分路开关的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及分路开关(shunt switch)。
【背景技术】
[0002]分路开关通过将多个FET串联连接而构成，例如连接在高频信号节点与接地节点之间。当分路开关导通时，高频信号节点强制性地与接地节点成为同电位。
[0003]在这样的分路开关中，需要尽量使分路开关导通时的畸变(以下，导通畸变)和断开时的畸变(以下，断开畸变)小。通常，导通畸变和断开畸变处于制约平衡(trade off)的关系。在想要降低导通畸变时，减少分路开关内的FET的串联连接级数是有效的，但在减少级数时断开畸变会增加。
【发明内容】
[0004]在本实施方式中，提供一种能够不使断开畸变增大而减少导通畸变的分路开关。
[0005]根据本实施方式，提供一种分路开关，具有:开关部，其设置在被施加交流信号的第I节点与被设定为基准电位的第2节点之间；和畸变补偿部，其设置在所述第I节点与所述第2节点之间，所述开关部具有串联连接在所述第I节点与所述第2节点之间的多个第I开关元件，所述畸变补偿部具备:多个第2开关元件，其串联连接在所述第I节点与所述第2节点之间；畸变生成部，其与所述多个第2开关元件串联连接，生成畸变；以及畸变切换部，其与所述畸变生成部并联连接。
【附图说明】
[0006]图1是第I实施方式的分路开关I的电路图。
[0007]图2是开关部2为导通状态时的分路开关I的等价电路图。
[0008]图3的(a)是表示将两个二极管反向并联连接时的电压-电流特性的曲线图，图3的(b)是表示第I开关元件Tll?Tln和第2开关元件T21?T2n的V-1特性的曲线图。
[0009]图4是表示图1的分路开关I和仅包括开关部2的一比较例涉及的分路开关I的3次谐波畸变特性的模拟(仿真)结果的曲线图。
[0010]图5是开关部2为断开状态时的分路开关I的等价电路图。
[0011]图6是第2实施方式的分路开关I的电路图。
[0012]图7是第3实施方式的分路开关I的电路图。
[0013]图8是第4实施方式的分路开关I的电路图。
[0014]图9是第5实施方式的分路开关I的电路图。
[0015]图10的(a)是表示将体(body)与漏连接后的M0SFET6的图，图10的(b)是表示将体与源连接后的M0SFET7的图。
[0016]图11是第6实施方式的分路开关I的电路图。
[0017]图12是表示构成第I开关元件Tll?Tln和第2开关元件T21?T2n的M0SFET8的一例的图。
[0018]图13是表示图12的一变形例的M0SFET9的图。
【具体实施方式】
[0019]以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[0020](第I实施方式)
[0021]图1是第I实施方式的分路开关I的电路图。图1的分路开关I具备:开关部2，其设置在被供给高频信号的高频信号节点RF (第I节点)与接地节点(第2节点)之间；和畸变补偿部3，其同样设置在高频信号节点RF与接地节点之间。
[0022]开关部2串联连接在高频信号节点RF与接地节点之间，具有根据控制信号使全部切换为导通或者使全部切换为断开的多个第I开关元件Tll?Tin。此外，在本说明书中，所谓“串联连接”，包括将相邻的两个电路元件串联连接而不在其之间夹有任何元件的情况、和在两个电路元件之间夹有其他电路元件而串联连接的情况这双方。
[0023]畸变补偿部3进行动作以减少开关部2为导通状态时的高频信号节点RF的畸变(导通畸变，导通失真)，并且在开关部2为断开状态时进行动作以使高频信号节点RF的畸变(断开畸变)不增大。即，在开关部2为断开状态时，使得接近畸变补偿部3从高频信号节点RF等价性(等效性)断开的状态，通过畸变补偿部3的影响使高频信号节点RF的断开畸变不增加。即，在开关部2为断开状态时，使得:能够得到与畸变补偿部3不与高频信号节点RF连接的情况同样的畸变特性。
[0024]畸变补偿部3具有多个第2开关元件T21?T2n、畸变生成部4和畸变切换部5。
[0025]多个第2开关元件Τ21?Τ2η串联连接在高频信号节点RF与接地节点之间，根据控制信号，配合多个第I开关元件Tll?Tln而全部切换为导通或者全部切换为断开。
