一种基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及高功率微波电磁防护的技术领域，尤其设及一种基于双层截止圆 波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构。
【背景技术】
[0002] 高功率微波化i曲-PowerMicrowave,HPM)是一种功率峰值大于IOOMW的微波电 磁脉冲，主要应用于电子战的定向能电磁武器中。其工作原理为利用高增益的定向天线将 高功率微波源所产生的高功率微波能福射出去，通过高强度照射目标的方式，达到杀伤敌 方人员和破坏电子设备的目的。高功率微波对电子、电路系统进行毁伤破坏主要分为收集、 禪合及毁伤=个阶段。高功率微波将高功率微波能量禪合到系统内部，通过传导或者福射 的方式禪合到电子线路中，形成感应电压和感应电流，当能量大到一定程度时将会造成毁 伤性破坏。
[0003] 随着高功率微波技术的发展W及在军事上的逐渐应用，越来越多的国家意识到只 有拥有了足够强大的针对高功率微波武器的防护能力，才能够避免其它国家的高功率微波 武器对自己的打击及破坏。因此开展高功率微波防护方面的研究具有重要的战略意义。
[0004] 高功率微波禪合进入到系统内部主要有两种路径：一是"前口"禪合，即经过系统 的天线禪合到系统内部；二是"后口 "禪合，即经过系统外壳机箱上的孔缝等禪合到系统内 部。而对于电子、电路系统，其孔缝是不可避免存在的，例如表面的焊接缝、用于通风散热或 者通信的孔缝等等。为了防止孔缝禪合，现有技术一般采用金属丝网和单层截止圆波导阵 列金属板等结构。单层或双层金属丝网的使用频率不超过lOOMHz，屏蔽效能小于120地，而 单层截止圆波导阵列金属板的厚度较厚，很难实现轻量化。因此在高功率微波的防护中应 用受到限制。 阳0化]根据屏蔽原理，采用基于双层截止圆波导阵列的金属网/膜结构可满足对高功率 微波宽频带、高屏蔽效能的防护要求。基于双层截止圆波导阵列的金属网/膜结构可通过 截止圆波导的衰减特性对高功率微波进行双层屏蔽。改变高功率微波的频率、圆形阵列网/ 膜的直径、截止圆波导单元的直径、相邻截止圆波导中屯、之间的距离、每层阵列金属网/膜 的厚度、两层阵列金属网/膜的间距、第一层截止圆波导中屯、位置和相邻第二层截止圆波 导中屯、位置之间的距离和夹角角度W及金属网/膜的材料等就可改变其屏蔽效能，实现对 高功率微波的电磁防护目标。 【实用新型内容】
[0006] 本实用新型的目的是针对现有技术的不足而提供的一种基于双层截止圆波导阵 列金属网/膜的电磁屏蔽结构，该结构成本低、重量轻、频带宽、屏蔽效能高，能很好地实现 对高功率微波的电磁防护。
[0007] 本实用新型提出了一种基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构，包 括：截止圆波导单元和截止圆波导阵列金属结构；其中，所述截止圆波导阵列金属结构由 第一截止圆波导阵列金属网和第二截止圆波导阵列金属网组成，或由第一截止圆波导阵列 金属网和金属膜组成；所述截止圆波导单元设置在所述第一截止圆波导阵列金属网和所述 第二截止圆波导阵列金属网上；所述第一截止圆波导阵列金属网和所述第二截止圆波导阵 列金属网上的所述截止圆波导单元同位或错位排列。
[0008] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 电磁屏蔽结构的直径为10cm-20cm。
[0009] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 截止圆波导单元的直径为0.Imm-lmm，所述电磁屏蔽结构的频率范围为0. 3GHZ-5GHZ。
[0010] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，相邻 的所述截止圆波导单元中屯、位置之间的距离为2. 5mm-5mm。
[0011] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 第一截止圆波导阵列金属网和所述第二截止圆波导阵列金属网的厚度为0.Imm-O. 4mm，两 层的间距为0. 5mm-2. 5mm。
[0012] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 第一截止圆波导阵列金属网和所述第二截止圆波导阵列金属网上的所述截止圆波导单元 错位排列时，两层金属网上相邻的所述截止圆波导单元中屯、位置之间的连线与水平线的夹 角为30-60°
[0013] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 金属膜的厚度为15Jim-0. 3mm，所述第一截止圆波导阵列金属网和所述金属膜之间的间距 为 0. 0mm。
