双面光刻机第一对位标记300可以确定步进式光刻机对位标记200的位置。
[0034]确定到步进式光刻机对位标记200的位置的有益效果是，可以在后续的步骤中，通过步进式光刻机对位标记200再确定第一图形100的位置，从而制作出和第一图形100位置对应的第二图形700。采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片10的步进式光刻对位标记200，然后直接使用步进式光刻机对第二基片20进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于上下基片(第一基片10和第二基片20)表面的图形(第一图形100和第二图形700)的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。具体通过以下实施例来说明。
[0035]图5是另一实施例体硅微加工工艺的定位方法的流程图。
[0036]—种体娃微加工工艺的定位方法，包括步骤:
[0037]步骤SllO:在第一基片10的正面制作第一图形100、定位第一图形100的步进式光刻机对位标记200和定位步进式光刻机对位标记200的双面光刻机第一对位标记300。第一基片10可以是硅片。制作第一图形100，制作能定位第一图形100的步进式光刻机对位标记200，制作能定位步进式光刻机对位标记200的双面光刻机第一对位标记300。SP，根据步进式光刻机对位标记200就能确定第一图形100的位置，根据双面光刻机第一对位标记300就能确定步进式光刻机对位标记200的位置。步进式光刻机对位标记200应该有多个，优选为至少为5个，以保证较高的对位精度。双面光刻机第一对位标记300至少为两个，以保证较高的对位精度。
[0038]步骤S120:在第一基片10的背面制作与双面光刻机第一对位标记300对应的双面光刻机第二对位标记400。这里的对应为位置对应，即第一基片10正面的双面光刻机第一对位标记300和背面的双面光刻机第二对位标记400位置对应，如图2。
[0039]步骤S130:在第一基片10正面键合第二基片20。第二基片20和第一基片10材质可以一样同是娃片。
[0040]步骤S140:对第二基片20进行正面减薄。正面减薄以减薄到器件所需厚度。
[0041]步骤S150:在第二基片20的正面制作与双面光刻机第二对位标记400对应的双面光刻机第三对位标记500。使用双面光刻机通过第一基片10背面的双面光刻机第二对位标记400在在第二基片20的正面制作与双面光刻机第二对位标记400对应的双面光刻机第三对位标记500。这里的对应也为位置对应，即第二基片20正面的双面光刻机第三对位标记500和第一基片10背面的双面光刻机第二对位标记400位置对应，如图3。
[0042]步骤S160:通过双面光刻机第三对位标记500在第二基片20正面找到步进式光刻机对位标记200的对应位置。具体原理是，根据双面光刻机第三对位标记500可以确定双面光刻机第二对位标记400的位置，再根据双面光刻机第二对位标记400可以确定双面光刻机第一对位标记300的位置，然后根据双面光刻机第一对位标记300可以确定步进式光刻机对位标记200的位置。
[0043]步骤S170:在第二基片20的正面步进式光刻机对位标记200的对应位置制作凹部600，以暴露第一基片10正面的步进式光刻机对位标记200。将第二基片20的正面步进式光刻机对位标记200的对应位置的基片清除，以暴露出第二基片20下的步进式光刻机对位标记200。清除的方法可以利用步进式光刻机通过刻蚀工艺进行，例如干法刻蚀或者湿法腐蚀。
[0044]步骤S180:通过步进式光刻机对位标记200在第二基片20正面找到第一图形100的对应位置，并在第一图形100的对应位置制作第二图形700。由于根据步进式光刻机对位标记200就能确定第一图形100的位置，因此通过步进式光刻机对位标记200在第二基片20上制作的第二图形700也就能和第一基片10上的第一图形100位置对应，实现精确对位。图4是在第二基片制作了凹部和第二图形后的示意图，见图4。
[0045]上述体娃微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。步进式光刻机是集精密光学、精密机械、自动控制于一体的超精密光机电系统，对位精度可做到小于0.5微米，因而体硅微加工工艺的对位精度可以做到小于0.5微米。
[0046]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种体娃微加工工艺的定位方法，其特征在于，包括步骤: 在第一基片的正面制作第一图形、定位所述第一图形的步进式光刻机对位标记、定位所述步进式光刻机对位标记的双面光刻机第一对位标记； 在第一基片的背面制作与双面光刻机第一对位标记对应的双面光刻机第二对位标记； 在第一基片正面键合第二基片； 对第二基片进行正面减薄； 在第二基片的正面制作与双面光刻机第二对位标记对应的双面光刻机第三对位标记； 通过双面光刻机第三对位标记在第二基片正面找到所述步进式光刻机对位标记的对应位置。2.根据权利要求1所述的体硅微加工工艺的定位方法，其特征在于，还包括步骤:在第二基片的正面所述步进式光刻机对位标记的对应位置制作凹部，以暴露第一基片正面的所述步进式光刻机对位标记。3.根据权利要求2所述的体硅微加工工艺的定位方法，其特征在于，还包括步骤:通过所述步进式光刻机对位标记在第二基片正面找到第一图形的对应位置，并在第一图形的对应位置制作第二图形。4.根据权利要求2所述的体娃微加工工艺的定位方法，其特征在于，制作所述凹部的方法包括刻蚀工艺。5.根据权利要求4所述的体硅微加工工艺的定位方法，其特征在于，利用步进式光刻机制作所述凹部。6.根据权利要求1所述的体硅微加工工艺的定位方法，其特征在于，所述步进式光刻机对位标记至少为5个。7.根据权利要求1所述的体硅微加工工艺的定位方法，其特征在于，所述双面光刻机第一对位标记至少为两个。
【专利摘要】一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。
【IPC分类】B81C1/00
【公开号】CN105645347
【申请号】
【发明人】荆二荣
【申请人】无锡华润上华半导体有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2014年11月18日