[0039] S5:对生长衬底的下表面进行减薄W去除下表面的孔桐，并在生长衬底的下表面 相对第一通孔的位置制作贯通生长衬底的第二通孔，在第二通孔内沉积金属，第一通孔与 第二通孔相连通。
[0040] 其中，通过支撑基材来承受外延片的重量和对外延片进行保护，可W进行第二通 孔的制作。生长衬底减薄后，生长衬底的下表面的孔桐被去除，生长衬底的下表面形成一个 连续的平面，然后在该平面上制作第二通孔。在本实施例中，第二通孔的形状为圆形、方形、 长方形、六边形或楠圆形。第一通孔的形状可W和第二通孔的形状相同。
[0041 ] S6:移除支撑基材。
[0042] 其中，在本实施例中，GaN器件为GaN HEMT器件、GaN皿T器件、GaN MESFET器件或 GaN MIS阳Τ器件。
[0043] 下面，将结合图2至图7对本发明实施例的GaN器件的利记博彩app的具体应用进行详 细说明，该具体应用的过程如下：
[0044] 步骤一:提供生长衬底，通过光刻或刻蚀方式在生长衬底上表面和下表面分别制 作多个排列为阵列的孔桐。
[0045] 其中，如图2所示，生长衬底1的上下两个表面均具有多个均匀分布，排列为阵列的 孔桐11。
[0046] 步骤二：在生长衬底上通过MOCVD(Metal-〇rganic Qiemical 化por Deposition, 金属有机化合物化学气相淀积)方式沉积成核层材料，使成核层材料形成薄膜并横向生长 覆盖生长衬底上表面的孔桐，得到成核层，并在成核层上形成GaN器件结构，成核层与GaN器 件结构构成外延片。
[0047] 其中，如图3所示，成核层20位于生长衬底1上，GaN器件结构30位于成核层20上。
[0048] 由于成核层薄膜与生长衬底1的接触面减小，可W有效地释放接触面由于晶格匹 配和热膨胀系数差异造成的应力，降低缺陷密度，形成致密的薄膜。
[0049] 步骤Ξ:在外延片上的预定区域制作贯通外延片的第一通孔，并采用薄膜沉积工 艺在第一通孔内沉积金属。
[0050] 其中，如图4所示，第一通孔31贯通GaN器件结构30和成核层20,并深入孔桐11的底 部。金属沉积在第一通孔31内。
[0051 ]步骤四：提供支撑基材，将支撑基材与外延片粘合固定。
[0化2] 其中，如图5所示，支撑基材4固定在GaN器件结构30上。
[0053] 步骤五:对生长衬底的下表面进行减薄W去除下表面的孔桐，并在生长衬底的下 表面相对第一通孔的位置制作贯通生长衬底的第二通孔，采用薄膜沉积工艺在第二通孔内 沉积金属，第一通孔与第二通孔相连通。
[0054] 其中，如图6所示，经过减薄后，生长衬底1下表面的孔桐已被去除，第二通孔32位 于第一通孔31下方的生长衬底1上，第二通孔32内沉积有金属。
[0055] 步骤六:移除支撑基材。
[0056] 其中，如图7所示，移除支撑基材4后，得到GaN器件。
[0057] 本发明还提供一种GaN器件，GaN器件包括生长衬底和生长在生长衬底上的外延 片，生长衬底的上表面具有多个孔桐，外延片包括在孔桐上横向生长形成的成核层和位于 成核层上的GaN器件结构，在外延片上的预定区域具有贯通外延片的第一通孔，在生长衬底 的下表面相对第一通孔的位置具有贯通生长衬底的第二通孔，第一通孔和第二通孔内均沉 积有金属，第一通孔和第二通孔相连通。GaN器件采用前述实施例的GaN器件的利记博彩app得 到，其结构如图7所示，在此不再寶述。
[0058] 通过上述方式，本发明实施例的GaN器件的利记博彩app在生长衬底的上下两个表面 均制作孔桐，然后在生长衬底上生长外延片，再分别在外延片和生长衬底上制作通孔，并在 通孔内沉积金属，由于采用图形化衬底技术，从而实现GaN器件的接地通孔制作同时降低影 响GaN器件性能的风险，有利于缩短通孔制作时间。
[0059] W上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发 明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技 术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1. 一种GaN器件的利记博彩app，其特征在于，包括： 提供生长衬底，在所述生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞； 在所述生长衬底的上表面形成外延片，所述外延片包括位于所述生长衬底的上表面孔 洞上横向生长的成核层和位于所述成核层上的GaN器件结构； 在所述外延片上的预定区域制作贯通所述外延片的第一通孔，并在所述第一通孔内沉 积金属； 提供支撑基材，将所述支撑基材与所述外延片粘合固定； 对所述生长衬底的下表面进行减薄以去除所述下表面的孔洞，并在所述生长衬底的下 表面相对所述第一通孔的位置制作贯通所述生长衬底的第二通孔，在所述第二通孔内沉积 金属，所述第一通孔与所述第二通孔相连通； 移除所述支撑基材。2. 根据权利要求1所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述生长衬底的上表面和 下表面的孔洞为盲孔，且互不连通。3. 根据权利要求2所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述生长衬底的下表面的 孔洞深度大于所述生长衬底的上表面的孔洞深度。4. 根据权利要求1所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述生长衬底的上表面和 下表面的孔洞相连通。5. 根据权利要求2或4所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述孔洞在所述生长衬 底上均匀分布，所述孔洞的形状为圆形、椭圆形、四边形、五边形或六边形。6. 根据权利要求5所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述孔洞的大小为5-200μ m，所述孔洞的间距为5-500μπι。7. 根据权利要求1所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述GaN器件为GaN ΗΕΜΤ器 件、GaN HBT器件、GaN MESFET器件或GaN MISFET器件。8. 根据权利要求1所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述支撑基材的材料为Si、 SiC、蓝宝石、GaN或金刚石。9. 根据权利要求1所述的GaN器件的利记博彩app，其特征在于，所述金属为Cu或Au。10. -种GaN器件，其特征在于，所述GaN器件包括生长衬底和生长在所述生长衬底上的 外延片，所述生长衬底的上表面具有多个孔洞，所述外延片包括在所述孔洞上横向生长形 成的成核层和位于所述成核层上的GaN器件结构，在所述外延片上的预定区域具有贯通所 述外延片的第一通孔，在所述生长衬底的下表面相对所述第一通孔的位置具有贯通所述生 长衬底的第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔内均沉积有金属，所述第一通孔和所述 第二通孔相连通。
【专利摘要】本发明提供了一种GaN器件的利记博彩app及GaN器件。该方法包括：提供生长衬底，在生长衬底的上表面和下表面分别制作多个孔洞；在生长衬底的上表面形成外延片，外延片包括位于生长衬底的上表面孔洞上横向生长的成核层和位于成核层上的GaN器件结构；在外延片上的预定区域制作贯通外延片的第一通孔，并在第一通孔内沉积金属；提供支撑基材，将支撑基材与外延片粘合固定；对生长衬底的下表面进行减薄以去除下表面的孔洞，并在生长衬底的下表面相对第一通孔的位置制作贯通生长衬底的第二通孔，在第二通孔内沉积金属，第一通孔与第二通孔相连通；移除支撑基材。本发明能够实现GaN器件的接地通孔制作同时降低影响GaN器件性能的风险。
【IPC分类】H01L21/02, H01L29/20, H01L29/06
【公开号】CN105655236
【申请号】
【发明人】陈一峰
【申请人】成都海威华芯科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年1月13日