[0014] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 截止圆波导阵列金属结构的材质为铜或侣。
[0015] 本实用新型提出的基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构中，所述 第一截止圆波导阵列金属网和所述第二截止圆波导阵列金属网上的所述截止圆波导单元 错位排列时的屏蔽效能为：
[0017]式中，SEdB为单层截止圆波导阵列金属网的屏蔽效能，rt为单层屏蔽体内X=t 位置处的反射系数，h为所述第一截止圆波导阵列金属网和所述第二截止圆波导阵列金属 网的间距；
[0018] 式中，Kd为屏蔽效能的修正系数，其公式为：
[0019] Kd=201g技（I)Y(目）];
[0020] 式中，X(I)为所述第一截止圆波导阵列金属网和所述第二截止圆波导阵列金属网 上相邻的所述截止圆波导单元中屯、位置之间的距离的函数；Y( 0)为所述第一截止圆波导 阵列金属网和所述第二截止圆波导阵列金属网上相邻的所述截止圆波导单元中屯、位置处 的夹角角度的函数。
[0021] 本实用新型基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构可对入射的高 功率微波进行大幅度衰减，实现宽频带的电磁屏蔽。
[0022] 本实用新型基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构通过系统圆周 边缘固定。
[0023] 本实用新型提供的基于双层截止圆波导阵列的金属网/膜结构是一个实现高功 率微波防护的电磁屏蔽结构。当高功率微波入射时，截止圆波导对入射功率进行衰减；基于 截止圆波导阵列的金属网/膜结构通过吸收损耗、反射损耗和多次反射损耗W及修正系数 等提高电磁屏蔽性能；双层截止圆波导阵列的金属网/膜使屏蔽结构的等效厚度减小，可 减轻屏蔽结构的重量，第二层金属膜的使用使屏蔽结构的重量进一步减小；改变双层截止 圆波导阵列的金属网/膜之间的距离可改变双层防护的屏蔽效能；双层孔阵错位排列可通 过选择合适的距离和夹角使屏蔽效能最大。截止圆波导孔径越小，相邻截止圆波导的间距 越大，基于双层截止圆波导阵列的金属网/膜结构的屏蔽效能越高。
[0024] 本实用新型优点是成本低、重量轻、频带宽、屏蔽效能高，能很好地实现对高功率 微波的电磁防护。双层截止圆波导阵列的金属网/膜实现屏蔽结构的轻量化；截止圆波导 及其阵列实现屏蔽结构的宽频带；双层孔阵及错位排列增大屏蔽结构的屏蔽效能，实现对 高功率微波的有效电磁防护。
【附图说明】
[00巧]图1为本实用新型基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电磁屏蔽结构的示意 图。
[00%] 图2为实施例1中截止圆波导阵列金属结构的结构示意图。
[0027] 图3为实施例1中截止圆波导阵列金属结构的纵剖截面图。
[0028] 图4为实施例2中截止圆波导阵列金属结构的结构示意图。
[0029] 图5为实施例2中截止圆波导阵列金属结构的纵剖截面图。
【具体实施方式】
[0030] 结合W下具体实施例和附图，对本实用新型作进一步的详细说明。实施本实用新 型的过程、条件、实验方法等，除W下专口提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知 常识，本实用新型没有特别限制内容。
[0031] 如图1-5所示，本实用新型提出了一种基于双层截止圆波导阵列金属网/膜的电 磁屏蔽结构，包括：截止圆波导单元1和截止圆波导阵列金属结构2。
[0032] 本实用新型中，截止圆波导阵列金属结构2由第一截止圆波导阵列金属网21和第 二截止圆波导阵列金属网22组成，或由第一截止圆波导阵列金属网21和金属膜23组成。 截止圆波导单元1设置在第一截止圆波导阵列金属网21和第二截止圆波导阵列金属网22 上。
[0033] 本实用新型中，第一截止圆波导阵列金属网21和第二截止圆波导阵列金属网22 上的截止圆波导单元1同位或错位排列。
[0034] 本实用新型中，电磁屏蔽结构的直径为10cm-20cm。
[0035] 本实用新型中，截止圆波导单元1的直径为0.Imm-lmm，电磁屏蔽结构的频率范围 为0. 3細Z-5細Z。
[0036] 本实用新型中，相邻的截止圆波导单元1中屯、位置之间的距离为2. 5mm-5mm。 阳037] 本实用新型中，第一截止圆波导阵列金属网21和第二截止圆波导阵列金属网22 的厚度为0.Imm-Q- 4mm，两层的间距为0. 5mm-2. 5mm。
[0038] 本实用新型中，第一截止圆波导阵列金属网21和第二截止圆波导阵列金属网22 上的截止圆波导单元1错位排列时，两层金属网上的截止圆波导单元1中屯、位置之间的距 离为