通过功率放大器电压调整的压缩控制的利记博彩app
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年12月30日提交的发明名称为"COMPRESSION CONTROL THROUGH POWER AMPLIFIER LOAD ADJUSTEMENT(通过功率放大器负载调整的压缩控制）"的美国临 时申请第62/097, 877号、2014年12月30日提交的发明名称为"COMPRESSION CONTROL THROUGH AMPLITUDE ADJUSTMENT OF A RADIO FREQUENCY INPUT SIGNAL (通过射频输入信 号的幅度调整的压缩控制）"的美国临时申请第62/097, 899号、2014年12月30日提交的 发明名称为"COMPRESSION CONTROL THROUGH POWER AMPLIFIER VOLTAGE ADJUSTMENT(通 过功率放大器电压调整的压缩控制）"的美国临时申请第62/097, 941号的优先权，特此通 过引用而将其每一个的公开内容明确地全部合并于此。
技术领域
[0003] 本申请一般涉及具有共射共基（cascode，或共源共栅）功率放大器的无线通信系 统。
【背景技术】
[0004] 许多无线装置包括一个或多个线性功率放大器。为了便于功率放大器准确地放大 所接收的信号，期望避免信号的压缩。当功率放大器压缩信号时，功率放大器输出可能不再 与其输入线性相关，并且所调制的波形可能变得失真。此外，信号频谱可能改变并且开始劣 化，使得频谱扩展到频带的相邻区域中并违反系统规范。频谱扩展到相邻信道中可能干扰 其它无线装置，由此对其它无线装置产生负面影响。
【发明内容】
[0005] 根据一些实施方式，本申请涉及一种功率放大器模块，包括功率放大器。所述功率 放大器包括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管。所 述功率放大器模块包括功率放大器偏置控制器。所述功率放大器偏置控制器包括电流比较 器，所述电流比较器被配置为比较所述第一晶体管的第一基极电流与所述第二晶体管的第 二基极电流，以获得比较值。所述功率放大器模块包括饱和控制器，被配置为基于所述比较 值来向阻抗匹配网络提供基准信号。所述阻抗匹配网络被配置为至少部分基于所述基准信 号来更改与所述功率放大器电通信的负载线的负载阻抗。
[0006] 在一些实施例中，所述第一晶体管可以是共基极晶体管，而所述第二晶体管可以 是共发射极晶体管。
[0007] 在一些实施例中，所述负载线可以与天线进行电通信，并且所述负载线可以电气 地位于所述功率放大器与所述天线之间。
[0008] 在一些实施例中，所述阻抗匹配网络可以是动态阻抗匹配网络。
[0009] 在一些实施例中，所述饱和控制器还可以被配置为通过更改所述负载线的负载阻 抗来减少所述功率放大器的压缩。
[0010] 在一些实施例中，所述饱和控制器还可以包括数模转换器和斜波发生器。在一些 实施例中，所述斜波发生器可以被配置为向所述数模转换器提供计数值，所述数模转换器 可以被配置为至少部分基于所述计数值来生成所述基准信号。
[0011] 在一些实施例中，所述饱和控制器可以包括与所述功率放大器偏置控制器进行电 通信的下拉电阻器、电压输入/输出管脚和斜波时钟发生器。所述斜波时钟发生器可以被 配置为基于跨所述下拉电阻器的电压来检测所述第一晶体管是否操作在饱和区域中。所述 电压可以至少部分基于所述比较值。响应于检测到所述第一晶体管操作在所述饱和区域 中，所述斜波时钟发生器可以被配置为使得所述斜波发生器更改所述计数值。
[0012] 在一些实施例中，所述数模转换器还可以被配置为至少部分基于平均功率跟踪值 来生成所述基准信号，所述平均功率跟踪值基于从基站接收到的目标功率信号来确定。
[0013] 在一些实施例中，所述饱和控制器还可以包括RF前端，被配置为从饱和数据管脚 接收默认数据值。所述计数值可以初始地对应于所述默认数据值。在一些实施例中，所述 默认数据值可以是多个默认数据值之一，并且可以基于目标电压来选择。在一些实施例中， 所述目标电压可以至少部分基于从基站接收到的目标功率信号来确定。
[0014] 在一些实施例中，所述功率放大器模块还可以包括：升压转换器，被配置为调节向 所述功率放大器提供的供电电压。在一些实施例中，所述饱和控制器还可以被配置为通过 以下操作的组合来减少所述功率放大器的压缩：向所述升压转换器提供第二基准信号以增 加所述供电电压；以及通过向所述阻抗匹配网络提供所述基准信号来更改所述负载线的负 载阻抗。
