外部。重复这种处理操作的结果以交替地向基底72供给第一气体和第二气体。不将第一气体和第二气体的种类具体化。然而，第一气体例如为先驱，而第二气体例如为反应气体。
[0042]现将描述比较例以有利于理解本发明的特征。图7为根据比较例的膜形成装置的剖面图。比较例中的膜形成装置不同于根据第一实施例的膜形成装置之处在于第二上壁32的在竖直方向上的高度是恒定的。
[0043]图8示出了指示在根据比较例的膜形成装置中、在第二吹扫期间的第二气体的浓度的模拟结果。第二吹扫期间在O时刻开始。标记r (第二空腔)代表与图7中的第二空腔30d的中心(由虚线标示的部分)的距离。0.0Om处的r (第二空腔)点标明第二空腔30d的位于基底72的中心的正上方的位置。0.15mm处的r (第二空腔)点标明第二空腔30d的位于基底72的最外边缘的正上方的位置。在图7中，标示了与r (第二空腔)值0.00、
0.05,0.10，以及0.15 (m)对应的地点。如能够从图8理解的，通过增加r (第二空腔)值第二气体变得越难以排放。即，在第二空腔30d的靠外区域难以吹扫第二气体。
[0044]标记r (基底)代表与基底正上方的中心(虚线标示的部分)的距离。距离r (基底)标示在图7中。0.0Om处的r (基底)点标明基底72的中心正上方的位置。0.15m处的r (基底)点标明基底72的外边缘正上方的位置。如能够从图8理解的，在与r (基底)0.15m对应的位置处的第二气体的吹扫是迟缓的。在与r (基底)0.15m对应的位置处的第二气体的吹扫迟缓的原因被认为是因为在与r (第二空腔)值0.15m对应的位置处的吹扫是迟缓的。因此，根据比较例的膜形成装置具有气体通道不能被快速吹扫的问题。
[0045]相反地，在根据本发明的第一实施例的膜形成装置中，第二通道30在第二吹扫期间能够被快速地吹扫。将会参照图9和图10作出关于此的说明。图9为示出了模拟第二气体的浓度所处的位置的图解。图10示出了第二气体的浓度在图9中标示的点处的改变的模拟结果。
[0046]如能够从图10理解的，在第二空腔30b的边缘位置(在与r (第二空腔)0.15m对应的位置)第二气体被吹扫大约0.2秒的期间。同样地，无论r (基底)的数值是多少在基底正上方都能够快速地执行吹扫。因此，增加与第三细孔30a的距离而减小第二上壁32的在竖直方向上的高度使第二通道30能够被快速地吹扫。由于第一空腔20b的形状与第二空腔30b的形状相同，所以第一通道20也能够被快速地吹扫。
[0047]第一细孔20a形成在第一上壁22中位于基座70的中心正上方的位置。因此，从第一细孔20a供给的第一气体在第一空腔20b中沿径向扩散。增加与第一细孔20a的距离而减小第一上壁22的在竖直方向上的高度使第一气体在第一空腔20b中能够容易地沿径向扩散。结果，气体能够容易地到达第一空腔20b的外缘部分，因此使第一通道20能够被快速地吹扫。
[0048]第三细孔30a形成在第二上壁32中位于基座70的中心正上方的位置。因此，从第三细孔30a供给的第二气体在第二空腔30b中沿径向扩散。增加与第三细孔30a的距离而减小第二上壁32的在竖直方向上的高度使第二气体在第二空腔30b中能够容易地沿径向扩散。结果，气体能够容易地到达第二空腔30b的外缘部分，因此使第二通道30能够被快速地吹扫。
[0049]设置在基座70上方的莲蓬式喷头10能够被以各种方式改变。例如，第二细孔20c与第四细孔30c可以是狭缝，而不限于圆孔。惰性气体不限于氮气。惰性气体可以替换为例如氩气。
[0050]这些改变根据需要也能够应用于下述实施例。根据下述实施例的膜形成装置具有多个与第一实施例的共同特征，并因此将主要针对与第一实施例的不同点进行描述。
[0051]第二实施例
[0052]图11为根据本发明第二实施例的膜形成装置的剖面图。设置有与第一实施例的第一通道相同的第一通道。第二通道100包括第三细孔100a、第二空腔10b以及多个第四细孔100c。第三细孔10a为形成在中间板14和上板16中并且在竖直方向上直地延伸的细孔。而且，第三细孔10a贯穿形成在第一空腔20b中的圆柱20p而延伸。多个第三细孔10a形成在形成有第四细孔10c的区域的中心正上方的位置与形成有第四细孔10c的区域的外边缘正上方的位置之间。图11示出了一对第三细孔100a。
[0053]第二空腔10b为被第二上壁102和第二下壁104包围的区域。第二上壁102的在竖直方向上的高度随着与第三细孔10a的距离的增加而减小，以便第二上壁102的在竖直方向上的高度在基底72的中心正上方的位置和基底72的外边缘正上方的位置处减为最小。第二下壁104的在竖直方向上的高度是恒定的。
[0054]根据第二实施例的构造，像在根据第一实施例的膜形成装置中那样，气体流道能够被快速地吹扫。第三细孔10a仅由形成在中间板14和上板16中的直孔构成。因此，无需形成诸如第一实施例中的第三细孔30a的复杂的孔。第三细孔10a的数量不限于任何特别的数量，只要是多个即可。
[0055]第三实施例
[0056]图12为根据本发明第三实施例的膜形成装置的剖面图。设置有与第一实施例的第一通道相同的第一通道。第二通道150包括第三细孔150a、第二空腔150b以及多个第四细孔150c。第三细孔150a为形成在基板12中的细孔。
