一种等离子体处理装置中的电路结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及等离子体处理装置技术领域，具体涉及一种等离子体处理装置中的电路结构。
【背景技术】
[0002]在现有的等离子体处理装置中，其电路结构常用的电极连接方式有2种:一种是上电极接地，下电极与射频电源相连接，在这种电极连接方式中，由于上下电极始终保持电压差，等离子体处理装置中的等离子体在该电压差作用下对下电极上的待处理物的轰击作用较大，可用于移除待处理物表面原子或原子团，因此这种电极连接方式常见于等离子体刻蚀设备、等离子体物理清洗设备和等离子体溅射设备等中；另一种是下电极接地，上电极与射频电源相连接，在这种电极连接方式中，由于下电极接地，等离子体处理装置中的等离子体对下电极上的待处理物的轰击作用较小，因此，这种电极连接方式常见于等离子体化学气相沉积设备、等离子体化学清洗设备等中。
[0003]而在等离子体处理工艺过程中，往往需要既能够对待处理物表面进行预处理，又能够在在待处理物体表面沉积预定的材料。例如，在材料沉积工艺中，需要对待处理物表面行预处理，为了达到较好的预处理效果，需要提供较大的离子轰击能量，改善基底表面材料的特性，提高表面结合力、提高材料沉积的质量。而在材料沉积过程中需要减小等离子轰击能量。现有的等离子体处理设备为了能够满足上述需要通常通过设置多个不同频率的射频源，通过对射频源的调节来调节离子的轰击能量，这大大增加了等离子体处理设备的成本和复杂程度。
【实用新型内容】
[0004]为解决上述技术问题，本申请提供一种等离子体处理装置中的电路结构，以使等离子体处理装置既可以在需要对待处理物表面进行预处理时提供较大的离子轰击能量，又能够在对待处理物表面进行材料沉积时减小等离子体轰击能量。该等离子体处理装置结构简单而且相对于现有的等离子体处理装置降低了成本。
[0005]本实用新型提供一种等离子体处理装置中的电路结构，该等离子体处理装置中的电路结构包括上电极组、下电极组、第一开关和第二开关。上电极组包括至少一个上电极。下电极组包括至少一个下电极。下电极组的下电极支撑被处理物体。上电极组通过第一开关接地。下电极组通过第二开关接地。
[0006]根据本实用新型的一个方面，上电极组包括至少两个上电极，各个上电极之间相互并联。下电极组包括至少两个下电极，各个下电极之间相互并联。
[0007]根据本实用新型的一个方面，上电极组的上电极与相邻的下电极组的下电极相对。
[0008]根据本实用新型的一个方面，等离子体处理装置中的电路结构还包括变压器。上电极组和下电极组通过所述变压器与电源连接。上电极组和下电极组分别连接变压器的两个输出端。
[0009]根据本实用新型的一个方面，在对被处理物体进行预处理的情况下，第一开关闭合并且第二开关断开，上电极组接地，以增加等离子体的轰击能量。
[0010]根据本实用新型的一个方面，在对被处理物体进行材料沉积的情况下，第一开关断开并且第二开关闭合时，下电极组接地，以降低等离子体的轰击能量。
[0011]根据本实用新型的一个方面，第一开关和第二开关断开时，上电极组的上电极与所述下电极组的下电极的电压绝对值相等，相位相反。
[0012]具有根据本实用新型的电路结构的等离子体处理装置既可以在需要对待处理物表面进行预处理时提供较大的离子轰击能量，又能够在对待处理物表面进行材料沉积时减小等离子体轰击能量。该等离子体处理装置结构简单而且相对于现有的等离子体处理装置降低了成本。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，并不能理解为其对本实用新型的构成任何限制。对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他实施例以及其他实施例相对应的附图。
[0014]图1是根据本实用新型的一个实施例的等离子体处理装置的示意性的结构图。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合附图，对本申请的一个以上的实施例的技术方案进行描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。需要说明的是，基于本申请中的这些实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0016]图1是根据本实用新型的一个实施例的等离子体处理装置中的电路结构I的示意性的结构图。如图1所示，等离子体处理装置中的电路结构I包括上电极组2、下电极组3、第一开关4和第二开关。上电极组2包括至少一个上电极21。下电极组3包括至少一个下电极31。下电极组3的下电极31支撑被处理物体8。上电极组2通过第一开关4接地。下电极组3通过第二开关接地。
[0017]进一步地说，上电极组2包括至少两个上电极21，各个上电极21之间相互并联。下电极组3包括至少两个下电极31，各个下电极31之间相互并联。在如图1所示的本实施例中，上电极组2包括两个上电极21，这两个上电极21之间相互并联。下电极组3包括两个下电极31，这两个下电极31之间相互并联。需要注意的是，本实用新型并不限于此，本实用新型上电极组可以只包括I个上电极，下电极组可以只包括一个下电极。
[0018]进一步地说，上电极组2的上电极21与相邻的下电极组3的下电极31相对。也就是说，上电极组2的上电极21与下电极组3的下电极31相互交替，并且相邻的上电极21和下电极31彼此相对。在相邻的上电极21和下电极31之间的空间产生等离子体。
[0019]进一步地说，射频等离子体处理装置中的电路结构I还包括变压器6。上电极组2和下电极组3通过变压器6与电源7连接。上电极组2和下电极组3分别连接变压器6的两个输出端。具体地说，如图1所示，在本实施例中，上电极组2连接变压器6的第一输出端61，下电极组3连接变压器6的第二输出端62。变压器6的输入端与电源装置7相连。电源7包括匹配器71和电源72。
[0020]进一步地说，根据本实用新型的实施例的等离子体处理装置中的电路结构I还包括腔体(