池进行絮凝沉淀，所投加絮凝剂为聚丙烯酰胺，絮凝剂投加量为20 ppm，澄清池结构形式采用机械加速澄清池。然后经由PP棉、颗粒活性炭组成的保安过滤器去除废水中的细小悬浮物、微生物等杂质以保护膜组件，滤芯采用烧结滤管，最后通过增压栗增压后进入高频振动膜分离系统(参见申请号:201310690242.3中国专利文献)分离去除残余的细菌、胶体以及溶解性电解质等杂质，膜分离系统膜分离组件采用反渗透平板膜，工作温度为常温，工作压力为6MPa。最后得到净化水，浓缩液部分回流进入催化电解器，其中的氯化钠电解质实现循环利用。
[0037]经上述腈纶废水深度处理装置处理后所得净化水的水质指标如下=CODc1^ 15.7mg/L, NH3-N 4.3 mg/L, BOD5 1.9 mg/L, pH 7.16，三项有毒有害特征污染物CN、丙烯腈(AN)、DMF均未检出。另外，反渗透浓缩液中氯化钠电解质回收率为96.1%。
[0038]实施例2。
[0039]腈纶废水深度处理装置进水为经传统生化处理技术处理后的腈纶废水，其水质指标如下:CODcr 69.4 mg/L、NH3-N 23.8 mg/L、BOD5 8.4 mg/L、pH 7.02、CN 0.22 mg/L、丙烯腈(AN) 0.29 mg/L、DMF 5.2 mg/L。
[0040]如图1所示，首先在混合槽将装置进水与氯化钠电解质均匀混合，使废水中的氯化钠质量浓度保持在0.4%，并通过供水栗将其打入催化电解器，催化电解器阳极材料为纳米催化惰性电极，基板为钛板，表层涂覆晶粒为20nm的贵金属氧化物涂层，阴极材料为石墨，阳极和阴极均为平板状电极，相邻两极板的工作电压为12 V，电流密度为160 mA/cm2,废水在催化电解器中的停留时间为45min。电解后出水进入澄清池进行絮凝沉淀，所投加絮凝剂为聚合氯化铝，絮凝剂投加量为30ppm，澄清池结构形式采用机械加速澄清池。然后经由石英砂、颗粒活性炭、烧结活性炭组成的保安过滤器去除废水中的细小悬浮物、微生物等杂质以保护膜组件，滤芯采用熔喷式纤维滤芯，最后通过增压栗增压后进入膜分离系统分离去除残余的细菌、胶体以及溶解性电解质等杂质，膜分离系统膜分离组件采用反渗透中空纤维膜，工作温度为30°C，工作压力为6MPa。最后得到净化水，浓缩液回流部分进入催化电解器，其中的氯化钠电解质实现循环利用。
[0041]经上述腈纶废水深度处理装置处理后所得净化水的水质指标如下:C0Da 21.5mg/L, NH3-N 4.2 mg/L, BOD5 2.2 mg/L, pH 7.15，三项有毒有害特征污染物CN、丙烯腈(AN), DMF均未检出。另外，反渗透浓缩液中氯化钠电解质回收率为95.4%。
[0042]实施例3。
[0043]腈纶废水深度处理装置进水为经传统生化处理技术处理后的腈纶废水，其水质指标如下:CODcr 84.2 mg/L、NH3-N 16.4 mg/L、BOD5 4.8 mg/L、pH 7.10、CN 0.18 mg/L、丙稀臆(AN) 0.43 mg/L、DMF 5.0 mg/L。
[0044]如图1所示，首先在混合槽将装置进水与氯化钠电解质均匀混合，使废水中的氯化钠质量浓度保持在1.2 %，并通过供水栗将其打入催化电解器，催化电解器阳极材料为纳米催化惰性电极，基板为塑料板，表层涂覆晶粒为30 nm的贵金属氧化物涂层，阴极材料为铁板，阳极和阴极均为圆弧状电极，相邻两极板的工作电压为15 V，电流密度为120 mA/cm2，废水在催化电解器中的停留时间为60 min。电解后出水进入澄清池进行絮凝沉淀，所投加絮凝剂为聚丙烯酰胺，絮凝剂投加量为15 ppm，澄清池结构形式采用脉冲澄清池。然后经由PP棉、石英砂、烧结活性炭组成的保安过滤器去除废水中的细小悬浮物、微生物等杂质以保护膜组件，滤芯采用蜂房滤芯，最后通过增压栗增压后进入高频振动膜分离系统(参见申请号:201310690242.3中国专利文献)分离去除残余的细菌、胶体以及溶解性电解质等杂质，膜分离系统膜分离组件采用反渗透平板膜，工作温度为30 °C，工作压力为8MPa。最后得到净化水，浓缩液部分回流进入催化电解系统，其中的氯化钠电解质实现循环利用。
[0045]经上述腈纶废水深度处理装置处理后所得净化水的水质指标如下=CODc1^ 14.3mg/L, NH3-N 3.8 mg/L, BOD5 2.0 mg/L, pH 7.19，三项有毒有害特征污染物CN、丙烯腈(AN)、DMF均未检出。另外，反渗透浓缩液中氯化钠电解质回收率为95.6%。
[0046]实施例4。
[0047]腈纶废水深度处理装置进水为经传统生化处理技术处理后的腈纶废水，其水质指标如下:CODcr 75.2 mg/L、NH3-N 20.9 mg/L、BOD5 6.4 mg/L、pH 7.06、CN 0.19 mg/L、丙稀臆(AN)0.33 mg/L、DMF 4.8 mg/L。
