除渣处理方法及除渣处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及将由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层层叠而成的配线基板材 料的除渣处理方法及除渣处理装置。
【背景技术】
[0002] 作为用来搭载例如半导体集成电路元件等的半导体元件的配线基板，已知有将绝 缘层和导电层（配线层）交替地层叠而成的多层配线基板。在该样的多层配线基板中，为 了将一个导电层与其他导电层电连接，形成了将1个或多个绝缘层在厚度方向上贯通而延 伸的导通孔或透孔。
[0003]在多层配线基板的制造工序中，通过对将绝缘层和导电层层叠而成的配线基板材 料实施钻削加工或激光加工来将绝缘层或导电层的一部分除去，形成导通孔或透孔。并且， 在导通孔或透孔的形成中，在配线基板材料中产生起因于构成绝缘层或导电层的材料的残 渣。因此，对该配线基板材料进行将残渣除去的除渣处理。
[0004]作为配线基板材料的除渣处理方法，W往，已知有湿式的除渣处理方法及干式的 除渣处理方法（参照专利文献1及专利文献2)。
[0005]湿式的除渣处理方法，是通过将配线基板材料浸溃到溶解有高铺酸钟或氨氧化钢 的碱溶液中而将残留在配线基板材料上的残渣溶解或剥离除去的方法。另一方面，干式的 除渣处理方法，是通过对配线基板材料照射紫外线、用该紫外线的能量及随着紫外线的照 射产生的臭氧将残渣分解除去的方法。
[0006]但是，在湿式的除渣处理方法中，因为为了使残渣溶解到碱溶液中而需要较长的 时间、在将配线基板材料浸溃到碱溶液中之后需要进行清洗处理及中和处理、对于已使用 的碱溶液需要废液处理等，所W有除渣处理的成本变得相当高的问题。
[0007]此外，近年来，随着配线基板上的配线图案的细微化的要求，要求形成直径较小的 导通孔。并且，在对具有直径较小的导通孔的配线基板材料进行除渣处理的情况下，由于碱 溶液不充分渗入到导通孔内，所W难W可靠地进行所需的除渣处理。
[000引相对于此，根据干式的除渣处理方法，由于能够在短时间内进行除渣处理，此外， 不需要配线基板材料的清洗、中和及废液处理，所W关于除渣处理能够实现成本的降低。进 而，关于具有直径较小的导通孔的配线基板材料也能够对应。
[0009]但是，在W往的干式的除渣处理中，明确了有W下该样的问题。
[0010] 在干式的除渣处理中，起因于构成绝缘层的树脂等的有机物质的残渣通过紫外线 及臭氧的作用而分解，被除去。然而，有起因于构成绝缘层中含有的填料的陶瓷或构成导电 层的金属等的无机物质的残渣不通过紫外线或臭氧的作用而分解、而是残留在配线基板材 料中的问题。
[0011] 专利文献1 ;日本特开2012-217536号公报
[0012]专利文献2 ;日本特开平8-180757号公报
【发明内容】
[0013] 本发明是基于W上那样的情况而做出的，其目的是提供一种不论是起因于无机物 质及有机物质的哪种的残渣都能够可靠地除去、不需要使用需要废液处理的药品的除渣处 理方法及除渣处理装置。
[0014] 本发明的除渣处理方法是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层的配 线基板材料的除渣处理方法，其特征在于，具有；紫外线照射处理工序，对上述配线基板材 料照射波长220nmW下的紫外线；W及物理性振动处理工序，对经过了该紫外线照射处理 工序的配线基板材料施加物理性振动。
[0015] 在本发明的除渣处理方法中，优选的是，上述紫外线照射处理工序在含氧的气体 环境下进行。
[0016] 此外，优选的是，上述配线基板材料形成有将上述绝缘层贯通的贯通孔；此外，更 优选的是，将上述绝缘层贯通的上述贯通孔通过激光加工而形成。