[0015] 根据一些实施方式，本申请涉及一种收发机，包括阻抗匹配网络。所述阻抗匹配 网络被配置为基于基准信号来更改与功率放大器和天线进行电通信的负载线的负载阻抗。 所述收发机还包括功率放大器模块，包括功率放大器、功率放大器偏置控制器、和饱和控制 器。所述功率放大器包括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第 二晶体管。所述功率放大器偏置控制器包括电流比较器，所述电流比较器被配置为比较所 述第一晶体管的基极电流与所述第二晶体管的基极电流，以获得比较值。所述饱和控制器 被配置为至少部分基于所述比较值来生成所述基准信号并且向所述阻抗匹配网络提供所 述基准信号。
[0016] 在一些实施例中，所述阻抗匹配网络可以是动态阻抗匹配网络。
[0017] 在一些实施例中，所述饱和控制器还可以包括数模转换器和斜波发生器。在一些 实施例中，所述斜波发生器可以被配置为向所述数模转换器提供计数值，所述数模转换器 可以被配置为至少部分基于所述计数值来生成所述基准信号。
[0018] 在一些实施例中，所述饱和控制器可以包括与所述功率放大器偏置控制器进行电 通信的下拉电阻器、电压输入/输出管脚、和斜波时钟发生器。所述斜波时钟发生器可以 被配置为基于跨所述下拉电阻器的电压来检测所述第一晶体管是否操作在饱和区域中，所 述电压至少部分基于所述比较值，并且响应于检测到所述第一晶体管操作在所述饱和区域 中，所述斜波时钟发生器被配置为使得所述斜波发生器更改所述计数值。
[0019] 在一些实施例中，所述收发机还包括：升压转换器，被配置为调节向所述功率放大 器提供的供电电压。在一些实施例中，所述饱和控制器还被配置为通过以下操作的组合来 减少所述功率放大器的压缩：向所述升压转换器提供第二基准信号以增加所述供电电压； 以及通过向所述阻抗匹配网络提供所述基准信号来更改所述负载线的负载阻抗。
[0020] 根据一些实施方式，本申请涉及一种无线装置，包括天线，所述天线被配置为至少 发射来自收发机的信号，所述信号至少部分基于向所述收发机的功率放大器提供的射频输 入信号。所述收发机包括阻抗匹配网络和功率放大器模块。所述阻抗匹配网络被配置为基 于基准信号来更改与所述功率放大器和所述天线进行电通信的负载线的负载阻抗。所述功 率放大器模块包括功率放大器、功率放大器偏置控制器、和饱和控制器。所述功率放大器包 括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放 大器偏置控制器包括电流比较器，所述电流比较器被配置为比较所述第一晶体管的基极电 流与所述第二晶体管的基极电流，以获得比较值。所述饱和控制器被配置为至少部分基于 所述比较值来生成所述基准信号并且向所述阻抗匹配网络提供所述基准信号。
[0021] 根据一些实施方式，本申请涉及一种功率放大器模块，包括功率放大器。所述功率 放大器包括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管。所 述功率放大器模块包括功率放大器偏置控制器。所述功率放大器偏置控制器包括电流比较 器、饱和控制器、和射频（RF)衰减器。所述电流比较器被配置为比较所述第一晶体管的第 一基极电流与所述第二晶体管的第二基极电流，以获得比较值。所述饱和控制器被配置为 基于所述比较值来向所述RF衰减器提供基准信号。所述RF衰减器被配置为至少部分基于 所述基准信号来更改向所述功率放大器提供的RF输入信号的幅度。
[0022] 在一些实施例中，所述RF衰减器可以是数字衰减器，被配置为至少部分基于衰减 值来更改所述RF输入信号的幅度。在一些实施例中，所述衰减值可以是从多个离散衰减值 中选择的离散衰减值。所述离散衰减值的选择可以至少部分基于所述基准信号。
[0023] 在一些实施例中，所述RF衰减器可以是模拟衰减器，被配置为至少部分基于衰 减值来更改所述RF输入信号的幅度。在一些实施例中，所述衰减值可以基于模拟电压， 所述模拟电压被持续地更改，直到所述基准信号指示所述功率放大器并非操作在饱和状 态中为止。在一些实施例中，所述模拟衰减器可以至少部分基于所述模拟衰减器的极性 (polarity)来确定是否通过增加所述模拟电压或降低所述模拟电压来更改所述模拟电压。
