机化显示装置1.绝缘层"的项中记 载的同样，因此省略此处的说明。
[0163] (3)有机化层形成工序
[0164] 本发明中的有机化层形成工序是在上述像素电极上形成由多个有机层构成的至 少具有发光层的有机化层的工序。
[0165] 另外，在本工序中，在形成上述有机化层的同时，构成上述有机化层的至少一层的 上述有机层W覆盖从上述绝缘层的开口部露出的上述辅助电极的方式形成。例如，在对有 机化显示装置的每个像素分别涂布发光层的情况下，空穴注入传输层、电子注入传输层形 成于像素电极上和辅助电极上，发光层在像素电极上形成为图案状。需要说明的是，空穴注 入传输层、电子注入传输层等有机层形成于像素电极上和辅助电极上的情况下，上述有机 层一般连续地形成于像素电极上和辅助电极上。
[0166] 需要说明的是，在本发明中，例如，可W在本工序中形成空穴注入传输层、发光层 和电子传输层，然后，在后述的接触部形成工序后形成电子注入层。运是因为，即使在接触 部形成工序后形成的电子注入层不仅在像素电极上而且还在辅助电极中的接触部上形成 的情况下，电子注入层的厚度极薄时，也能够使辅助电极和通过后述的透明电极层形成工 序形成的透明电极层在接触部处电连接。如此，在接触部形成工序后形成电子注入层的情 况下，能够防止因配置工序、密合工序或接触部形成工序所导致的电子注入层的劣化，因此 可W使用相对不稳定的氣化裡等材料作为电子注入层的材料。
[0167] 对于在本工序中形成的有机化层，可W与上述"A.有机化显示装置5.有机化层"的 项中记载的同样，因此省略此处的说明。
[016引 （4)其他工序
[0169] 本发明中的有机化层侧基板准备工序只要具有上述的像素电极和辅助电极形成 工序、绝缘层形成工序和有机化层形成工序，就没有特别限定，还可W具有其他工序。可W 举出例如:至少在接触部和与接触部相邻的上述像素电极之间的上述绝缘层上形成突起结 构物的突起结构物形成工序。
[0170] 需要说明的是，对于在突起结构物形成工序中形成的突起结构物，可W与上述"A. 有机化显示装置8.突起结构物"的项中记载的内容同样，因此省略此处的记载。
[0171] 2.配置工序
[0172] 本发明中的配置工序是按照在第一压力下使盖材与在上述有机化层侧基板准备 工序中得到的上述有机化层侧基板相对置，并且上述盖材隔着上述有机层与上述绝缘层的 顶部相接触的方式配置的工序。
[0173] 下面，对本工序中使用的盖材W及具体的配置工序进行说明。
[0174] (1)盖材
[0175] 作为在本工序中使用的盖材，只要是能够使其与有机化层侧基板相对置并使有机 化层侧基板与盖材之间的空间为减压状态的盖材就没有特别限定，可W举出例如:玻璃膜、 COP、PP、PC、PET等具有透光性的材料等。其中，优选为玻璃膜、COP和PET。
[0176] 作为盖材的厚度，只要是能够在第一压力下使盖材与有机化层侧基板相对置并使 有机KJl侧基板与盖部之间的空间为减压状态的程度的厚度就没有特别限定。例如优选为 1皿~1000皿的范围内、其中优选为10皿~200皿的范围内、特别优选为30皿~100皿的范围 内。
[0177] 作为运样的盖材，优选对气体具有规定的阻隔性。通过使盖材对气体具有规定的 阻隔性，由此能够在本工序中使盖材与有机化层侧基板之间的空间为减压状态，然后，在到 进行后述的接触部形成工序之前的期间，能够使盖材与有机化层侧基板之间的空间维持减 压后的状态。运是因为，由此在接触部形成工序中利用激光除去辅助电极上的有机层时，能 够充分地维持盖材与有机化层侧基板的密合性，能够防止除去的有机层的粉尘等向像素区 域飞散。作为盖材的对气体的阻隔性，只要盖材具有能够发挥上述效果的程度的阻隔性就 没有特别限定，例如，优选盖材的透氧率为lOOcc/m2 ?天W下、其中优选为30CC/V ?天W 下、特别优选为15cc/m2 ?天W下。
[0178] 另外，上述盖材可W在表面形成阻隔层。通过使盖材具有阻隔层，在后述的接触部 形成工序中，能够更有效地防止气体从有机化层侧基板和盖材的外周的空间向有机化层侧 基板与盖材之间的空间侵入。
[0179] 作为上述盖材中使用的阻隔层的材料，只要能够对氧气、氮气等气体发挥期望的 阻隔性、能够使在后述的接触部形成工序中使用的激光透过就没有特别限定，例如可W举 出无机材料。作为具体的无机材料，可W举出：氧化娃、氮化娃、碳化娃、氧化铁、氧化妮、氧 化铜、氧化锋、氧化锡、氧化粗、氧化侣、氧化儀、氧化巧和氧化错等。另外，也可W使用玻璃 膜作为阻隔层。
