r>[0044]如图1?图2E所示，第I磁芯20的各凸缘部24中设置端子部51?56。端子部51?56由具有大致L字的外形状的金属零件构成，至少一部分设置于凸缘部24的设置面24bο另外，凸缘部24的设置面24b是与底面24a在Z轴方向上相反侧的顶面，其中该底面24a是与第2磁芯30的顶面32相对的面。
[0045]正如从Z轴的上侧观察线圈部件10的图2D所示，3个端子部51?53设置于一个凸缘部24上，另外3个端子部54?56设置于另一个凸缘部24上。邻接的端子部的间隔不是等间隔，端子部52和端子部53的间隔设置为比端子部51和端子部52的间隔更宽，端子部54和端子部55的间隔设置为比端子部55和端子部56的间隔更宽。
[0046]如图2A所示，在第I磁芯20的卷芯部22上形成有线圈部40。正如图2D以及作为等效电路图的图4所示，线圈部40由4根绕线41?44构成。绕线41?44例如由包覆导线构成，并且具有用绝缘性的包覆膜包覆由良导体构成的芯材的结构，并且在卷芯部22上由2层结构卷绕。
[0047]如图3所示，绕线42、44在卷芯部22上进行通常的双股卷绕而构成第I层，绕线41,43在卷芯部22上进行通常的双线卷绕而构成第2层。而且，在本实施方式中，在第一层的绕线42、44和第二层的绕线41、43中，以相反方向卷绕。另外，绕线41?44的匝数完全相同，但也可以不同。
[0048]在本实施方式中，如图3所示，线圈部40具有第I通常卷绕区域40a、第2通常卷绕区域40b、低密度卷绕区域40c。第I通常卷绕区域40a是四根绕线41?44互相紧密地卷绕于卷芯部22上的区域。另外，第2通常卷绕区域40b由与构成第I通常卷绕区域40a的四根绕线41?44相连的绕线41?44构成，并且是互相紧密地卷绕于卷芯部22上的区域。
[0049]低密度卷绕区域40c沿着卷芯部22的卷轴(X轴)形成于第I通常卷绕区域40a和第2通常卷绕区域40b之间，并且是沿着X轴的绕线41?44的卷绕密度低的区域。另夕卜，低密度卷绕区域40c由与构成第I通常卷绕区域40a的四根绕线41?44相连的绕线41?44构成，并且线圈以比在第I通常卷绕区域40a以及第2通常卷绕区域40b中的绕线的卷绕密度低的卷绕密度卷绕。
[0050]在低密度卷绕区域40c中，如图1所示，露出卷芯部22的表面。相对于此，在第I通常卷绕区域40a以及第2通常卷绕区域40b被绕线41?44覆盖并且卷芯部22的表面没有露出于外部。
[0051]如图3所示，低密度卷绕区域40c的卷轴(X轴方向)方向的长度α对应于露出卷芯部22的表面的卷轴方向的最大间隙宽度，并且为至少绕线41?44的线径的同等以上。在本实施方式中，绕线41?44由完全相同线径的绕线构成，不过根据情况不同也可以不同。作为绕线41?44，在用不同线径的绕线的情况下，间隙宽度(长α)为最小线径的同等以上。
[0052]优选在将低密度卷绕区域的上述卷绕方向的长度作为α，将线圈部40的卷轴方向的长度(全长度)作为L0，将各绕线41?44的各线径作为d，将各层上卷绕的绕线41?44的根数作为η (在本实施方式中为η = 2)，并将最小匝数作为T (I以上的整数)的情况下，为dXnXTS a〈L0的关系。线圈部40的全长LO为卷芯部22的Z轴方向的全长的同等以下。
[0053]在第I通常卷绕区域40a和第2通常卷绕区域40b之内，卷轴方向的长度最短的区域的最小长度优选为将四根绕线41?44以两层以上卷绕2匝以上的长度。S卩，在将第I通常卷绕区域40a的X轴方向长度作为XI，将第2通常卷绕区域40b的X轴方向长度作为X2的情况下，这些长度Xl和X2为将各四根绕线41?44以两层以上卷绕2匝以上的长度。在本实施方式中，为LO = Xl+α+Χ2的关系。另外，优选Χ1/Χ2为0.5?2，进一步优选为I附近。