[0017] 此外，优选的是，交替地重复上述紫外线照射处理工序和上述物理性振动处理工 序。
[0018] 此外，优选的是，上述物理性振动处理工序通过超声波振动处理而进行。
[0019] 在本发明的除渣处理方法中，优选的是，对于上述配线基板材料的被处理部分，在 该被处理部分湿润的状态下进行上述紫外线照射处理工序。
[0020] 此外，优选的是，作为上述紫外线照射处理工序的前处理工序而具有湿润处理工 序：
[0021] 将上述配线基板材料浸溃到水中，通过在该状态下使该水发生超声波振动，将该 配线基板材料的被处理部分湿润。
[0022] 此外，优选的是，作为上述紫外线照射处理工序的前处理工序而具有：
[0023] 浸润性改善处理工序，在上述配线基板材料的被处理部分不湿润的状态下，改善 该被处理部分的浸润性；W及湿润处理工序，将经过了该浸润性改善处理工序的配线基板 材料的被处理部分湿润。
[0024] 此外，优选的是，通过对上述配线基板材料的被处理部分在该被处理部分不湿润 的状态下照射紫外线的干式紫外线照射处理，进行上述浸润性改善处理工序。
[0025] 此外，优选的是，在进行上述物理性振动处理工序前，交替地重复上述湿润处理工 序和上述紫外线照射处理工序。
[0026] 此外，优选的是，交替地重复上述紫外线照射处理工序和上述物理性振动处理工 序。
[0027] 本发明的除渣处理装置是层叠有由含有填料的树脂构成的绝缘层和导电层的配 线基板材料的除渣处理装置，其特征在于，具有：
[002引紫外线照射处理部，对上述配线基板材料照射波长220nmW下的紫外线；W及物 理性振动处理部，对利用该紫外线照射处理部进行紫外线照射处理后的配线基板材料施加 物理性振动。
[0029] 在本发明的除渣处理装置中，优选的是，上述物理性振动处理部通过超声波振动 处理对配线基板材料施加物理性振动。
[0030] 此外，优选的是，上述紫外线照射处理部具有配置上述配线基板材料的处理室和 向该处理室供给含氧的处理用气体的气体供给口。
[0031] 此外，优选的是，上述除渣处理装置具有在向上述紫外线照射处理部供给上述配 线基板材料之前将该配线基板材料的被处理部分湿润的湿润处理部。
[0032] 此外，优选的是，上述湿润处理部将上述配线基板材料浸溃到水中，通过在该状态 下使该水发生超声波振动，将该配线基板材料的被处理部分湿润。
[0033] 此外，优选的是，具有在向湿润处理部供给上述配线基板材料之前对该配线基板 材料的被处理部分照射紫外线的干式紫外线照射处理部。
[0034] 在本发明的除渣处理方法中，在含氧的气体环境下进行紫外线照射处理工序的情 况下，通过向气体环境气体照射波长220nmW下的紫外线，生成臭氧或活性氧。并且，起因 于有机物质的残渣通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的臭氧或活性氧而被分解。
[0035] 此外，在对于配线基板材料的被处理部分在该被处理部分湿润的状态下进行紫外 线照射处理工序的情况下，通过向水照射波长220皿W下的紫外线，生成OH基等。并且，起 因于有机物质的残渣通过紫外线的能量及随着紫外线的照射产生的OH基等而被分解。OH 基与臭氧或活性氧等相比氧化力较高，所W起因于有机物质的残渣在短时间内被分解。
[0036] 在紫外线照射处理工序中，起因于无机物质的残渣没有被分解而是残留在配线基 板材料上，但起因于该无机物质的残渣、例如氧化娃或氧化侣等的无机物质通过被照射紫 外线而变脆。因此，在紫外线照射处理工序后的物理性振动处理工序中，通过对配线基板材 料施加物理性振动，起因于无机物质的残渣被破坏而从该配线基板材料脱离。或者，通过起 因于无机物质的残渣的收缩、或在对各残渣照射紫外线时产生的热膨胀的差等而在残渣间 产生稍稍的间隙，所W起因于无机物质的残渣通过实施物理性振动处理而从该配线基板材 料脱离。
