由光学探测器接收到的光学信号并且基于所接收到的信号来确定压力。
[0075]在示例34中，示例33的方法可以进一步包括在基底之上形成第一对接触焊盘且将所述第一对接触焊盘电耦合到光源，并且在基底之上形成第二对接触焊盘且将所述第二对接触焊盘电耦合到光学探测器。
[0076]在示例35中，示例33或示例34的方法，其中多个光学空腔可以包括在基底中的穿孔，其中一系列的片状结构分隔该穿孔。
[0077]在示例36中，示例33到示例35的方法，其中光源可以配置为生成传输到光学探测器的光源信号。
[0078]在示例37中，示例33到示例36的方法可以进一步包括形成包括多个光学空腔的光子晶体结构，并且将多个光学空腔中的每个光学空腔用气态物质进行填充。
[0079]在示例38中，示例33到示例37的方法，其中处理电路可以配置为基于气态物质的折射率的变化而探测在光子晶体结构之外的环境温度的变化。
[0080]在示例39中，示例33到示例38的方法，其中在多个光学空腔中的每个光学空腔之内的环境压力可以大于在多个光学空腔中的每个光学空腔之外的环境压力。
[0081]在示例40中，示例33到示例39的方法，其中多个光学空腔中的每个光学空腔可以能够承受高于10kPa的压力。
[0082]在示例41中，一种形成传感器的方法，该方法可以包括形成基底，提供光源，提供光学探测器，在基底中或者在基底之上的层结构中形成多个光学空腔，将多个光学空腔布置在光源和光学探测器之间的光学路径中，以及将处理设备耦合到光学探测器并且将所述处理设备配置为接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号。
[0083]在示例42中，示例41的方法可以进一步包括在基底之上形成第一对接触焊盘且将所述第一对接触焊盘电耦合到光源，并且在基底之上形成第二对接触焊盘且将所述第二对接触焊盘电耦合到光学探测器。
[0084]在示例43中，示例41或示例42的方法，其中多个光学空腔可以包括在基底中的穿孔，其中一系列的片状结构分隔该穿孔。
[0085]在示例44中，示例41到示例43的方法可以进一步包括形成可以包括多个光学空腔的光子晶体结构，并且将多个光学空腔中的每个光学空腔用气态物质进行填充。
[0086]在示例45中，示例41到示例44的方法，其中处理设备可以配置为处理由光学探测器接收到的光学信号并且基于所接收到的信号确定压力。
[0087]在示例46中，示例41到示例45的方法，其中处理设备可以包括气体探测器，该气体探测器被配置用于接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号并且基于所接收到的信号来确定一个或多个预先限定的气体是否出现在多个光学空腔中。
[0088]在示例47中，示例41到示例46的方法，其中处理设备可以配置为处理由光学探测器接收到的光学信号并且基于所接收到的信号确定温度。
【主权项】
1.一种气体传感器，包括: 基底； 光源； 光学探测器； 在所述基底中或者在所述基底之上的层结构中的多个光学空腔；其中所述多个光学空腔被布置在所述光源和所述光学探测器之间的光学路径中；以及 气体探测器，被耦合到所述光学探测器，并且被配置为接收代表由所述光学探测器接收到的光学信号的信号并且基于所接收到的信号来确定一个或多个预先限定的气体是否存在于所述多个光学空腔中。2.根据权利要求1所述的气体传感器， 其中所述光源被配置为生成被传输到所述光学探测器的光源信号。3.根据权利要求1所述的气体传感器，进一步包括: 被形成在所述基底之上并且被电耦合到所述光源的第一对接触焊盘以及被形成在所述基底之上并且被电耦合到所述光学探测器的第二对接触焊盘。4.根据权利要求1所述的气体传感器， 其中所述光源包括第一半导体二极管；并且 其中所述光学探测器包括第二半导体二极管。5.根据权利要求1所述的气体传感器， 其中所述多个光学空腔包括光子晶体结构。6.