[0180] 作为阻隔层的厚度，只要是在工序中使用的盖材上形成阻隔层时上述盖材能够实 现上述平均透射率的程度的厚度就没有特别限定，例如，优选为IOnm~SOOnm的范围内、其 中优选为50nm~500nm的范围内、特别优选为70nm~300nm的范围内。
[0181] 作为在本工序中使用的盖材的表面上形成阻隔层的方法，可W举出例如:瓣射法、 真空蒸锻法、等离子体CV的去等。另外，也可W单独形成阻隔层，使用由粘合材料构成的粘合 层将上述阻隔层贴合于盖材的表面。作为用于粘合层的粘合材料，只要是能够W期望的强 度粘接于盖材的表面、且可使在后述的接触部形成工序中使用的激光透过的材料就没有特 别限定，可W举出例如：聚碳酸醋系树脂、聚締控系树脂、丙締酸类树脂、氨基甲酸醋系树 月旨、有机娃系树脂、聚醋系树脂、环氧系树脂等。此外，作为粘合层的厚度，只要是能够使盖 材与阻隔层充分粘接的程度的厚度就没有特别限定，具体而言，可W在扣m~50WI1的范围内 设定。
[0182] 在本工序中使用的盖材具有阻隔层的情况下，上述阻隔层可W配置于盖材的一个 表面上、也可W配置于盖材的两个表面上。需要说明的是，在阻隔层配置于盖材的一个表面 上的情况下，使上述盖材与有机化层侧基板相对置时上述盖材中的阻隔层可W配置成位于 有机化层侧基板侧、也可W配置成位于有机化层侧基板的相反侧。
[0183] 另外，在使用玻璃膜作为盖材的情况下，可W在玻璃膜的单面或双面形成树脂层。 能够抑制玻璃膜的破裂。作为树脂层，可W使用树脂基材。作为用于树脂基材的材料，可W 举出例如：聚糞二甲酸乙二醋（PEN)、聚对苯二甲酸乙二醋（PET)、聚酸讽(PES)、聚酷亚胺 (PI)、聚酸酸酬(PEEK)、聚碳酸醋(PC)、聚乙締(PE)、聚丙締(PP)、聚苯硫酸(PPS)、聚酸酷亚 胺(PEI)、S乙酸纤维素(CTA)、环状聚締控(COP)、聚甲基丙締酸甲醋(PMMA)、聚讽(PSF)、聚 酷胺酷亚胺(PAI)、降冰片締系树脂、締丙基醋树脂等。
[0184] 树脂基材的厚度只要是可W得到具有晓性的盖材的厚度就没有特别限定，例如优 选为3皿~200皿的范围内、更优选为如m~200皿的范围内。
[0185] 树脂基材可W经由粘合层与玻璃膜贴合。需要说明的是，粘合层可W与上述粘合 层同样。
[0186] (2)配置工序
[0187] 本工序是使上述有机化层侧基板和上述盖材之间的空间为减压状态的工序。
[0188] 需要说明的是，作为本发明中的"在第一压力下，使盖材与在上述有机化层侧基板 准备工序中得到的上述有机化层侧基板相对置并且上述盖材W隔着上述有机层与上述绝 缘层的顶部相接触的方式配置的配置工序"，可W举出如下方法。即，首先，在设定成作为第 一压力的规定的真空度的真空室内，使在外周部形成有密封剂的有机化层侧基板与盖材相 对置地配置并使有机化层侧基板与盖材接触的方法;在设定成第一压力的真空室内，使用 夹具等使有机化层侧基板与盖材接触的方法。
[0189] 使用夹具的情况下，作为夹具，只要能够使有机化层侧基板和盖材接触即可，例如 可W为夹着有机化层侧基板和盖材进行固定的夹具，也可W为仅夹着盖材W使得盖材不弯 曲的方式进行固定的夹具。
[0190] 另外，夹具优选为能够使盖材的与有机化层侧基板相反侧的空间密闭的夹具。具 体而言，可W举出框状夹具。运是因为，例如通过在盖材的双面配置框状夹具，经由在盖材 的与有机化层侧基板相反侧的面配置的框状夹具将盖材按压于真空室的激光透过窗，由此 能够使盖材的与有机KJl侧基板相反侧的空间密闭，在后述的密合工序中能够调节盖材的 与有机化层侧基板相反侧的空间的压力。运种情况下，有机化层侧基板例如可W载放于可 上下移动的载台上，使载台向上方移动，使有机化层侧基板与利用框状夹具固定的盖材接 触，由此能够使有机化层侧基板与盖材之间的空间为减压状态。作为在盖材的与有机化层 侧基板相反侧的面配置的框状夹具，例如可W使用0型圈。
