1-V族致密薄膜。
[0066]本实施例中所述基座100还包括:支撑座110，一个或多个待处理基片500设置在所述支撑座I1的上表面，所述支撑座110用于支撑所述基片500 ;所述加热单元120设置在所述支撑座110下方，用于对所述基片500进行加热。
[0067]本实施例中第一间隔件700的热传导系数大于第二间隔件800的热传导系数，所述第一进气装置300包括第一上表面，所述第一上表面通过所述第一间隔件700与冷却装置200接触，所述第二进气装置400包括第二上表面，所述第二上表面通过所述第二间隔件800与冷却装置200接触，从而冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果大于冷却装置200对第二进气装置400的冷却效果，从而第一进气装置300的温度低于第二进气装置300的温度。
[0068]本实施例中，所述第一进气装置300还包括与所述第一表面相对的第一下表面，所述第二进气装置400还包括与所述第一表面相对的第二下表面。本实施例中，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率。如此，所述第一进气装置300具有比所述第二进气装置400大的相对冷却面积，使得所述第一进气装置300的热量更容易散失。从而，可以进一步提高冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果，确保所述第一进气装置300与所述第二进气装置400之间的温度差值。
[0069]本实施例中，所述第一间隔件700的材料为石墨，所述第二间隔件800的材料为不锈钢，降低了第一间隔件700和第二间隔件800的生产成本。
[0070]本实施例中，所述第一间隔件700的厚度可以大于或等于0.1mm且小于或等于2mm,如:0.lmm、0.5mm、Imm或2mm ;所述第二间隔件800的厚度也可以大于或等于0.1mm且小于或等于2mm，如:0.1mm、0.5mm、Imm或2mm。所述第一间隔件700的厚度与所述第二间隔件800的厚度可以相同，也可以不同。优选地，所述第一间隔件700的厚度小于第二间隔件800的厚度，从而可以进一步使得第一进气装置300的温度小于第二进气装置400的温度。
[0071]本实施例中，所述第一间隔件700的热传导系数大于第一进气装置300的热传导系数，第二间隔件800的热传导系数大于第二进气装置400的热传导系数，所述第一进气装置300的热传导系数大于所述第二进气装置400的热传导系数。
[0072]当第一进气装置300的热传导系数大于第二进气装置400的热传导系数时，所述第一进气装置300的材料与所述第二进气装置400的材料不同。如:第一进气装置300的材料可以为石墨、碳化硅、石墨和碳化硅复合材料、碳化硅叠层材料中的至少一种，第二进气装置400的材料成分为不锈钢。
[0073]本实施例中，所述第一间隔件700的热传导系数大于所述第二间隔件400热传导系数。本实施例中，通过控制所述第一进气装置300的第一上表面与所述第一下表面的比率和所述第二进气装置400的第二上表面与所述第二下表面的比率，可以进一步使得所述第一进气装置300的温度低于所述第二进气装置的温度。所述第一进气装置300的热辐射系数可以大于所述第二进气装置400的热辐射系数。例如:所述第一进气装置300的材料可以为石墨或碳化硅，所述第二进气装置400的材料成分包括钢材中的至少一种。具体的，所述第一进气装置300的材料为石墨，所述第二进气装置400的材料为不锈钢。尽管石墨的热辐射系数要大于不锈钢的热辐射系数，使得所述第一进气装置300吸附热量的速度大于所述第二进气装置400吸附热量的速度，然而石墨的热传导系数大于不锈钢的热传导系数，而且，所述第一间隔件700的热传导系数大于所述第二间隔件400热传导系数，因此所述第一进气装置300吸收的热量容易通过与所述冷却装置200进行热交换而释放，从而所述冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果大于对第二进气装置400的冷却效果，从而使得所述第一进气装置300的温度低于所述第二进气装置400的温度。由于石墨的价格比较低且热传导性能比较好，不锈钢物理化学性能稳定，从而可以降低了第一进气装置300和第二进气装置400的生产成本，并能保证所述第一进气装置300和第二进气装置400使用寿命比较长。
[0074]本实施例中，所述第一进气装置300的热辐射系数小于所述第二进气装置400的热辐射系数。由于所述第一进气装置300的热辐射系数小于所述第二进气装置400，因此可以进一步保证第一进气装置300与第二进气装置400之间的温度差。
