保持装置、光刻设备以及物品制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种保持装置、光刻设备以及用于制造物品的方法。
【背景技术】
[0002]存在这样的情况,在所述情况中,在制造半导体装置等的处理中所使用的曝光设备设置有基板,所述基板具有表面不规则部或者弯曲部。当由真空吸引保持基板时,吸力可能因由基板的周缘的弯曲部而造成的空气泄漏而减小。另外,当在吸力较小的状态中将图案转印到基板上并且基板的表面不规则程度或者弯曲程度较大时,转印的图案可能将变形,从而导致制造的装置的产量较低。
[0003]日本专利特开N0.2002-217276公开了一种保持装置,在所述保持装置中,作为弹性体的密封构件布置在基板保持表面的外周上。由于密封构件以符合基板的周缘的形状的方式变形,因此降低了空气从基板和基板保持表面之间的空间泄漏的可能性,使得吸力增大。保持装置的基板保持表面包括板状构件,所述板状构件具有吸气孔,所述吸气孔具有相同的尺寸和相同的形状并且以特定的间距布置。
[0004]与在日本专利特开N0.2002-217276中描述的保持装置相同,当通过同时使用具有相同尺寸和相同形状以及以特定间距布置的所有吸气孔实施吸气时,基板保持表面处的负压分布均匀,或者周缘处的负压小于其它部分处的负压。鉴于随着最近用于制造装置的各种处理增加,大多数情况是将已经大幅变形(例如大幅弯曲)的基板运送到曝光设备中的情况,可能难以校正由于基板周缘处的小吸力而导致的基板周缘的弯曲。
【发明内容】
[0005]本发明的一个方面提供了一种保持装置和一种光刻设备,所述保持装置和所述光刻设备较之通过同时使用相同的真空源和使用具有相同尺寸和相同形状且以特定间距布置的所有吸气孔实施吸气的情况能够更好地校正基板的弯曲。
[0006]根据本发明的一个方面的保持装置是这样的保持装置,所述保持装置构造成保持基板并且包括:保持构件,在所述保持构件中形成有多个吸气孔,所述吸气孔用于排空基板和保持构件之间的空间中的空气;和密封构件,所述密封构件具有环状并且布置在保持构件的阶梯部分的下表面上而且限定了所述空间。当与保持构件的保持表面的平面图形的中心同心并且通过减小平面图形的尺寸2/3以上且4/5以下而获得的图形的内部区域被设定为第一区域并且第一区域和密封构件之间的区域被设定为第二区域时,多个吸气孔被形成为使得满足以下关系:形成在第二区域中的吸气孔的总面积与第二区域的面积的比大于形成在包括第一区域加上第二区域的总区域中的吸气孔的总面积与该总区域的面积的比。
[0007]参照附图从示例性实施例的以下描述中本发明的其它特征将变得显而易见。
【附图说明】
[0008]图1是图解了根据第一至第三实施例的曝光设备的简图;
[0009]图2A和图2B都是图解了根据第一实施例保持装置的简图(从水平方向观察时的截面图);
[0010]图3是图解了根据第一实施例的修改方案的保持装置的简图(从水平方向观察时的截面图);
[0011]图4是图解了根据第一实施例的保持装置的简图(从正上方观察时的简图);
[0012]图5A和图5B都是图解了根据一示例的保持装置的简图;
[0013]图6是图解了根据第二实施例的保持装置的简图;
[0014]图7是图解了根据第三实施例的保持装置的简图;
[0015]图8A和图8B都是图解了根据第三实施例的修改方案的保持装置的简图;
[0016]图9是图解了唇形密封件的另一种形状的第一解释性简图;
[0017]图10是图解了唇形密封件的另一种形状的第二解释性简图。
【具体实施方式】
[0018]将参照图1描述根据第一实施例的曝光设备(光刻设备)I的构造。曝光设备I是投影曝光设备,所述投影曝光设备以扫描掩模2和基板3同时通过步进反复曝光系统使得掩模2和基板3运动的方式将作为照明光(光束)6的1-线(波长为365nm)发射到掩模2和基板3上,并且将形成在掩模2上的图案(例如,电路图案或类似物)转印到基板3上。在图1中,与投影光学系统4的光轴延伸所沿的方向(在第一实施例中为竖直方向)平行的轴线是Z轴线。在垂直于Z轴线的平面中,在掩模2通过被照明光6照射而被扫描时掩模2运动所沿的方向是X轴线,并且垂直于X轴线的非扫描方向是Y轴线。