[0191] 有机化层侧基板与盖材之间的空间形成作为第一压力的规定的真空度。具体而 言，只要通过在后述的密合工序中将盖材的与有机KJl侧基板相反侧的空间调节为第二压 力，由此使有机化层侧基板和盖材之间的空间与盖材的与有机化层侧基板相反侧的空间之 间产生压差，从而能够使上述有机化层侧基板与上述盖材充分密合，能够防止在后述的接 触部形成工序中利用激光除去的有机层的粉尘向像素区域飞散，那么就没有特别限定，优 选真空度的值尽可能大、即有机化层侧基板与盖材之间的空间的压力的值尽可能小。其中， 在本工序中，有机化层侧基板与盖材之间的空间优选为真空空间。作为具体的真空度，优选 为1 X 1〇-5化~1 X IO4Pa的范围内、其中优选为1 X 1〇-5化~1 X IO3化的范围内、特别优选为1 X 1〇-5化~1 X 1〇2化的范围内。
[0192] 3.密合工序
[0193] 在本发明中，进行密合工序，即、将上述盖材的与上述有机化层侧基板相反侧的空 间调节成比第一压力高的第二压力从而使上述有机化层侧基板和上述盖材密合。
[0194] 下面，对具体的密合工序进行说明。
[01M]本工序为如下工序:通过将盖材的与有机化层侧基板相反侧的空间调节成第二压 力，由此使有机化层侧基板和盖材之间的空间与盖材的与有机化层侧基板相反侧的空间之 间产生压差，从而使有机化层侧基板和盖材密合。
[0196] 将盖材的与有机化层侧基板相反侧的空间调节成第二压力时，至少将盖材的与有 机化层侦陛板相反侧的空间调节成第二压力即可，例如可W仅将盖材的与有机化层侦陛板 相反侧的空间调节成第二压力，也可W将盖材及有机化层侧基板的外周的空间调节成第二 压力。
[0197] 作为将盖材的与有机化层侧基板相反侧的空间调节成第二压力的方法，只要是能 够使有机EL层侧基板和盖材之间的空间与盖材的与有机EL层侧基板相反侧的空间之间产 生压差从而使有机化层侧基板和盖材密合的方法就没有特别限定，例如，可W举出如下所 述的方法。即，使在真空室内接触后的有机化层侧基板和盖材暴露于常压空间由此使有机 化层侧基板和盖材的外周的空间返回至常压的方法;在真空室内使有机化层侧基板和盖材 之间的空间变成减压状态后使气体流入真空室内从而进行加压的方法等。需要说明的是， 作为通过使所接触的有机化层侧基板和盖材暴露于常压空间的方法进行密合工序的情况 下的上述"常压空间"，从抑制有机化显示元件的劣化运样的观点出发，例如优选为氧浓度 和水分浓度至少为IppmW下且由氮气或氣气等不活泼气体填充的空间。另外，在向真空室 内流入气体进行加压的情况下，可W向真空室整体中流入气体，可W仅向盖材的与有机化 层侧基板相反侧的空间流入气体。如上所述，例如在使用框状夹具的情况下，能够使盖材的 与有机化层侧基板相反侧的空间密封，通过向该空间流入气体能够使有机化层侧基板和盖 材密合。作为向真空室内流入的气体，出于与上述同样的原因，优选为氮气或氣气等不活泼 气体。
[0198] 作为上述"第二压力"，只要是比配置工序中的第一压力高的压力、并且通过第一 压力与第二压力的压差能够使盖材与有机KJl侧基板密合的程度的压力就没有特别限定， 例如优选第二压力比第一压力高IOOPaW上、其中优选高1000化W上、特别优选高1000 OPa W上。通过使第二压力与第一压力的压差为上述数值W上，可W使盖材与有机化层侧基板 充分密合。
[0199] 4.接触部形成工序
[0200] 本发明中的接触部形成工序是隔着上述盖材照射激光除去覆盖从上述绝缘层的 开口部露出的上述辅助电极的上述有机层从而形成上述接触部的工序。
[0201] 如上述"2.配置工序"的项中说明的那样，本工序在至少使盖材的与有机化层侧基 板相反侧的空间与有机化层侧基板和盖材之间的空间之间存在规定的压差的状态下进行。 需要说明的是，使用向真空室内流入气体进行加压的方法作为上述密合工序的情况下，例 如可W通过下述方法进行本工序。即：隔着由玻璃等透光性基材构成的设置于真空室的激 光透过窗等照射激光从而除去覆盖辅助电极的有机层由此形成接触部的方法。
[0202] 对于在本工序中形成的接触部，可W与上述"A.有机化显示装置6.接触部"的项中 记载的同样，因此省略此处的说明。
[0203] 5.透明电极层形成工序
[0204] 本发明中的透明电极层形成工序是将上述盖材剥离，W与在上述接触部中露出的 上述辅助电极电连接的方式在上述有机化层侧基板上形成透明电极层的工序。
[0205] 对于在本工序中形成的透明电极层，可W与上述"A.有机化显示装置7.透明电极 层"的项中记载的同样，因此省略此处的说明。
[0206] 6.其他工序
[0207] 在本发明中，只要具有上述工序就没有特别限定，也可W具有其它工序。作为其它 工序，例如可W举出对有机EL显示装置进行密封的密封基板形成工序。
[0208] 需要