[0075]本实施例中，所述冷却装置200的温度大于或等于10°C且小于或等于100°C，所述加热单元120的温度可以大于或等于1000°C且小于或等于1500°C。例如:所述冷却装置200的温度为50°C，加热单元120的温度为1200°C，而当所述第一进气装置300的材料是石墨，所述第二进气装置的材料是不锈钢时，第一进气装置300的温度可为290°C，第二进气装置400的温度可为680 °C。
[0076]本实施例中，所述CVD装置还包括:由温度传感器和气压传感器组成的检测装置(图中未示出)；控制装置(图中未示出)，其分别连接各温度传感器、气压传感器、冷却装置200和加热单元120。
[0077]本实施例中，所述气压传感器为一个，其设置在所述反应区，将检测到的反应区的当前气压发送给控制装置，控制装置分析得到反应区的当前气压和薄膜沉积反应所需的气压之差，进而控制装置实现对反应腔600的气压调整，直至使反应区的当前气压等于薄膜沉积反应所需的气压。
[0078]本实施例中，所述温度传感器为多个，可以在第一进气装置300、第二进气装置400、冷却装置200和加热单元120上分别设置一个温度传感器，分别用于检测第一进气装置300的当前温度、第二进气装置400的当前温度、冷却装置200的当前温度和加热单元120的当前温度，并将检测得到的上述温度发送给控制装置，控制装置通过分析第一进气装置300的当前温度与第一进气装置300所需温度之间的温度之差、第二进气装置400的当前温度与第二进气装置400所需温度之间的温度之差来调节冷却装置200的温度或加热单元120的温度，直至使第一进气装置300的当前温度大于或等于35°C且小于或等于600°C，第二进气装置400的当前温度大于或等于135°C且小于或等于800°C，且使得所述第一进气装置300的温度比所述第二进气装置的400的温度低，大于等于100°C且小于等于600°C ;从而可以更精确地控制薄膜沉积的过程。
[0079]在本实施例所述的MOCVD装置中，所述反应腔600的材料为不锈钢。
[0080]本实施例中，所述支撑座110的材料为石墨。本实施例中，可以在所述支撑座110的表面设置一层碳化硅(SiC)层，从而使得支撑座110具有耐高温、抗氧化、纯度高和耐酸碱盐及有机试剂腐蚀等特性，使其物理化学性能更稳定。
[0081]本实施例中，所述加热单元120具体可以为射频加热单元、红外辐射加热单元或电阻加热单元等，可以根据反应腔600的尺寸和材料进行不同的选择。在射频加热方式中，石墨的支撑座110被射频线圈通过诱导耦合加热，这种加热形式在大型的反应腔600中经常采用，但是通常系统过于复杂。为了避免系统的复杂性，在稍小的反应腔600中，通常采用红外辐射加热方式，卤钨灯产生的热能被转化为红外辐射能，石墨的支撑座110吸收这种红外辐射能并将其转化回热能。在电阻加热方式中，通过电阻丝的发热，进而实现对支撑座110的加热。
[0082]本实施例中，所述加热单元120还可以集成于所述支撑座110内，其对于本领域的技术人员是熟知的，故在此不再赘述。
[0083]本实施例中，所述冷却装置200具有冷却通道，用以通入冷却气体或者冷却液体。具体地，所述冷却装置200可以采用水冷冷却，也可以采用风冷冷却，其对应的具体结构对于本领域的技术人员是熟知的，故在此不再赘述。本实施例中通过控制冷却装置200的温度，可以使两个进气装置具有不同的温度变化值，以适应不同的喷淋组件温度需求。此外，冷却装置200还会使得喷淋组件处于较低的温度，延长了喷淋组件的使用寿命。
[0084]本实施例中，所述CVD装置还可以包括:旋转驱动单元(图中未示出)，所述旋转驱动单元驱动所述基座100或喷淋组件在所述化学气相沉积装置的沉积过程中进行旋转，从而使得薄膜沉积更均匀。本实施例中，所述旋转驱动单元驱动所述基座100旋转。
[0085]本实施例中第一进气装置300和第二进气装置400结合为一个圆盘体；所述圆盘体被划分为多个扇形区，所述多个扇形区包括交替间隔设置的第一扇形区和第二扇形区。所述第一进气装置300设置在所述圆盘体的第一扇形区，所述第二进气装置400设置在所述圆盘体的第二扇形区。
[0086]本实施例中，所述第一进气装置300还包括具有若干第一气孔的若干第一气体扩散单元310，所述喷淋组件还包括第一进气管(图中未示出)；所述每一第一气体扩散单元310构成所述圆盘体的一个第一扇形区；所述第一进气管贯穿所述冷却装置200并和第一气体扩散单元310连通，所述第一气体从第一进气管进入第一气体扩散单元310，并从气体扩散单元310的第一气孔进入反应区。在每个第一气体扩散单元310与冷却装置200之间都设置有一个第一间隔件700，所述第一间隔件700的形状大小与第一气体扩散单元310的形状大小相同。所述第一气体扩散单元310