高频模块元器件的利记博彩app
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及包括分配合成器的高频模块元器件。
【背景技术】
[0002]在无线通信装置等中会使用具备分配合成器的高频模块元器件。作为这种高频模块元器件，例如有专利文献1所记载的高频模块元器件。专利文献1所记载的高频模块元器件包括基板、分配合成器以及屏蔽壳。分配合成器安装在基板上。屏蔽壳配置在基板上，以将安装在基板上的元器件覆盖。屏蔽壳为了将来自外部的噪声切断、或防止从高频模块元器件内输出的噪声泄漏到外部而设置。
现有技术文献专利文献
[0003]专利文献1:日本专利特开2003-249868号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0004]在将屏蔽壳和分配合成器配置在相互接近的位置的情况下，屏蔽壳与分配合成器的外部电极之间可能会产生寄生电容。该情况下，分配合成器的滤波特性可能会劣化。为此，在专利文献1所记载的高频模块元器件中，将分配合成器配置在距离屏蔽壳规定距离的位置。
[0005]然而，该情况下，由于连接分配合成器与高频模块元器件的外部输出电极的布线图案会变长，因此布线图案中的传输损耗变大。此外，由于在屏蔽壳与分配合成器之间需要空间，因此高频模块元器件的尺寸会变大。
[0006]本发明的目的在于提供一种即使将分配合成器配置在靠近屏蔽壳的位置，分配合成器的滤波特性也不会变差的高频模块元器件。
解决技术问题所采用的技术手段
[0007](1)本发明的高频模块元器件包括分配合成器以及屏蔽壳。分配合成器由多个绝缘层和电极图案层叠而成且具备第一到第四侧面的层叠体形成，在底面形成有公共输入输出电极、独立输入输出电极以及外部接地电极。分配合成器配置在屏蔽壳的内部。第一侧面与第二侧面相对。公共输入输出电极配置在底面上的第一侧面侧的边缘。独立输入输出电极配置在底面上的第二侧面侧的边缘。第三侧面或第四侧面最靠近屏蔽壳的侧面并与其相对。
[0008]该结构下，不会在屏蔽壳与公共输入输出电极以及独立输入输出电极之间产生寄生电容。因此，即使将分配合成器靠近屏蔽壳，分配合成器的滤波特性也几乎不会劣化。并且，由于能使分配合成器靠近屏蔽壳，因此分配合成器与屏蔽壳之间不需要空间。因此，能实现高频模块元器件的小型化。
[0009](2)本发明的高频模块元器件优选具有以下特征。独立输入输出电极具有低频带用输入输出电极以及高频带用输入输出电极。低频带用输入输出电极配置在第三侧面侧。高频带用输入输出电极配置在第四侧面侧。分配合成器具有形成在层叠体内部的低频带用滤波器电路和高频带用滤波器电路。低频带用滤波器电路配置在第三侧面侧，连接在公共输入输出电极和低频带用输入输出电极之间。高频带用滤波器电路配置在第四侧面侧，连接在公共输入输出电极和高频带用输入输出电极之间。第三侧面最靠近屏蔽壳的侧面并与其相对。
[0010]该结构下，在构成低频带用滤波器电路的电极图案与屏蔽壳之间产生寄生电容。另一方面，构成低频带用滤波器电路的电容器和电感器的元件值比构成高频带用滤波器电路的电容器和电感值的元件值大。因此，低频带用滤波器电路因寄生电容受到的影响比高频带用滤波器电路的情况要小。因此，该结构下，与第四侧面最靠近屏蔽壳的侧面并与其相对的情况相比，分配合成器的滤波特性不会变差。
[0011](3)本发明的高频模块元器件优选具有以下特征。高频模块元器件包括安装有分配合成器的矩形平板状的基板。屏蔽壳的侧面沿着基板的边缘配置。分配合成器配置在基板的四个角部中的任一个角部。第一侧面与第二侧面相比更靠近屏蔽壳的侧面并与其相对。
[0012]该结构下，由于公共输入输出电极与形成于基板边缘的外部输出电极之间的布线图案变短，因此能减少该布线图案中的传输损耗。此外，能利用在公共输入输出电极与屏蔽壳之间产生的寄生电容来设计匹配电路。