[0057]第二空腔150b为被第二上壁152和第二下壁154包围的区域。第三细孔150a形成在第二上壁152的边缘部。由于第三细孔150a，提供了从莲蓬式喷头的上表面的边缘部至第二空腔150b的流道。图12示出了一对第三细孔150a。
[0058]第二上壁152的在竖直方向上的高度随着与第三细孔150a的距离的增加而减小。结果，第二上壁152的在竖直方向上的高度在基底72的中心正上方的位置处减为最小。第二下壁154的在竖直方向上的高度是恒定的。
[0059]根据第三实施例的构造，像在根据第一实施例的膜形成装置中那样，气体流道能够被快速地吹扫。第三细孔150a仅由提供外部与第二空腔150b之间的连通的直孔构成。因此，无需形成诸如第一实施例中的第三细孔30a的复杂的孔。第三细孔150a的数量不限于任何特别的数量，只要是多个即可。
[0060]根据本发明，形成有气体在其中能够容易地沿水平方向扩散的流道，以便流道能够被气体快速地吹扫。
[0061]显然鉴于上述教导能够实现本发明的许多改变和变化。因此能够理解除具体描述的实施例外，本发明可在所附的权利要求书的范围内实行。
【主权项】
1.一种膜形成装置包括: 基座；以及 莲蓬式喷头，其设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道， 其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头； 所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小； 所述第一下壁的在竖直方向上的高度是恒定的； 所述第二通道通过设置有被第二上壁和第二下壁包围并水平延伸的第二空腔、形成在所述第二上壁中的第三细孔以及形成在所述第二下壁中的多个第四细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头； 所述第二上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第三细孔的距离的增加而减小； 所述第二下壁的在竖直方向上的高度是恒定的。2.根据权利要求1所述的膜形成装置，其中所述第一细孔形成在所述第一上壁的位于所述基座的中心的正上方处，并且 其中所述第三细孔形成在所述第二上壁的位于所述基座的中心的正上方处。3.根据权利要求1或2所述的膜形成装置，其中从所述莲蓬式喷头的上表面的中心至所述第一空腔的流道被设置为所述第一细孔，并且 其中从所述莲蓬式喷头的上表面的边缘位置至所述第二空腔的流道被设置为所述第三细孔。4.根据权利要求1所述的膜形成装置，其中多个所述第三细孔形成在形成有所述第四细孔的区域的中心正上方的位置与形成有所述第四细孔的区域的外边缘正上方的位置之间。5.根据权利要求4所述的膜形成装置，其中所述第三细孔在竖直方向上延伸。6.根据权利要求1所述的膜形成装置，其中所述第三细孔形成在所述第二上壁的边缘部，并且 其中从所述莲蓬式喷头的上表面的边缘位置至所述第二空腔的流道被设置为所述第三细孔。7.根据权利要求1、2以及4至6中任一项所述的膜形成装置，还包括排放管道，通过所述排放管道，经由所述第一细孔、所述第一空腔以及所述多个第二细孔或者经由所述第三细孔、所述第二空腔以及所述多个第四细孔供给到所述基座上并且向外扩散至所述基座的外边缘以外的气体被排放，并且所述排放管道具有包围所述莲蓬式喷头和所述基座的形状。8.根据权利要求1、2以及4至6中任一项所述的膜形成装置，还包括控制器，所述控制器通过向所述第一细孔供给第一气体而将所述第一气体供给到所述基座上， 所述控制器通过向所述第一细孔供给惰性气体而吹扫所述第一气体的所述第一通道， 所述控制器通过向所述第三细孔供给第二气体而将所述第二气体供给到所述基座上，并且 所述控制器通过向所述第三细孔供给惰性气体而吹扫所述第二气体的所述第二通道。9.根据权利要求1、2以及4至6中任一项所述的膜形成装置，其中所述第二细孔与所述第四细孔为圆孔。10.根据权利要求1、2以及4至6中任一项所述的膜形成装置，其中所述基座具有使具有等于或者大于300mm的直径的晶圆安装在所述基座上的尺寸。
【专利摘要】膜形成装置包括基座和莲蓬式喷头，所述莲蓬式喷头设置在所述基座的上方并且具有形成在其中的第一通道和独立于所述第一通道的第二通道，其中所述第一通道通过设置有被第一上壁和第一下壁包围并且水平延伸的第一空腔、形成在所述第一上壁中的第一细孔以及形成在所述第一下壁中的多个第二细孔而形成为贯穿所述莲蓬式喷头，所述第一上壁的在竖直方向上的高度随着与所述第一细孔的距离的增加而减小，并且所述第二通道以与所述第一通道相同的方式形成。
【IPC分类】C23C16/455
【公开号】CN105648421
【申请号】
【发明人】辻直人, 佐藤和男, 山岸孝幸
【申请人】Asm Ip 控股有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年10月26日