无晶片基材的中介层的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种中介层的利记博彩app，特别是一种不使用晶片基材的中介层利记博彩app。
【背景技术】
[0002]随着集成电路的线路图案缩小至数十纳米的尺寸，所制作的晶片整合了更多的运算功能以及数目更多的晶体管元件，使得信号接脚(I/O)的数量也急剧倍增，连带也使得传统晶片封装技术遭遇极为严苛的挑战。
[0003]例如，现有技术中利用打线技术(wirebonding)进行封装的方式，由于封装结构所需的导线数目大增，而造成打线难度增高，并且因为多重连线电阻的增加，导致晶片发生严重的散热问题。此外，现有技术中的覆晶封装(Flip chip)技术，由于只能进行单层晶片的封装，也无法应付封装晶片数目遽增的信号接脚。
[0004]因此，在目前快速发展中的2.5D与3D封装技术中，广泛的使用中介层(interposer)来作为晶片与印刷电路板之间的连接桥梁。常见的中介层其制作程序，包括了晶片基板的薄化、钻孔、以及填充导电材料等过程。其中，为了让原本厚度大约600?700微米的晶片基板，能降低厚度到25?200微米，会采用化学机械研磨法对晶片基板的背面进行研磨，以降低其厚度。由于需要移除相当厚度的晶片基板，因此会耗费相当长的时间。并且，也可能会造成研磨后的晶片基板，产生局部或整体厚度不均的缺陷，或是造成晶片边缘损伤等问题，而导致产品良品率降低。
[0005]此外，由于研磨后的晶片基板相当薄，因此后续要对薄化的晶片基板进行加工也相对困难，发生晶片基板破片的机率大增。在现有技术中，会采用暂时性贴合(TemporaryBonding)的技术，通过粘胶或是静电吸附的方式，将薄化后的晶片基板贴附于一载具上再进行加工，藉由载具的承载来提供晶片基板足够的支撑。但即便如此，如果研磨后的晶片基板厚度过薄，仍然容易在后续制造工艺中发生破裂。并且，由于所使用的粘胶只能耐受摄氏200度左右的温度，因此无法在高温炉管中加工，也无法进行高温回火的制造工艺。再加上彼此粘贴的晶片基板与载具并非一体成形，在温度较高的环境中也容易发生爆裂。
[0006]考虑到上述情形，本案发明人乃希望能提供一种不采用晶片基板的中介层利记博彩app，以便能有效的解决上述问题。
【发明内容】
[0007]本发明提供一种无晶片基板的中介层利记博彩app，以解决现有技术中的一项或多项缺失。
[0008]本发明提供一种无晶片基板的中介层利记博彩app。首先，提供一透光载板。接着，形成一缓冲层于透光载板上表面。形成第一接触垫于缓冲层上，并且形成内连线于第一接触垫上表面。随后，形成一非导电层于缓冲层上，并填充于相邻的内连线之间，其中所形成的非导电层会曝露出内连线上表面。然后，进行第一次重分布制造工艺，形成第一导线图案于非导电层上表面，以连接内连线。再形成一防护层于第一导线图案上方，并且形成接触孔于防护层上。随后，形成第二接触垫于防护层上表面，并经由接触孔电连接第一导线图案。接着，由透光载板下表面以激光照射缓冲层，让缓冲层汽化解离，使所制作的中介层结构由透光载板上表面脱离。
[0009]在一实施例中，上述透光载板是由石英玻璃、硼硅玻璃、钠硅玻璃或蓝宝石玻璃构成。
[0010]在一实施例中，上述缓冲层的材料可选择陶瓷光学膜、金属薄膜或是非金属薄膜。例如:可选择氮化镓(GaN)、氮化铝(A1N)、氧化铝(AlO)或氧化锌(ZnO)等陶瓷光学膜来构成缓冲层;或是选择诸如氮化娃(SixNx)、氧化娃(SixOx)、娃(Si)或碳化娃(SiC)等非金属膜来构成缓冲层;或是选择诸如钛(Ti)、钨化钛(TiW)、镍(Ni)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)等金属薄膜来构成缓冲层。
[0011]在一实施例中，上述形成非导电层的步骤，还包括沉积一硅层于缓冲层、第一接触垫以及内连线上，且研磨硅层直到内连线上表面曝露出来。在另一实施例中，上述形成非导电层的步骤，则包括涂布一玻璃层于缓冲层上表面并填充于相邻的内连线间，其中玻璃层曝露出内连线上表面。在又一实施例中，上述形成非导电层的步骤，包括涂布一有机材料层于缓冲层上表面并填充于相邻的内连线间，其中有机材料层曝露出内连线上表面。
[0012]在一实施例中，在进行所述第一次重分布制造工艺形成第一导线图案之后，还包括下列步骤。形成第一介电层于非导电层上，以覆盖非导电层与第一导线图案;再形成接触孔于第一介电层上，以曝露出部份第一导线图案;并且进行第二次重分布制造工艺，形成第二导线图案于第一介电层上表面，其中第二导线图案经由接触孔连接第一导线图案。
[0013]在一实施例中，可重复进行数次上述重分布制造工艺，以便在内连线与非导电层上方制作所需数量的重分布导线层。
