高频模块的利记博彩app
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及具有多个滤波元件的高频模块。
【背景技术】
[0002]在具备无线通信功能的移动设备等中，为了仅使所希望频率的高频信号通过，并使该所希望频率以外的高频信号衰减，而设置有滤波电路。
[0003]例如，专利文献1中记载有具有多个SAW(声表面波)滤波器的滤波电路。具体而言，专利文献1的滤波电路中，在输入端子与输出端子之间串联连接有多个SAW滤波器。在对串联连接的各SAW滤波器进行连接的连接线与接地之间也分别连接有SAW滤波器。
[0004]专利文献1所记载的滤波电路中，为了改善通频带以外的衰减特性，将电感器或电感器与电容器的串联电路(称为校正电路)与SAW滤波器的串联电路并联连接。此时，对校正电路进行调整，以使得在由SAW滤波器组构成的电路部传输的通频带以外的高频信号(抑制对象信号)与在校正电路中传输的抑制对象信号的振幅一致，相位相反。由此，抑制对象信号在由SAW滤波器组构成的电路部与校正电路的连接点处相抵消，从而不会从输出端子输出。
现有技术文献专利文献
[0005]专利文献1:日本专利特开2012-109818号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]然而，在上述结构中，除了由主要具有滤波功能的SAW滤波器组构成的电路部之夕卜，仅仅为了改善衰减特性，还必须要另行设置由电感器或电感器和电容器的串联电路构成的校正电路。
[0007]因此，滤波电路的结构要素变多，滤波电路变得大型化，从而不适于追求小型化的当前的移动终端等。
[0008]本发明的目的在于提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波电路的高频模块。
解决技术问题所采用的技术手段
[0009]本发明涉及一种高频模块，具有以下特征，包括:第1外部连接端子;第2外部连接端子;滤波部，该滤波部连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间；匹配电路，该匹配电路连接在第1外部连接端子或第2外部连接端子的至少其中一方与滤波部之间；以及电感器，该电感器连接在接地与滤波部之间。
[0010]滤波部包括与第1外部连接端子连接的第1串联连接端子、与第2外部连接端子连接的第2串联连接端子、以及利用多个连接线串联连接在第1串联连接端子与第2串联连接端子之间的多个串联连接型的滤波元件。滤波部包括并联连接端子，该并联连接端子经由电感器接地，并且与一个所述连接线相连接。滤波部包括并联连接型的滤波元件，该并联连接型的滤波元件连接在并联连接端子所连接的所述连接线和并联连接端子之间。电感器与匹配电路电感耦合或电容耦合。
[0011]在该结构中，在由多个滤波元件传输高频信号的主传输路径以外，形成有副传输路径，该副传输路径是通过由连接在接地和滤波部之间的电感器和匹配电路所产生的电感耦合或电容耦合的路径。因电感耦合或电容耦合的耦合度的不同，副传输路径具有与主传输路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传输路径的振幅特性和相位特性，能够调整作为高频模块的传输特性。由此，即使不另外设置电感器、电容器，也能够调整高频模块的传输特性，例如能够改善衰减特性。
[0012]此外，本发明的高频模块优选具有下述结构。互相之间进行电感耦合或电容耦合的电感器和匹配电路进行电感耦合或者电容耦合，以使得滤波部的通频带以外的阻抗发生变化。
[0013]如上述结构所示，通过适当调整親合方式、親合度，从而能在不改变通频带的特性的情况下改变通频带以外的特性即衰减特性。
[0014]此外，本发明的高频模块优选具有下述结构。互相之间进行电感耦合或电容耦合的电感器和匹配电路进行电感耦合或者电容耦合，以使得滤波部的通频带以外的衰减极频率发生变化。
[0015]在该结构中，调整衰减极频率来作为衰减特性的调整方式。
[0016]此外，本发明的高频模块中，匹配电路可以是串联连接在第1外部连接端子与第1串联连接端子之间、或者串联连接在第2外部连接端子与第2串联连接端子之间的、串联连接型的匹配电路。
[0017]此外，本发明的高频模块中，匹配电路也可以是连接在将第1外部连接端子与第1串联连接端子连接的连接线与接地之间、或者连接在将第2外部连接端子与第2串联连接端子连接的连接线与接地之间的、并联连接型的匹配电路。
[0018]这些结构中，示出了匹配电路的具体连接方式。通过适当地确定这些连接方式，能够适当地进行滤波部与外部之间的阻抗匹配，并且也能够适当地进行上述衰减特性的调整。
[0019]此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。滤波部包括第3端子和第2滤波部。第2滤波部连接在对第1串联连接端子及连接至该第1串联连接端子的滤波元件进行连接的连接线、与第3端子之间。
[0020]在该结构中，能够实现将第1串联连接端子作为公共端子、将第2串联连接端子及第3端子作为独立端子的合成分波器(双工器等)。
[0021]此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。高频模块包括:在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、隔开间隔与滤波器基板的第1主面相对的平板状的保护层、从第1主面突出且具有贯穿保护层的形状的连接电极、以及安装或形成有匹配电路的层叠基板。滤波器基板配置为第1主面侧朝向层叠基板的安装面。滤波器基板经由连接电极与层叠基板相连接。
[0022]在该结构中，通过由WLP(Wafer Level Package:晶圆级封装)构成的滤波部和层叠基板来实现高频模块。由此，能够使高频模块小型化。