[0013](4)优选公共输入输出电极从所述底面延伸到第一侧面，外部接地电极从所述底面延伸到第一至第四侧面中的任一个。
[0014]该结构下，在将分配合成器靠近屏蔽壳时，分配合成器的滤波特性也几乎不会劣化。
[0015](5)优选第一侧面与屏蔽壳的侧面隔开200 μπι以上而相对。
[0016]该结构下，能进一步抑制使分配合成器靠近屏蔽壳时分配合成器的滤波特性的劣化。
[0017](6)优选包括填充在分配合成器与屏蔽壳之间的树脂，屏蔽壳由金属构成。
[0018]在相对电极之间充满树脂的情况下，与在相对电极之间充满空气的情况相比，在相对电极之间产生的静电电容变大。因此，该结构下，本发明的效果较为显著。
发明效果
[0019]根据本发明，即使将分配合成器配置在靠近屏蔽壳的位置，分配合成器的滤波特性也不会变差。
【附图说明】
[0020]图1是表示高频模块元器件10的主要部分的侧面剖视图。
图2是分配合成器20的等效电路图。
图3(A)是分配合成器20的外观立体图。图3(B)是分配合成器20的仰视图。
图4是分配合成器20的分解立体图。
图5(A)是表示高频模块元器件10的主要部分的平面剖视图。图5(B)是表示高频模块元器件40的主要部分的平面剖视图。 图6(A)是表示高频模块元器件50的主要部分的平面剖视图。图6(B)是表示高频模块元器件51的主要部分的平面剖视图。
图7是表示高频模块元器件50的分配合成器20的反射特性的图。
图8是表示高频模块元器件51的分配合成器20的反射特性的图。
图9是表示高频模块元器件10的分配合成器20的反射特性的图。
图10是表示高频模块元器件40的分配合成器20的反射特性的图。
图11是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的绝对值的图。
图12(A)是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的示意图。图12(B)是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的等效电路图。
图13是用于对分配合成器20与屏蔽壳12之间产生的寄生电容进行说明的示意图。
图14是表示通过低通滤波器LPF1得到的二次谐波的衰减量的绝对值的图。
图15是表示高频带用输入输出端子P3的反射特性的绝对值的图。
图16(A)是表示高频模块元器件60的主要部分的平面剖视图。图16(B)是表示高频模块元器件70的主要部分的平面剖视图。
图17是表示高频模块元器件80的主要部分的侧面剖视图。
【具体实施方式】
[0021]《实施方式1》
对本发明的实施方式1所涉及的高频模块元器件10进行说明。高频模块元器件10例如用在无线通信装置等中。图1是表示高频模块元器件10的主要部分的侧面剖视图。高频模块元器件 10包括基板 11、屏蔽壳 12、RFIC(Rad1 Frequency Integrated Circuit:射频集成电路)13、高频元器件14、外部输出电极15a、15b、以及分配合成器20。高频元器件14例如是开关1C、功率放大器、低噪声放大器、滤波器等。
[0022]在大致矩形平板的基板11的第一主面安装有RFIC13、高频元器件14、以及分配合成器20。分配合成器20配置在基板11的边缘。屏蔽壳12是盖状的金属，由框状的侧面部121以及大致矩形平板状的底面部122构成。屏蔽壳12将来自外部的噪声切断，并抑制从安装在基板11上的元器件输出的噪声泄漏到外部。通过将屏蔽壳12的侧面部121沿着基板11的边缘配置，使得基板11以及屏蔽壳12构成壳体。RFIC13、高频元器件14、分配合成器20配置在该壳体的内部。分配合成器20与屏蔽壳