针对运算放大器nmos输入管的电容补偿电路及模数转换器的制造方法
【专利说明】针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路及模数转换
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技术领域
[0001]本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路，特别适用于模数转换器领域。
【背景技术】
[0002]近年来，随着模拟集成电路性能指标的进一步提高，特别是随着集成电路工艺技术的不断发展，对运算放大器的研宄也越来越深入。传统的上极板直接采样技术，虽然可以减小电容阵列的容值，但由于运算放大器输入端寄生电容的容值随运算放大器输入端电压的变化而变化，会影响电容阵列实际的匹配精度，从而影响模数转换器的整体性能，传统的上极板直接采样结构不能胜任更高精度下的工作需求。
[0003]传统模数转换器上极板采样原理图如图1所示，采样电容阵列(；的上极板通过采样开关SW接输入信号VINP和VINN，同时，采样电容阵列Cs的上极板直接和运算放大器AMP的输入端相连。在图1中，电容Ccp和C ?为运算放大器两个输入端的寄生电容。
[0004]首先介绍图1所示上极板采样原理图的工作原理，当电路进行采样阶段，采样开关SW导通，电容阵列Cs对输入信号VINP和VINN进行采样，运算放大器AMP处于复位状态；当电路处于量化阶段，采样开关SW断开，运算放大器AMP处于工作状态。对于广泛应用的高速高精度模数转换器而言，通常采用高增益高速运算放大器，由于NMOS管相对于PMOS管而言，其导通电阻更小，跨导更大，所以在很多设计中，运算放大器都采用NMOS管作为差分信号的输入管。由运算放大器的工作原理可知，由于输入电压的不同，差分对的两个NMOS输入管的衬底会处于耗尽状态或者反型状态。
[0005]然后来考察耗尽状态和反型状态下MIS (Metal-1nsulator-Semiconductor，简称金属-绝缘体-半导体)结构的电容，因为MOS管就是MIS结构。MIS结构的剖面图如图2所示，通常用到的工艺是金属-二氧化硅-硅结构，其中二氧化硅部分的电容是固定的Ctl,而硅部分的电容(；会随着衬底的状态变化而变化，总的电容是CjP Cs两个电容串联而成。通过半导体物理知识可以知道，在低频状态下这种MIS结构的C-V曲线如图3所示，其MIS结构的电容C是随着MIS结构中金属上电压的变化而变化的，其中C的最小值是Cmin。具体对于NMOS管而言，当栅电压Ve小于衬底电压时，栅极所对应的硅处于多子积累状态，C 3较大且处于一个恒定值，所以总电容C较大且维持一个恒定值，当栅电压Ve大于衬底电压而小于阈值电压Vthn时，栅极所对应的硅处于耗尽状态，(^较小，所以总电容C很小，当栅电压Ve大于阈值电压Vthn时，栅极所对应的硅处于反型状态，C 3较大且处于一个恒定值，所以总电容C较大且恒定；对于PMOS管而言，当栅电压Ve大于O时，栅极所对应的硅处于积累状态，0；较大且处于一个恒定值，所以总电容c较大且恒定。
[0006]现在来讨论由于上述MIS结构造成的电容变化对模数转换器性能的影响。图1中运算放大器AMP两个输入端的寄生电容Ccp和C ?即是运算放大器AMP差分对两个NMOS输入管的MIS电容，这里的栅电压Ve为运算放大器AMP的输入电压。如图4所示，如果运算放大器AMP两个输入端的输入电压同时处于O到Vthn之间，或者同时处于V THN到VDD之间，那么，此时可认为运算放大器AMP两个输入管同时处于耗尽状态或者强反型状态，从而运算放大器AMP两个输入管的寄生电容Cct和C相等；如果运算放大器AMP的两个输入电压中，一个处于O到Vthn范围内，另一个处于V THN到VDD范围内，那么此时运算放大器AMP的两个输入管，一个处于耗尽状态，而另一个处于强反型状态，从而运算放大器AMP两个输入管的寄生电容Cct和C。,不相等。这对于运算放大器AMP或者模数转换器而言，会产生一个非线性的误差。特别是随着工艺水平的不断提高，电容阵列的容值不断减小，寄生电容Cep和Ccm之差随输入信号变化而变化的现象，对模数转换器性能的影响会更加明显。
【发明内容】
[0007]针对现有技术存在的技术问题，本申请的发明人经过研宄发现，假设对图4所示的MIS结构的C-V曲线进行一种补偿，具体如图5所示，将补偿前的C-V曲线(Originalcurve)和用于补偿的C-V曲线(Compensate curve)相加，可以得到补偿后的C_V曲线(Target curve)，从图5中可知，如果选取合适的补偿曲线，补偿后的C-V曲线在O到VDD电压范围内，其对应的MIS结构的电容C始终是一个恒定值，这就达到了本申请的预期目标。