[0037] 因而，根据本发明的除渣处理方法，不论是起因于无机物质及有机物质的哪种的 残渣都能够可靠地除去。
[003引此外，由于只要对配线基板材料进行紫外线照射处理及物理性振动处理就可W， 所W不需要使用需要废液处理的药品。
【附图说明】
[0039] 图1是示表作为本发明的除渣处理方法的处理对象的配线基板材料的一例的主 要部的结构的说明用剖视图。
[0040] 图2是表示图1所示的配线基板材料的制造工序的说明用剖视图。
[0041] 图3是表示作为波长220nm的紫外线的光源使用的准分子灯的一例的结构的概略 的说明用剖视图，图3(a)是表示沿着放电容器的长度方向的截面的横剖视图，图3(b)是图 3(a)的A-A线剖视图。
[0042] 图4是表示本发明的除渣处理方法的一例的工序的说明图。
[0043] 图5是表示本发明的除渣处理装置的第1例的结构的说明图。
[0044] 图6是表示本发明的除渣处理装置的第2例的结构的说明图。
[0045] 图7是表示本发明的除渣处理装置的第3例的结构的说明图。
[0046] 图8是表示本发明的除渣处理装置的第4例的结构的说明图。
[0047] 图9是表示本发明的除渣处理装置的第5例的结构的说明图。
【具体实施方式】
[0048]W下，对本发明的除渣处理方法的实施方式进行说明。
[0049] <除渣处理方法〉
[0化0] 图1是表示作为本发明的除渣处理方法的处理对象的配线基板材料的一例的主 要部的结构的说明用剖视图。该配线基板材料1由第1绝缘层2、层叠在该第1绝缘层2的 表面上的所需的图案的导电层（配线层）3、和层叠在包括该导电层3的第1绝缘层2上的 第2绝缘层4构成。在第2绝缘层4上，形成有在其厚度方向上延伸的例如导通孔等的贯 通孔5,通过该贯通孔5,使导电层3的一部分分成为露出的状态。
[0化1] 第1绝缘层2及第2绝缘层4分别通过含有由无机物质构成的粒状的填料的树脂 构成。
[0052]作为构成第1绝缘层2及第2绝缘层4的树脂，可W使用环氧树脂、双马来酷亚胺 =嗦树脂、聚酷亚胺树脂、聚醋树脂等。
[0化3]作为构成第1绝缘层2中及第2绝缘层4中含有的填料的材料，可W使用氧化娃、 氧化侣、云母、娃酸盐、硫酸领、氨氧化儀、氧化铁等。填料的平均粒子径例如是0. 1~3ym。
[0054] 第1绝缘层2及第2绝缘层4的各自中的填料的比例例如是20~60质量％。
[0055]作为构成导电层3的材料，可W使用铜、镶、金等。
[0056] 第1绝缘层2的厚度例如是20~800ym，第2绝缘层4的厚度例如是10~50ym。 导电层3的厚度例如是10~100ym。此外，贯通孔5的直径例如是30~100ym。
[0化7] 该样的配线基板材料1例如如W下该样得到。
[005引首先，如图2(a)所示，在第1绝缘层2的表面上形成所需的图案的导电层3。接 着，如图2(b)所示，在包括导电层3的第1绝缘层2的表面上形成第2绝缘层4。然后，如 图2(C)所示，在第2绝缘层4的所需的部位上，形成在该第2绝缘层4的厚度方向上贯通 而延伸的贯通孔5。
[0化9]W上，作为形成导电层3的方法，没有被特别限定，可W使用减成法、半加成法等 的各种方法。
[0060] 作为形成第2绝缘层4的方法，可W使用在将液态的热硬化性树脂中含有填料的 绝缘层形成材料涂敷到包含导电层3的第1绝缘层2的表面上之后对该绝缘层形成材料进 行硬化处理的方法、或在包含导电层3的第1绝缘层2的表面上通过热压接等贴合含有填 料的绝缘薄片的方法。
[0061] 作