[0054]在第I通常卷绕区域40a和低密度区域40c的边界、第2通常卷绕区域40b和低密度区域40c的边界、或者线圈部40的X轴方向的至少一端，4根绕线41?44的卷绕解开，例如位于第二层的绕线41、43内的至少一根落到第一层。在图3所示的例子中，在第I通常卷绕区域40a和低密度区域40c的边界位于第二层的绕线43落到第一层。另外，在第2通常卷绕区域40b中的线圈部40的端部位于第二层的绕线43落到第一层。
[0055]在本实施方式中，第I通常卷绕区域40a和第2通常卷绕区域40b由连接的相同的四根绕线41?44构成，第一层的一对绕线42、44和第二层的一对绕线41、43以相反方向卷绕。因此，在低密度卷绕区域40c中，如图1所示，第一层的一对绕线42、44与第二层的一对绕线41、43相交叉的部分至少由一处(优选为I处)形成。
[0056]如图1、图2D以及图4所示，绕线41的绕线端41a、41b分别连接于端子部54、52，绕线42的绕线端42a、42b分别连接于端子部51、54，绕线43的绕线端43a、43b分别连接于端子部55、53。绕线44的绕线端44a、44b分别连接于端子部53、56。
[0057]另外，如图4所示，端子部51、52分别作为平衡输入的正侧端子IN+和负侧端子IN-使用。另外，端子部55、56分别作为平衡输出的正侧端子OUT+和负侧端子OUT-使用。端子部53、54分别作为输入侧和输出侧的中间抽头CT使用。绕线41、42构成脉冲变压器的初级绕组，并且绕线43、44构成脉冲变压器的次级绕组。
[0058]在线圈部件10的制造中，首先准备设置了端子部51?56的鼓型的第I线圈20和绕线41?44。第I线圈20例如通过将磁导率比较高的磁性材料、例如N1-Zn系铁氧体或Mn-Zn系铁氧体或者金属磁性体等构成的磁性粉体进行成型和烧结从而制作。金属的端子部51?56可以通过粘结等固定于第I磁芯20的凸缘部24。另外，端子部51?56也可以通过在第I磁芯20上通过印刷.电镀等形成导体膜，并通过烧附该导体膜，从而设置于凸缘部24上。
[0059]作为绕线41?44，例如，可以使用将由铜(Cu)等的良导体构成的芯材用由酰亚胺改性聚氨酯等构成的绝缘材料覆盖，进一步用聚酯等的薄树脂膜覆盖最外表面的绕线。设置了准备的端子部51?56的第I磁芯20以及绕线41?44被设定在卷线机上，绕线41?44按规定的顺序卷绕于第I磁芯20的卷芯部22上。被卷绕的绕线41?44的绕线端41a?44a、41b?44b通过银焊、热压附或者激光接合等固定于图2D以及图4所示的规定端子部51?56上。
[0060]接下来，准备板状的第2磁芯30，并结合到线圈部40被卷绕的第I磁芯20上。第2磁芯30和第I磁芯20同样由N1-Zn系铁氧体或Mn-Zn系铁氧体或者金属磁性体等构成的磁性材料的烧结体或者成型体构成。
[0061]在本实施方式所述的脉冲变压器10中，能够实现以特别严格的基准降低高频中的插入损耗。对于能够实现高频区域中的插入损耗的理由未必清楚，不过认为可能是如图3所示，在低密度卷绕区域40c和第I通常卷绕区域40a的边界上，4根线圈41?44的卷绕解开，位于第二层的绕线43落到第一层，位于绕线42的旁边等原因，所以泄漏的磁通减少所导致的。
[0062]在本实施方式的脉冲变压器10中，由于实现高频区域中的插入损耗的降低，因此高频波中的信号衰减量变少，能够远(长)距离地正确地输送高速的数据信号。
[0063]第2实施方式
[0064]在作为图5所示的第2实施方式的脉冲变压器的线圈部件1a中，两端的凸缘部24上各设置4个，共计8个端子部，在这一点上和第I实施方式的线圈部件10不同，其它构成相同。线圈部件1a的端子部53a、53b对应于第I实施方式的线圈部件10的端子部53，线圈部件1a的端子部54a、54b对应于线圈部件10的端子部54。
[0065]在线圈部