[0008]在前述假设的基础上，本发明提供一种针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路，该电容补偿电路使得运算放大器AMP输入端的寄生电容Cep和CeN相等，并保持一个相对恒定的值，因而寄生电容Ccp和Ccn不随运算放大器AMP输入电压的变化而变化，这对于运算放大器或模数转换器而言，只会产生一个增益误差，而不会产生非线性误差，由此可以大大提高模数转换器的性能。
[0009]为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0010]一种针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路，所述电容补偿电路为一个深N阱NMOS管匪I，所述深N阱NMOS管匪I包括深N讲，与该深N阱连接的第一 N阱和第二 N阱，所述第一 N阱和第二 N阱中设有将N阱电位引出的N+注入区域，所述深N阱、第一 N阱和第二 N阱包围形成P阱P-WELL，该P阱P-WELL作为所述深N阱NMOS管NMl的衬底，所述P阱P-WELL中设有第一 N+注入区域和第二 N+注入区域以及将P阱P-WELL电位引出的第一 P+注入区域和第二 P+注入区域，所述第一 N+注入区域和第二 N+注入区域为深N阱NMOS管匪I的源漏区域，所述第一 N+注入区域和第二 N+注入区域之间设有深N阱NMOS管NMl的栅极，所述深N阱NMOS管NMl的栅极可和运算放大器的NMOS输入管NMO的栅极连接，作为运算放大器的输入信号的输入端VP/VN,且所述深N阱NMOS管匪I的源极、漏极和P阱P-WELL连接在一起，并同所述第一 N阱和第二 N阱中的N+注入区域一起连接一个大于深N阱NMOS管匪I的阈值电压Vthn的正电压VI。
[0011]本发明提供的针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路，当运用于运算放大器的两个输入端时，能够使得运算放大器两个输入端的寄生电容Cct和Ccm相等，并保持一个相对恒定的值，可以达到减小运算放大器等效输入失调电压的目的。
[0012]对此，本发明还提供一种模数转换器，包括采样电容阵列，所述采样电容阵列的上极板通过采样开关连接输入信号VINP和VINN，且所述采样电容阵列的上极板直接和运算放大器的两个输入端连接，所述运算放大器的差分信号采用NMOS管作为输入管，在所述运算放大器的两个输入端设有前述的针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路，所述电容补偿电路为一个深N阱NMOS管匪I，所述运算放大器NMOS输入管NMO的结构和深N阱NMOS管匪I的结构相同，所述深N阱NMOS管匪I的栅极和运算放大器NMOS输入管NMO的栅极连接，且所述运算放大器NMOS输入管NMO的衬底接地。
[0013]本发明提供的模数转换器，通过在运算放大器的两个输入端增加所述电容补偿电路，使得输入电压VP/VN在O到VDD整个范围内，寄生电容Cep和C eN相等，并保持一个相对恒定的值，因而寄生电容Ccp和Ccm不随运算放大器AMP输入电压的变化而变化，这对于运算放大器或模数转换器而言，只会产生一个增益误差，而不会产生非线性误差，从而消除传统结构下由于寄生电容Ccp和Ccm不相等，且不恒定所带来的非线性误差，达到提高运算放大器或者模数转换器性能的目的；同时，本发明提供的电容补偿电路为一个深N阱NMOS管匪I，由于运算放大器的输入端对于外界干扰非常敏感，而所述电容补偿电路使用的元器件数量很少，因而最大程度的降低了电容补偿电路对运算放大器输入端的其它负面影响。
【附图说明】
[0014]图1是传统逐次逼近型模数转换器上极板采样原理示意图。
[0015]图2是MIS结构的剖面示意图。
[0016]图3是MIS结构的C-V曲线示意图。
[0017]图4是NMOS结构的栅电压区域划分示意图。
[0018]图5是本发明提供的对于NMOS结构的C-V曲线补偿分析示意图。
[0019]图6是本发明提供的电容补偿电路原理示意图。
[0020]图7是本发明提供的电容补偿电路剖面原理示意图。
[0021]图8是本发明提供的电容补偿电路三个补偿阶段对应的容值示意图。
[0022]图9是本发明提供的改进后的模数转换器上极板采样原理示意图。
【具体实施方式】
[0023]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
[0024]请参考图6和图7所示，本发明提供一种针对运算放大器NMOS输入管的电容补偿电路，所述电容补偿电路为一个深N阱NMOS管匪I，所述深N阱NMOS管匪I包括深N阱DNW，与该深N阱DNW连接的第一 N阱NWl和第二 N阱NW2，所述第一 N阱NWl和第二 N阱NW2中设有将N阱电位引出的N+注入区域，所述深N阱、第一 N阱和第二 N阱包围形