[0024] 在一些实施例中，所述第一晶体管可以是共基极晶体管，而所述第二晶体管可以 是共发射极晶体管。
[0025] 在一些实施例中，所述功率放大器模块还包括：升压转换器，被配置为调节向所述 功率放大器提供的供电电压。
[0026] 在一些实施例中，所述饱和控制器还可以包括数模转换器和斜波发生器。所述斜 波发生器可以被配置为向所述数模转换器提供计数值。所述数模转换器可以被配置为至少 部分基于所述计数值来生成所述基准信号。
[0027] 在一些实施例中，所述基准信号可以是8位字，用于指定用于所述RF衰减器的衰 减值。所述RF衰减器可以至少部分基于所述衰减值来更改所述RF输入信号的幅度。
[0028] 在一些实施例中，所述饱和控制器可以包括与所述功率放大器偏置控制器进行电 通信的下拉电阻器、电压输入/输出管脚、和斜波时钟发生器。所述斜波时钟发生器可以被 配置为基于跨所述下拉电阻器的电压来检测所述第一晶体管是否操作在饱和区域中。所述 电压可以至少部分基于所述比较值。响应于检测到所述第一晶体管操作在所述饱和区域 中，所述斜波时钟发生器可以被配置为使得所述斜波发生器更改所述计数值。
[0029] 根据一些实施方式，本申请涉及一种收发机，包括接收机和发射机。所述发射机包 括功率放大器模块。所述功率放大器模块包括功率放大器和功率放大器偏置控制器。所述 功率放大器包括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体 管。所述功率放大器偏置控制器包括电流比较器、饱和控制器、和射频（RF)衰减器。所述电 流比较器被配置为比较所述第一晶体管的基极电流与所述第二晶体管的基极电流，以获得 比较值。所述饱和控制器被配置为基于所述比较值来向所述RF衰减器提供基准信号。所 述RF衰减器被配置为至少部分基于所述基准信号来更改向所述功率放大器提供的RF输入 信号的幅度。
[0030] 在一些实施例中，所述RF衰减器可以是数字衰减器，被配置为至少部分基于衰减 值来更改所述RF输入信号的幅度。在一些实施例中，所述衰减值可以是从多个离散衰减值 中选择的离散衰减值。所述离散衰减值的选择可以至少部分基于所述基准信号。
[0031] 在一些实施例中，所述RF衰减器可以是模拟衰减器，被配置为至少部分基于衰减 值来更改所述RF输入信号的幅度。在一些实施例中，所述衰减值可以至少部分基于模拟电 压，所述模拟电压被持续地更改，直到所述基准信号指示所述功率放大器并非操作在饱和 状态中为止。在一些实施例中，所述模拟衰减器可以至少部分基于所述模拟衰减器的极性 来确定是否通过增加所述模拟电压或降低所述模拟电压来更改所述模拟电压。
[0032] 根据一些实施方式，本申请涉及一种无线装置，包括天线，所述天线被配置为至少 发射来自发射机的信号，所述信号至少部分基于向所述发射机的功率放大器提供的射频输 入信号。所述发射机包括功率放大器模块。所述功率放大器模块包括所述功率放大器和功 率放大器偏置控制器。所述功率放大器包括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包 括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大器偏置控制器包括电流比较器、饱和控制器、和 RF衰减器。所述电流比较器被配置为比较所述第一晶体管的基极电流与所述第二晶体管的 基极电流，以获得比较值。所述饱和控制器被配置为基于所述比较值来向所述RF衰减器提 供基准信号。所述RF衰减器被配置为至少部分基于所述基准信号来更改所述RF输入信号 的幅度。
[0033] 在一些实施例中，所述RF衰减器可以是数字衰减器，被配置为至少部分基于离散 衰减值来更改所述RF输入信号的幅度，所述离散衰减值是从多个离散衰减值中选择的。所 述离散衰减值的选择可以至少部分基于所述基准信号。
[0034] 在一些实施例中，所述RF衰减器可以是模拟衰减器，被配置为至少部分基于衰减 值来更改所述RF输入信号的幅度。所述衰减值可以至少部分基于模拟电压，所述模拟电压 被持续地更改，直到所述基准信号指示所述功率放大器并非操作在饱和状态中为止。
[0035] 根据一些实施方式，本申请涉及一种功率放大器模块，包括功率放大器。所述功率 放大器包括共射共基晶体管对。所述共射共基晶体管对包括第一晶体管和第二晶体管。所 述功率放大器模块包括功率放大器偏置控制器。所述功率放大器偏置控制器包括电流比较 器，所述电流比较