。
[0019]所述步骤六具体为:
步骤一:场氧化层腐蚀工艺采用氧化层干法腐蚀工艺与湿法腐蚀工艺共同完成，先干法腐蚀剩余1000 ± 200A厚度左右的氧化层，然后采用湿法腐蚀将剩余氧化层全部剥除；步骤二:场氧化层腐蚀完成后氧化层向深沟槽内凹陷不大于500A。
[0020]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种低压超结MOSFET终端结构，其特征在于，该终端结构包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有有源区深沟槽，所述终端区内设置有至少包含两条并且围绕有源区深沟槽的终端区深沟槽，其中，至少一条靠近所述有源区深沟槽的终端区深沟槽为隔离环，至少一条靠近划片槽的终端区深沟槽为截止环;所述隔离环内沉积的多晶硅层与源极表面金属短接为零电位，所述截止环浮空。2.根据权利要求1所述的低压超结MOSFET终端结构，其特征在于:所述终端深沟槽之间的间距为Ium及以上。3.根据权利要求1或2所述的低压超结MOSFET终端结构，其特征在于:所述隔离环与截止环相互靠近的两条深沟槽间距在5um及以上。4.根据权利要求3所述的低压超结MOSFET终端结构，其特征在于:所述终端区深沟槽的宽度等于或大于所述有源区深沟槽的宽度。5.一种低压超结MOSFET终端结构的制造方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现: 步骤一:提供η型重掺杂的η+衬底，并在η+衬底上形成η型外延层； 步骤二:在η型外延上通过光刻、干法腐蚀形成深沟槽，所述深沟槽包括有源区深沟槽与终端区深沟槽，所述终端区深沟槽包围有源区深沟槽； 步骤三:通过湿法热氧化工艺在所述深沟槽底部和侧壁生长场氧化层； 步骤四:通过多晶硅淀积工艺进行第一次多晶硅淀积； 步骤五:通过干法腐蚀工艺进行多晶硅回刻，刻蚀至多晶硅与外延层上表面齐平； 步骤六:通过干法加湿法腐蚀工艺去除表面场氧化层； 步骤七:通过光刻、多晶硅刻蚀及湿法腐蚀工艺对有源区深沟槽内的第一多晶硅及场氧化层先后进行回刻，使所述有源区深沟槽上方得到两个互相连接的浅沟槽，所述终端区深沟槽内的第一多晶硅及场氧化层在光刻胶的保护下不回刻； 步骤八:经过干法热氧化工艺生长栅氧化层，形成MOSFET器件栅氧； 步骤九:第二次多晶娃淀积； 步骤十:第二次多晶硅干法回刻，形成浅槽MOSFET器件栅极； 步骤^^一: P-BODY注入，形成P阱； 步骤十二: N+注入，形成器件源极； 步骤十三:介质层淀积，接触孔光刻及孔腐蚀； 步骤十四:完成接触孔钨填充，和表面金属工艺形成器件正面结构； 步骤十五:最后完成背面金属工艺，形成器件漏端，完成低压超结MOSFET终端结构。6.根据权利要求5所述的低压超结MOSFET终端结构的制造方法，其特征在于:所述步骤六具体为: 步骤一:场氧化层腐蚀工艺采用氧化层干法腐蚀工艺与湿法腐蚀工艺共同完成，先干法腐蚀剩余1000 ± 200Α厚度的氧化层，然后采用湿法腐蚀将剩余氧化层全部剥除； 步骤二:场氧化层腐蚀完成后氧化层向深沟槽内凹陷不大于500Α。
【专利摘要】本发明公开了一种低压超结MOSFET终端结构，包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有有源区深沟槽，所述终端区内设置有至少包含两条并且围绕有源区深沟槽的终端区深沟槽，其中，至少一条靠近所述有源区深沟槽的终端区深沟槽为隔离环，至少一条靠近划片槽的终端区深沟槽为截止环；所述隔离环内沉积的多晶硅层与源极表面金属短接为零电位，所述截止环浮空。本发明能够保持终端击穿电压不变的前提下，减少器件生产中的光罩数量，并且能够用传统的半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度，从而降低器件生产成本。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/78
【公开号】CN105655402
【申请号】
【发明人】刘挺, 杨乐, 岳玲, 徐西昌
【申请人】西安龙腾新能源科技发展有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年3月31日