一种Ka波段发射组件的利记博彩app

本实用新型涉及微波通信技术领域，特别是一种Ka波段发射组件。

背景技术：

随着通信事业尤其是个人移动通信的高速发展,无线电频谱的低端频率已趋饱和，无法满足未来通信发展的需求,因而实现高速、宽带的无线通信势必向微波高端开发新的频谱资源。Ka波段由于其波长短、频带宽、干扰少、设备体积小的特点，可以有效地解决高速宽带无线接入面临的许多问题,因而在短距离通信中有着广泛的应用前景。

传统的Ka波段发射组件由于受工艺水平的制约，一直发射功率不大，工作有用带宽较窄，而且接口繁多，体积庞大，未完全挖掘Ka波段通信优点，传统的Ka波段发射组件中的芯片散热不均匀，也不具有充分接地的优点，因此当前急需一种超宽带、散热均匀和体积小的Ka波段发射组件，以适用于不同应用场合。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足提供一种Ka波段发射组件，本Ka波段发射组件具有结构紧凑，体积小，工作频段宽，输出功率大等优点。

为实现上述技术目的，本实用新型采取的技术方案为：

一种Ka波段发射组件，包括屏蔽盒，所述屏蔽盒包括屏蔽箱体和设置在屏蔽箱体上面的屏蔽门，所述屏蔽门的一侧边与屏蔽箱体铰接，所述屏蔽门的另一侧边与屏蔽箱体卡扣连接，所述屏蔽门的四周设置有一圈凹槽，所述凹槽内设有一层屏蔽密封条，所述屏蔽箱体的上面设置有一圈与凹槽相配合的凸块，所述凸块插入凹槽内从而实现所述屏蔽箱体与屏蔽门的紧密连接，所述屏蔽盒设有内层，所述内层为金或银，所述屏蔽盒的内部设有空腔，所述空腔中设置有基板，所述基板上设置有电源模块电路和微波射频电路，所述电源模块电路包括稳压电路和负压保护电路，所述微波射频电路包括二倍频电路、滤波电路和放大电路；所述屏蔽箱体的左侧设置有射频输入端子，所述屏蔽箱体的右侧设置有射频输出端子、接地端子和电源输入端子，所述滤波电路采用三氧化二铝基板和平行耦合微带线，所述屏蔽盒为金属材质，所述二倍频电路和放大电路均采用MMIC芯片,所述MMIC芯片为裸芯片，所述屏蔽箱体的内表面通过无铅焊料烧结有钼铜底座且钼铜底座位于空腔内，所述MMIC芯片的底部焊盘采用无铅焊料烧结到所述钼铜底座上；

所述接地端子与屏蔽盒电连接，所述电源输入端子与稳压电路电连接，所述稳压电路与负压保护电路电连接，所述负压保护电路分别与二倍频电路和放大电路电连接，所述射频输入端子与二倍频电路电连接，所述二倍频电路与滤波电路电连接，所述滤波电路与放大电路电连接，所述放大电路与射频输出端子电连接。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述电源输入端子采用M3穿心电容。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述射频输入端子采用SMA连接器D550S12F06，射频输出端子采用K连接器D360S12F06。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述电源模块电路的基板采用FR-4环氧板，所述微波射频电路的基板采用罗杰斯5880板。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述接地端子采用M3接地柱且表面镀金。

本实用新型的有益效果为：本实用新型通过屏蔽盒和设在屏蔽盒内部的电源模块电路和微波射频电路实现了体积小，接口少的优点，屏蔽门和屏蔽箱体通过凹槽和凸块以及设置在凹槽和凸块之间的屏蔽密封条达到了屏蔽效果好的优点，为本实用新型最终输出稳定的功率提供了必要的条件；射频输入端子的射频输入信号经二倍频电路提升频率后，有效拓展了射频信道带宽，可以由4.5GHz带宽拓展至9GHz带宽，克服了现有技术工作有用带宽较窄的缺点，通过滤波电路滤除基波及谐杂波后，提升频谱纯度，再通过放大电路放大输出，补偿倍频及滤波电路的增益损失，增益大且输出功率大，从而形成一种工作稳定可靠的Ka波段发射组件；滤波电路利用平行耦合微带线实现，采用极高纯度的三氧化二铝基板，实现通带宽，体积小，便于组装的滤波电路；二倍频电路和放大电路所用MMIC芯片采用无铅焊料并通过无缝烧结技术烧结到钼铜底座，进而烧结到屏蔽盒，即实现了MMIC芯片的充分接地，又达到了良好散热；接地端子采用M3接地柱，并镀金处理，以防氧化；综上所述，本实用新型具有结构紧凑，体积小，工作频段宽，输出功率大，工作稳定可靠等优点。