[0023]此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。匹配电路包含安装在层叠基板的安装面上的安装型电路元件。电感器安装或形成在层叠基板的安装面或内部。安装型电路元件与电感器接近配置。
[0024]上述结构中，示出了匹配电路为安装型电路元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。此外，还示出了电感器的具体结构例。通过该结构，能可靠地实现匹配电路与电感器的耦合。
[0025]此外，本发明的高频模块中，优选为形成于滤波器基板上的连接线与电感器之间最接近的部分的距离比安装型电路元件与电感器之间最接近的部分的距离要远。
[0026]优选为形成于滤波器基板上的连接线和安装型电路元件之间最接近的部分的距离比安装型电路元件和电感器之间最接近的部分的距离要远。
[0027]该结构中，能缩小连接线和电感器之间的电感耦合，能获得所希望的衰减特性。
[0028]此外，本发明的高频模块中，电感器可以是产生与形成于滤波器基板上的连接线所产生的磁场正交的磁场的形状。
[0029]该结构中，能抑制连接线与电感器之间的电感耦合。
[0030]本发明的高频模块中，电感器可以在滤波器基板中与滤波器基板的规定的边接近配置，该规定的边与连接线最接近的边不同。
[0031]该结构中，连接线和电感器隔开距离配置，因此能获得所希望的衰减特性。
[0032]此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。匹配电路包含安装在层叠基板的安装面上的安装型电路元件。电感器形成在保护层的内部。安装型电路元件与电感器接近配置。
[0033]上述结构中，示出了匹配电路为安装型电路元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。此外，还示出了电感器的具体结构例。通过该结构，能可靠地实现匹配电路与电感器的耦合。
[0034]此外，本发明的高频模块还优选具有下述结构。匹配电路包括长方体形状的框体、以及形成在该框体内且俯视时由大致长方形的外周形状形成的螺旋导体。匹配电路配置成框体的长边接近电感器。
[0035]在该结构中，能够容易地进行匹配电路与电感器的耦合，向所希望的耦合量的调整也变得容易。
[0036]此外，本发明的高频模块还可以具有下述结构。高频模块包括在第1主面形成有构成滤波部的IDT电极的平板状的滤波器基板、以及配置在滤波器基板的第1主面侧且安装有滤波器基板的第1主面侧的平板状的滤波器安装用基板。匹配电路安装或形成于滤波器安装用基板的安装面。
[0037]在该结构中，示出利用CSP(ChipSize Package:芯片尺寸封装)来实现高频模块的情况。
发明效果
[0038]根据本发明，能够实现具备具有优异的通频带以外的衰减特性的小型滤波电路的高频模块。
【附图说明】
[0039]图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。
图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。
图5是表示图1至图4所示的高频模块的匹配电路的具体例的电路图。
图6是表示使匹配电路与电感器的电感耦合的耦合度变化时的高频模块的通过特性的变化的曲线图。
图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
图8是表示使匹配电路与电感器的电感耦合的耦合度变化时的高频模块的第2外部连接端子与第3外部连接端子之间的隔离度的变化的曲线图。
图9是表示高频模块的第1结构的主要结构的侧视示意图。
图10是表示高频模块的第1结构的第1变形例的主要结构的俯视示意图。
图11是表示高频模块的第1结构的第2变形例的主要结构的俯视示意图。
图12是表示高频模块的第1结构的第3变形例的主要结构的侧视示意图。
图13是表示高频模块的第2结构的主要结构的俯视示意图。
图14是表示高频模块的第3结构的主要结构的侧视示意图。
【具体实施方式】
[0040]参照附图，对本发明的实施方式所涉及的高频模块进行说明。图1是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第1电路例的电路框图。图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第2电路例的电路框图。图3是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第3电路例的电路框图。图4是表示本发明的实施方式所涉及的高频模块的第4电路例的电路框图。另外，图1?图4中，为便于观察附图，示出了电感耦合或电容耦合的代表例。图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)是表示第1外部连接端子侧的匹配电路的具体例的电路图。图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)是表示第2外部连接端子侧的匹配电路的具体例的电路图。
[0041]首先，对图1至图4所分别示出的高频模块11、12、13、14中共通的电路结构进行说明。
[0042]高频模块11、12、13、14具有第1外部连接端子P1、第2外部连接端子P2、以及滤波部20。滤波部20连接在第1外部连接端子P1与第2外部连接端子P2之间。
[0043]滤波部20具有第1串联连接端子P21、第2串联连接端子P22、第1并联连接端子P23UP232、以及第2并联连接端子P24。第1串联连接端子P21经由后述的串联连接型的匹配电路或并联连接型的匹配电路与第1外部连接端子P1相连接。第2串联连接端子P22经由后述的串联连接型的匹配电路或并联连接型的匹配电路与第2外部连接端子P2相连