根据权利要求1所述的气体传感器， 其中所述多个光学空腔包括在所述基底中的穿孔，其中一系列的片状结构分隔所述穿孔。7.一种温度传感器，包括: 基底； 光源； 光学探测器； 在所述基底中的多个光学空腔； 其中所述多个光学空腔被布置在所述光源和所述光学探测器之间的光学路径中；以及处理电路，被耦合到所述光学探测器并且被配置为处理由所述光学探测器接收到的光学信号并且基于所接收到的信号来确定温度。8.根据权利要求7所述的温度传感器，进一步包括: 被形成在所述基底之上并且被电耦合到所述光源的第一对接触焊盘以及被形成在所述基底之上并且被电耦合到所述光学探测器的第二对接触焊盘。9.根据权利要求7所述的温度传感器， 其中所述多个光学空腔包括在所述基底中的穿孔，其中一系列的片状结构分隔所述穿孔。10.根据权利要求7所述的温度传感器， 其中所述光源被配置为生成被传输到所述光学探测器的光源信号。11.根据权利要求7所述的温度传感器，进一步包括: 包括所述多个光学空腔的光子晶体结构， 其中所述多个光学空腔中的每个光学空腔由气态物质进行填充。12.根据权利要求11所述的温度传感器， 其中所述处理电路被配置为基于所述气态物质的折射率的变化来探测在所述光子晶体结构之外的环境温度的变化。13.根据权利要求11所述的温度传感器， 其中在所述多个光学空腔中的每个光学空腔之内的环境压力大于在所述多个光学空腔中的每个光学空腔之外的环境压力。14.一种压力传感器，包括: 基底； 光源； 光学探测器； 在所述基底中的多个光学空腔； 其中所述多个光学空腔被布置在所述光源和所述光学探测器之间的光学路径中；以及处理电路，被耦合到所述光学探测器并且被配置为处理由所述光学探测器接收到的光学信号并且基于所接收到的信号来确定压力。15.根据权利要求14所述的压力传感器，进一步包括: 被形成在所述基底之上并且被电耦合到所述光源的第一对接触焊盘以及被形成在所述基底之上并且被电耦合到所述光学探测器的第二对接触焊盘。16.根据权利要求14所述的压力传感器，进一步包括: 包括所述多个光学空腔的光子晶体结构， 其中所述多个光学空腔中的每个光学空腔由气态物质进行填充。17.根据权利要求16所述的压力传感器， 其中所述光子晶体结构的表面被配置为由于在所述多个光学空腔之外的环境压力的改变而发生偏转。18.一种形成传感器的方法，所述方法包括: 形成基底； 提供光源； 提供光学探测器； 在所述基底中或者在所述基底之上的层结构中形成多个光学空腔； 将所述多个光学空腔布置在所述光源和所述光学探测器之间的光学路径中；以及将处理设备耦合到所述光学探测器并且将所述处理设备配置为接收代表由所述光学探测器接收到的光学信号的信号。19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括: 在所述基底之上形成第一对接触焊盘且将所述第一对接触焊盘电耦合到所述光源，并且在所述基底之上形成第二对接触焊盘且将所述第二对接触焊盘电耦合到所述光学探测器。20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括: 形成包括所述多个光学空腔的光子晶体结构，并且将所述多个光学空腔中的每个光学空腔用气态物质进行填充。
【专利摘要】本申请涉及光子晶体传感器结构及其制造方法。公开了一种传感器以及制造传感器的方法。该传感器可以包括基底、光源、光学探测器、在基底中或者在基底之上的层结构中的多个光学空腔、以及处理电路，其中多个光学空腔可以被布置在光源和光学探测器之间的光学路径中，处理电路被耦合到光学探测器并且被配置为接收代表由光学探测器接收到的光学信号的信号。
【IPC分类】G01D5/26
【公开号】CN105651318
【申请号】
【发明人】J·希尔瓦诺德索萨, T·格里勒, U·赫德尼格, P·伊尔西格勒, T·奈德哈特, V·K·拉贾拉曼
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月1日