[0048]如图1所示，首先在混合槽将装置进水与硫酸钠电解质均匀混合，使废水中的硫酸钠质量浓度保持在0.6%，并通过供水栗将其打入催化电解器，催化电解器阳极材料为纳米催化惰性电极，基板为钛板，表层涂覆晶粒为30 nm的贵金属氧化物涂层，阴极材料为铁铝合金，阳极和阴极均为平板状电极，相邻两极板的工作电压为12 V，电流密度为200 mA/cm2，废水在催化电解器中的停留时间为30 min。电解后出水进入澄清池进行絮凝沉淀，所投加絮凝剂为聚丙烯酰胺，絮凝剂投加量为20 ppm，澄清池结构形式采用脉冲澄清池。然后经由PP棉、颗粒活性炭组成的保安过滤器去除废水中的细小悬浮物、微生物等杂质以保护膜组件，滤芯采用蜂房滤芯，最后通过增压栗增压后进入高频振动膜分离系统(参见申请号:201310690242.3中国专利文献)分离去除残余的细菌、胶体以及溶解性电解质等杂质，膜分离系统膜分离组件采用纳滤平板膜，工作温度为常温，工作压力为2 MPa。最后得到净化水，浓缩液部分回流进入催化电解系统，其中的硫酸钠电解质实现循环利用。
[0049]经上述腈纶废水深度处理装置处理后所得净化水的水质指标如下=CODc1^ 24.2mg/L, NH3-N 5.3 mg/L, BOD5 2.6 mg/L, pH 7.14，三项有毒有害特征污染物CN、丙烯腈(AN), DMF均未检出。另外，反渗透浓缩液中氯化钠电解质回收率为97.4%。
[0050]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种腈纶废水深度处理方法，其特征在于，依次包括如下步骤: (1)将腈纶废水在混合槽与电解质均匀混合后，再送至催化电解器进行电解处理； (2)将步骤(I)所得液体送入澄清池进行絮凝沉淀，然后经保安过滤器去除水中杂质； (3)将步骤(2)所得液体送入膜分离组件得到净化水；浓缩液部分回流进入催化电解器。2.如权利要求1所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述催化电解器阳极材料为纳米催化惰性电极；基板为钛板或塑料板；表层涂覆晶粒为10?45nm的贵金属氧化物催化涂层；所述催化电解器阳极为平板状、圆弧状、圆筒状或网状；所述阴极材料为石墨、钛、铁、铝、锌、铜、铅、镍、钼、铬或金属合金；所述阴极为平板状、圆弧状、圆筒状或网状。3.如权利要求2所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述催化电解器相邻两极板的工作电压为5?20V ;电流密度为20?400mA/cm2;废水在催化电解器中的停留时间为 15 ?60mino4.如权利要求3所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述电解质为氯化钠或硫酸钠；废水中的电解质质量浓度保持在0.3%?3.0%。5.如权利要求4所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述澄清池中絮凝剂为明矾、聚合氯化铝、聚合氯化铝铁、聚合硫酸铝、聚硅酸铝铁、聚硅硫酸铝、聚丙烯酰胺、聚丙稀酸钠或聚乙稀亚胺中一种或两种以上的混合物；絮凝剂投加量为5?80ppm。6.如权利要求5所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述保安过滤器的滤芯材料为PP棉、石英砂、颗粒活性炭、烧结活性炭中的一种或两种以上的混合物；所述滤芯采用烧结滤管、熔喷式纤维滤芯或蜂房滤芯。7.如权利要求6所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述膜分离组件采用平板膜、卷式膜、管式膜或中空纤维膜；所述膜分离组件材料采用对氯化钠截留率95%以上的反渗透膜。8.如权利要求6所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述膜分离组件采用平板膜、卷式膜、管式膜或中空纤维膜；所述膜分离组件材料采用对硫酸钠截留率95%以上的纳滤膜。9.如权利要求7或8所述的腈纶废水深度处理方法，其特征在于:所述膜分离组件工作温度为常温至50°C ;工作压力为0.5?lOMPa。
【专利摘要】本发明属石化行业生产废水处理领域，尤其涉及一种腈纶废水深度处理方法，包括如下步骤：（1）将腈纶废水在混合槽与电解质均匀混合后，再送至催化电解器进行电解处理；（2）将步骤（1）所得液体送入澄清池进行絮凝沉淀，然后经保安过滤器去除水中杂质；（3）将步骤（2）所得液体送入膜分离组件得到净化水；浓缩液部分回流进入催化电解器；催化电解器阳极材料为纳米催化惰性电极；基板为钛板或塑料板；表层涂覆晶粒为10～45nm的贵金属氧化物催化涂层；所述阴极为平板状、圆弧状、圆筒状或网状。本发明将催化电解技术、絮凝沉淀技术与膜分离技术有机结合，成本较低，效率较高。
【IPC分类】C02F103/38, C02F9/06
【公开号】CN105174565
【申请号】
【发明人】李长波, 赵国峥, 张强, 白金, 姜虎生
【申请人】辽宁石油化工大学
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年10月13日