图11为本申请实施例八延时线电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0042] W下结合附图和优选实施例对本发明的技术方案进行详细地阐述。应该理解，W 下列举的实施例仅用于说明和解释本发明，而不构成对本发明技术方案的限制。
[0043] 图1为本申请实施例一延时线单元的结构示意图；如图1所示，每个延时线单元包 括一个可调电容101、两个互禪的电感102W及与所述可调电容101连接的控制电路103， 所述可调电容101与所述两个互禪的电感102串联，所述控制电路103用于通过调整电压， W施加到所述可调电容101、两个互禪的电感102上，从而调整每个延时线的延时量和相 位。
[0044] 在具体的工艺实现方面，可W采用半导体工艺如MEMS、GaAs、GaN等实现，将电感、 可变电容、电阻等集成到一个巧片上；可W采用PCB工艺如罗杰斯板等实现，将可变电容使 用表贴或键合等方式安装到基板上；也可W采用陶瓷工艺如AL203、LTCC、HTCC等实现，将 可变电容使用表贴或键合等方式安装到基板上。
[0045] 具体地，W半导体工艺实现为例：采用神化嫁GaAs制成的基板，导体采用金，置于 基板的表面；两个电感绕绕制在一起，形成互感。两个电感与一可调电容连接，并通过可调 电容接地。可调电容可W由电压控制的变容管组成。
[0046] 优选地，所述控制电路103包括滤波电路113W及电源接口 123,滤波电路113 - 端与所述可调电容101连接，另外一端通过所述电源接口 123与一直流电源133连接，通过 调整所述电源接口 123上的电压，W施加到所述可调电容101上，从而调整每个延时线的延 时量和相位。
[0047] 可选地，本实施例中，所述控制电路103还包括分压电阻143,所述分压电路143连 接在所述滤波电路113和所述电源接口 123之间。
[004引图2为本申请实施例二延时线电路的结构示意图；如图2所示，图1所示的若干个 延时线单元依次串接起来，每个延时单元设置有一个单独的控制电路，每个延时线单元中 可调电容和电感的大小可W根据延时量的需求来选择。
[0049] 比如，延时线单元的延时量可从15ps调节到25ps，那么两个单元串联后，可调范 围变为30ps-5化S。W此类推，10个单元串联后，可调范围可达15化S-25化S。
[0050] 在另外一实施例中，所有的延时单元也可W共用一个直流电源，又可能每个延时 单元实际需求的直流电源电压不同，为此，可W在直流电源和分压电阻之间增加电压调节 电路。
[0051] 图3为本申请实施例=并联有基态单元的延时线单元的结构示意图；如图3所示， 每个所述延时线单元100并联有一基态单元200,通过一选通开关300实现在基态单元200 和延时线单元100之间进行切换，W实现延时量的控制或者幅度衰减的控制。优选地，本实 施例中，所述选通开关为单刀双掷开关。一个延时线单元100和一基态单元200组成了一 个延时模块。
[0052] 本实施例中，选通开关的切换控制可W通过一开关逻辑控制接口进行控制。
[0053] 本实施例中，所述基态单元200包括相互串接的幅度均衡器和幅度衰减器。
[0054] 图4为本申请实施例四延时线电路的结构示意图，如图4所示，其包括图3所示的 多个延时线单元100和基态单元200、对称放置的选通开关300等。
[00巧]由于基态单元200只进行幅度调整而不进行延时处理，换言之其延时为0。通过选 通开关300的切换，从而使得图4所示的延时线电路具有比图2更大的延时可调范围。
[0056] -个两位延时线的电路图，其中第一位延时模块提供50ps~10化S的延时量，第 二位可调延时模块提供loops~15化S的延时量，两者的开关和延时量W任意方式组合 (详见表1)，即可形成一个50ps~25化S。
[0057] 表1两个可调延时模块串联的延时量表
[0058]
【主权项】
1. 一种延时线电路，其特征在于，包括若干个串联的延时线单元，每个延时线单元包括 至少一个可调电容、至少两个互耦的电感以及与至少一个可调电容连接的控制电路，所述 至少一个可调电容与所述至少两个互耦的电感串联，所述控制电路用于通过调整电压，以 施加到所述至少一个可调电容上，从而调整每个延时线的延时量和相位。
2. 根据权利要求1所述的延时线电路，其特征在于，所述控制电路包括滤波电路以及 电源接口，滤波电路一端与所述至少一个可调电容连接，另外一端通过所述电源接口与一 直流电源连接，通过调整所述电源接口上的电压，以施加到所述至少一个可调电容上，从而 调整每个延时线的延时量和相位。
3. 根据权利要求1所述的延时线电路，其特征在于，所述延时线单元并联有一基态单 元，通过一选通开关实现在基态单元和延时线单元之间进行切换，以实现延时量的控制或 者幅度衰减的控制，所述基态单元包括幅度均衡器和幅度衰减器。
4. 根据权利要求3所述的延时线电路，其特征在于，所述选通开关为单刀双掷开关。
5. 根据权利要求1或3所述的延时线电路，其特征在于，还包括温度补偿电路，所述温 度补偿电路与所述控制电路连接，用于侦测温度的变化，从而根据侦测到的温度变化，改变 所述至少一个可调电容的电容大小从而调整延时量大小。
6. 根据权利要求5所述的延时线电路，其特征在于，所述温度补偿电路的选取与可变 电容的类型以及安装可变电容的基板类型有关。
7. 根据权利要求1所述的延时线电路，其特征在于，还包括若干个放大收发组件，每个 延时线单元连接有一个放大收发组件，每个所述放大收发组件包括功率放大器、低噪声放 大器、选通开关/环形器，选通开关/环形器可切换到功率放大器、天线上以发射信号，选通 开关/环形器可切换到低噪声放大器、天线上以接收信号。
8. 根据权利要求7所述的延时线电路，其特征在于，所述选通开关为单刀双掷开关。
9. 根据权利要求1-8任意所述的延时线电路，其特征在于，所述控制电路还包括分压 电阻，所述分压电路连接在所述滤波电路和所述电源接口之间。
10. 根据权利要求1-8任意所述的延时线电路，其特征在于，每个所述延时线单元的 延时量可相同或者可不相同，延时线电路的延时量等于每个所述延时线单元的延时量的叠 加。
【专利摘要】本发明公开了一种延时线电路，其包括若干个串联的延时线单元，每个延时线单元包括至少一个可调电容、至少两个互耦的电感以及与所述至少一个可调电容连接的控制电路，所述至少一个可调电容与所述至少两个互耦的电感并联，所述控制电路用于通过调整电压，以施加到所述至少一个可调电容上，从而调整每个延时线的延时量和相位。在该延时线电路的基础上可以增加温度补偿电路、收发放大组件等等进一步使用性能的电路结构。
【IPC分类】H03K17-28
【公开号】CN104753507
【申请号】CN201510111542
【发明人】金华江
【申请人】金华江
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年3月13日