[0019]由照射光学系统5形成的照明光6经由掩模2和投影光学系统4照射到基板3上。基板3例如为单晶硅基板并且抗蚀剂被施加到基板3的表面。掩模2随着平台7运动。干涉计8将激光束照射到反射镜9上并且接收已经由反射镜9反射的光,以便检测平台7的位置。平台7包括用于掩模2的平台顶板(未示出)和运动机构(未示出),所述运动机构使得平台顶板运动。
[0020]基板3连同保持装置10和平台13 —起沿着六个轴向方向运动,所述保持装置通过真空吸引保持基板3。干涉计11通过使用反射镜12凭借与在检测平台7的位置的情况中类似的方法来检测平台13的位置。平台13包括用于基板3的平台顶板(未示出)和运动机构(未示出),所述运动机构使得平台顶板运动。
[0021]检测系统14检测形成在基板3上的对准标记(未示出)和形成在标记台15上的基准标记(未示出),所述标记台15安装在平台13上。检测系统14检测对准标记和基准标记,下文将描述的控制单元18设定图案形成位置。检测系统14是轴偏离对准检测系统,所述轴偏离对准检测系统在不使用投影光学系统4的情况下检测对准标记和基准标记。
[0022]保持装置10包括卡盘(保持构件)16,所述卡盘16吸引并且保持基板3 ;销17,所述销17在将基板3运送到曝光设备I中或者从曝光设备I运送出来时支撑基板3 ;和提升机构(未示出),所述提升机构沿着Z轴线方向提升以及降低卡盘16。通过提升和降低卡盘16的操作,当基板3被运送到曝光设备I中时基板3被从销17传送到卡盘16,当将基板3从曝光设备I运送出来时基板3被从卡盘16传送到销17。将下文详细描述保持装置10的构造。
[0023]控制单元18连接到平台7和13、检测系统14、干涉计8和11以及保持装置10,以便一体地控制它们。例如,当实施曝光处理时,控制单元18基于由检测系统14获得的检测结果设定图案形成位置并且基于由干涉计8和11获得的平台7和13的位置信息控制平台7和13的运动。另外,当将基板3运送到曝光设备I中或者从曝光设备I中运送出来时控制单元18控制保持装置10的提升机构和平台13的运动。控制单元18可以布置在壳体中,在所述壳体中容纳有除了控制单元18之外的部件构件,或者控制单元18可以布置在与该壳体不同的壳体中。
[0024]将参照图2A和2B描述吸引基板3的操作。图2A和图2B均是通过卡盘16的中心的X-Z平面的截面图,其图解了卡盘16和外围构件。
[0025]图2A图解了基板3的运送已经完成并且基板3已经被传送到卡盘16的状态。卡盘16包括中央部分(第一区域)和周缘部分(第二区域)。中央部分和周缘部分之间的边界由假想边界38表示。多个吸孔(吸气孔)32形成在中央部分中和周缘部分中。
[0026]在此,在第一实施例中,卡盘16的前表面中的中央部分是位于圆形内部的区域,所述前表面是面向基板3的基板保持表面(保持表面),所述圆形被设定作为边界38并且与基板保持表面的中心同心。周缘部分是位于边界38外的区域。边界38设定为使得中央部分的面积和周缘部分的面积相等。周缘部分包括卡盘16的阶梯部分39a的侧表面3%。侧表面39b是面向将在下文详细描述的唇形密封件31的区域并且用于布置唇形密封件31。
[0027]所有吸孔32均经由管33a与管33连通,所述管33作为用于所有吸孔32的共用管。管33用于将管33a合并为一根管,所述管33a以各自联接到相应的一个吸孔32的方式分支。管33连接到真空源33b。阀34布置在管33和真空源33b之间。能够通过切换阀34来选择是通过经由管33连接到真空源的所有吸孔32排放卡盘16和基板3之间的空间中存在的气体还是通过经由管33连接到阀34的所有吸孔32将空气送到卡盘16和基板3之间的空间中。管33布置在对应于卡盘16的中央部分的位置处,即,当沿着卡盘16的厚度方向在边界38处切割卡盘16时位于边界38内的位置。特别地,如图2A和2B等所示,管33在X-Y平面中的位置可以靠近中央部分的中心,以便抑制吸孔32和管33之间的距离在X-Y平面中较短的位置和吸孔32和管33之间的距离在X-Y平面中的较长的位置之间出现空气排空力的大小差异。
[0028]具有圆状或者环状的唇形密封件(密封构件)31布置在底部表面39c上,所述