附图说明

图1所示为本实用新型的电路原理结构示意图。

图2所示为本实用新型的屏蔽盒的结构示意图。

图3所示为本实用新型的MMIC芯片装配示意图。

具体实施方式

下面根据图1至图3对本实用新型的具体实施方式作出进一步说明：

参见图1和图2，一种Ka波段发射组件，包括屏蔽盒1，所述屏蔽盒1包括屏蔽箱体和设置在屏蔽箱体上面的屏蔽门，所述屏蔽门的一侧边与屏蔽箱体铰接，所述屏蔽门的另一侧边与屏蔽箱体卡扣连接，所述屏蔽门的四周设置有一圈凹槽，所述凹槽内设有一层屏蔽密封条，所述屏蔽箱体的上面设置有一圈与凹槽相配合的凸块，所述凸块插入凹槽内从而实现所述屏蔽箱体与屏蔽门的紧密连接，所述屏蔽盒1设有内层，所述内层为金或银，所述屏蔽盒1的内部设有空腔2，所述空腔2中设置有基板，所述基板上设置有电源模块电路和微波射频电路，所述电源模块电路包括稳压电路和负压保护电路，所述微波射频电路包括二倍频电路、滤波电路和放大电路；所述屏蔽箱体的左侧设置有射频输入端子3，所述屏蔽箱体的右侧设置有射频输出端子4、接地端子6和电源输入端子5，所述滤波电路采用三氧化二铝基板和平行耦合微带线，所述屏蔽盒1为金属材质，所述接地端子6与屏蔽盒1电连接从而实现了屏蔽盒1的接地，所述电源输入端子5与稳压电路电连接，所述稳压电路与负压保护电路电连接，所述负压保护电路分别与二倍频电路和放大电路电连接，所述射频输入端子3与二倍频电路电连接，所述二倍频电路与滤波电路电连接，所述滤波电路与放大电路电连接，所述放大电路与射频输出端子4电连接；所述二倍频电路和放大电路均采用50欧姆匹配的MMIC芯片7,所述MMIC芯片7为裸芯片；参见图3，所述屏蔽箱体的内表面采用无铅焊料8并通过无缝烧结技术烧结有钼铜底座9且钼铜底座9位于空腔2内，所述MMIC芯片7的底部焊盘采用无铅焊料8并通过无缝烧结技术烧结到所述钼铜底座9上。钼铜底座9与屏蔽盒1的连接即实现了MMIC芯片7的充分接地，又达到了良好散热，所述钼铜底座9的厚度为0.8cm 。

本实施例中，所述电源输入端子5采用M3穿心电容。

本实施例中，所述射频输入端子3采用SMA连接器D550S12F06，射频输出端子4采用K连接器D360S12F06。

本实施例中，所述电源模块电路的基板采用FR-4环氧板，所述微波射频电路的基板采用罗杰斯5880板。

本实施例中，所述接地端子6采用M3接地柱，并镀金处理，以防氧化。

本实用新型在工作时，直流输入电压信号（DC IN）通过电源输入端子5接入电源模块电路，经电源模块电路的稳压电路的稳压和负压保护电路的负压保护后，给二倍频电路和放大电路提供电能，射频输入信号(RF IN)通过射频输入端子3接入微波射频电路的二倍频电路中，二倍频电路提升频率后，经滤波电路滤除基波及其他谐杂波，最后经放大电路放大后通过射频输出端子4输出有用信号(RF OUT)。

本实用新型通过屏蔽盒和设在屏蔽盒内部的电源模块电路和微波射频电路实现了体积小，接口少的优点，屏蔽门和屏蔽箱体通过凹槽和凸块以及设置在凹槽和凸块之间的屏蔽密封条达到了屏蔽效果好的优点，为本实用新型最终输出稳定的功率提供了必要的条件；本实用新型的射频输入端子3的射频输入信号经二倍频电路提升频率后，有效拓展了射频信道带宽，可以由4.5GHz带宽拓展至9GHz带宽，克服了现有技术工作有用带宽较窄的缺点，通过滤波电路滤除基波及谐杂波后，提升频谱纯度，再通过放大电路放大输出，补偿倍频及滤波电路的增益损失，增益大，从而形成一种工作稳定可靠的Ka波段发射组件；滤波电路利用平行耦合微带线实现，采用极高纯度的三氧化二铝基板，最终实现通带宽，体积小，便于组装的滤波电路；二倍频电路和放大电路所用MMIC芯片7采用无铅焊料8并通过无缝烧结技术烧结到钼铜底座9，进而烧结到屏蔽盒1，即实现了MMIC芯片7的充分接地，又达到了良好散热；综上所述，本实用新型具有结构紧凑，体积小，工作频段宽，工作稳定可靠等优点。

经实践证明，利用本实施例的Ka波段发射组件可实现以下技术指标：

(1)、工作温度：-40℃～+55℃；

(2)、存储温度：-55℃～+70℃；

(3)、输入信号频率： 14 ～18.5GHz；

(4)、输出信号频率： 28 ～37GHz；

(5)、输入功率：0±1.5dBm；

(6)、输出功率：≥20dBm＆（28～37GHz）；

(7)、杂散抑制：≤-60dBc。

本实用新型的保护范围包括但不限于以上实施方式，本实用新型的保护范围以权利要求书为准，任何对本技术做出的本领域的技术人员容易想到的替换、变形、改进均落入本实用新型的保护范围。