[0014]本发明所提供的无晶片基板的中介层利记博彩app，具有相当多的优点。首先，相较于现有技术中通过化学机械研磨薄化晶片基板的方式，本发明的方法可免掉研磨减薄的程序，因此可完全省下研磨程序的工时，而提高中介层的生产速度。其次，由于本发明无晶片基板的中介层，是直接在承载的透光载板上从无到有加工生产出来，因此能随着生产者的规格需求，制作厚度更薄且应力更低的超薄型中介层。再者，相较于现有技术中需研磨去除晶片基板相当厚度的材料，本案显然具有更加环保并且节省材料成本的优势。特别是，本发明中的透光载板可以重复使用，因此能更进一步的降低生产成本。
【附图说明】
[0015]图1显示本发明所提供一种无晶片基材中介层的制作步骤;以及
[0016]图2A?图2G，显示本发明制作无晶片基材的中介层其各个过程中的横截面结构图。
[0017]符号说明:
[0018]步骤SI?SlO
[0019]透光载板10
[0020]缓冲层20
[0021]中介层3
[0022]第一接触垫30
[0023]内连线31
[0024]非导电层32
[0025]第一导线图案33
[0026]第一介电层34
[0027]接触孔35
[0028]第二导线图案36
[0029]第二介电层37
[0030]接触孔38
[0031]第三导线图案39
[0032]防护层40
[0033]接触孔41
[0034]第二接触垫42
【具体实施方式】
[0035]请参照图1，此图显示了本发明所提供一种无晶片基材中介层的制作过程。首先，提供一透光载板(步骤SI)。接着，形成一缓冲层于透光载板上表面(步骤S2)。形成第一接触垫于缓冲层上(步骤S3)，并且形成内连线于第一接触垫上表面(步骤S4)。随后，形成一非导电层于缓冲层上，并填充于相邻的内连线之间，其中所形成的非导电层会曝露出内连线上表面(步骤S5)。然后，进行第一次重分布制造工艺，形成第一导线图案于非导电层上表面，以连接内连线(步骤S6)。再形成一防护层于第一导线图案上方(步骤S7)，并且形成接触孔于防护层上(步骤S8)。随后，形成第二接触垫于防护层上表面，并经由接触孔电连接第一导线图案(步骤S9)。接着，由透光载板下表面以激光照射缓冲层，让缓冲层汽化解离，使第一接触垫与非导电层由透光载板上表面脱离，亦即使所制作的中介层结构由透光载板上脱离(步骤S10)。
[0036]请参照图2A?图2G，此部份图式显示了本发明所制作无晶片基材的中介层在制造工艺中各阶段的结构横截面图。
[0037]如图2A所示，首先提供一透光载板10ο在一较佳实施例中，此透光载板10是由石英玻璃、硼硅玻璃、钠硅玻璃、蓝宝石玻璃或其任意组合所构成。接着，形成一缓冲层20于透光载板10上表面。缓冲层20的材料可选择陶瓷光学膜、金属薄膜或是非金属薄膜。在一实施例中，可选择氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化铝(A10)、氧化锌(ZnO)或其任意组合等陶瓷光学膜来构成缓冲层20;或是选择诸如氮化娃(SixNx)、氧化娃(SixOx)、娃(Si)、碳化娃(SiC)或其任意组合等非金属膜来构成缓冲层20。至于，可作为缓冲层20材料的金属薄膜，则可选择钛(Ti)、钨化钛(TiW)、镍(Ni)、铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)或其任意组合等材料。然后，形成第一接触垫30于缓冲层20上表面，并且形成内连线31于第一接触垫30上表面。此处的第一接触垫30在后续的封装程序中，可通过锡球焊点与印刷电路板产生电连接。至于，连接于第一接触垫30上表面的内连线31具有柱状结构，可作为玻璃通孔连线(TGV，ThroughGlass Via)、娃通孔连线(TSV,Through Silicon Via)、有机材料通孔连线(TOV,ThroughOrganic Via)、或是陶瓷材料通孔(TCV,Through Ceramic Via) ο
[0038]请参见图2B，接着形成一非导电层32于缓冲层20上，并填充于相邻的内连线31以及相邻的第一接触垫30之间。由于所形成的非导电层32并未覆盖住内连线31，所以内连线31的上表面会曝露出来。
[0039]值得注意的是，上述非导电层32的材料与相关制造工艺，可根据制造者的需求加以变化，例如可选择介电材料、绝缘材料或是半导体材料来制作非导电层32。在一实施例中，当非导电层32选择由硅材料构成时，所述形成非导电层32的步骤，还包括沉积一硅层于前述缓冲层20、第一接触垫30与内连线31之上，接着再采用诸如化学机械研磨法，研磨硅层直到内连线31上表面曝露出来为止。在此实施例中，所制作贯通硅层的内连线31，即可作为硅通孔连线(TSV)使用。
[0040]在另一实施例中，当非导电层32选择由玻璃材料构成时，所述形成非导电层32的步骤，还包括涂布一玻璃层于缓冲层20上表面，并使玻璃层填充于相邻的内连线31与相邻的第一接触垫30之间，其中玻璃层并会曝露出内连线31上表面。在此实施例中，所制作贯通玻璃层