[0026]畸变生成部4与多个第2开关元件Τ21?Τ2η串联连接，生成畸变。更具体而言，畸变生成部4在多个第I开关元件Tll?Tln和多个第2开关元件Τ21?Τ2η导通时生成用于抵消在开关部2产生的导通畸变的新的畸变。即，畸变生成部4在多个第I开关元件Tll?Tln和多个第2开关元件Τ21?Τ2η导通时对这些开关元件的电流电压特性的非线性进行改善。
[0027]更具体而言，畸变生成部4具有第I 二极管Dl和第2 二极管D2。第I 二极管Dl连接在第3开关元件Τ31的漏-源之间。第2 二极管D2连接在第4开关元件Τ32的漏-源之间。第I 二极管Dl和第2 二极管D2彼此反向连接。第I 二极管Dl和第2 二极管D2例如是在SOI基板上形成的PN结型二极管。
[0028]畸变切换部5与畸变生成部4并联连接。更具体而言，畸变切换部5在多个第I开关元件Tll?Tln和多个第2开关元件Τ21?Τ2η导通时使畸变生成部4生成新的畸变，在多个第I开关元件Tll?Tln和多个第2开关元件Τ21?Τ2η断开时使畸变生成部4停止生成新的畸变。
[0029]畸变切换部5具有第3开关元件Τ31和第4开关元件Τ32。
[0030]第3开关元件Τ31设置在接地节点与串联连接的多个第2开关元件Τ21?Τ2η的一端部之间或者高频信号节点RF与串联连接的多个第2开关元件Τ21?Τ2η的另一端部之间，多个第I开关元件Tll?Tln和多个第2开关元件Τ21?Τ2η在相反的定时导通或断开。
[0031]第4开关元件T32设置在接地节点与串联连接的多个第2开关元件T21?T2n的一端部之间或者高频信号节点RF与串联连接的多个第2开关元件Τ21?Τ2η的另一端部之间，多个第I开关元件Tll?Tln和多个第2开关元件Τ21?Τ2η在相反的定时导通或断开。
[0032]在图1的例子中，第3开关元件Τ31和第4开关元件Τ32分别连接在中间节点(第3节点)nl与接地节点之间。在第I?第4开关元件Tll?Tln、T21?Τ2η、Τ31、Τ32为相同的导电型的情况下，将第I和第2开关元件Tll?Τ1η、Τ21?Τ2η的栅信号Cont反转后的信号Cont/被输入到第3和第4开关元件Τ31、Τ32的栅。在此，中间节点nl是设置在高频信号节点RF与接地节点之间的节点。
[0033]更详细而言，在图1的例子中，在中间节点nl与接地节点之间串联连接有第3开关元件T31和第I阻抗元件R1，同样，在中间节点nl与接地节点之间串联连接有第4开关元件T32和第2阻抗元件R2。控制信号Cont/经由第7阻抗元件Rgg31输入到第3开关元件T31的栅。控制信号Cont/经由第8阻抗元件Rgg32输入到第4开关元件T32的栅。
[0034]这些第I阻抗元件Rl和第2阻抗元件R2用于调整第I 二极管Dl和第2 二极管D2的非线性。第I阻抗元件Rl也可以用第I 二极管Dl的寄生电阻来代替。同样，第2阻抗元件R2也可以用第2 二极管D2的寄生电阻来代替。
[0035]除了多个第I开关元件Tll?Tln之外，开关部2还具有分别连接在多个第I开关元件Tll?Tln的漏-源之间的多个第3阻抗元件Rdsll?Rdsln、和分别与多个第I开关元件Tll?Tln的栅连接的多个第4阻抗元件Rggll?Rggln。
[0036]除了多个第2开关元件T21?T2n之外，畸变补偿部3还具有分别连接在多个第2开关元件Τ21?Τ2η的漏-源之间的多个第4阻抗元件Rds21?Rds2n、和分别与多个第2开关元件T21?T2n的栅连接的多个第5阻抗元件Rgg21?Rgg2n。
[0037]上述第I开关元件Tll?Tln和第2开关元件T21?T2n例如是在SOKSiliconOn Insulator)基板上形成的 η 型 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor:金属氧化物半导体晶体管)。这些开关元件的阈值电压为OV左右。与第1、第2开关元件Tll?Tln、T21?Τ2η的栅连接的第4阻抗元件Rggll?Rggln和第6阻抗元件Rgg21?Rgg2n是用于防止高频信号泄漏的高电阻(例如10kQ以上)。此外，若不将第4阻抗元件Rggll?Rggln和第6阻抗元件Rgg21?Rgg2n设定为足够大,则它们会成为偶数次畸变(失真)的主要原因，因此,从该观点来看也将其设定为较大的值。
[0038]连接在第I和第2开关元件Tll?Tln、T21?T2n的漏-源之间的第3阻抗元件Rdsll?Rdsln和第5阻抗元件Rds21?Rds2n用于使得在断开时在各开关元件的漏-源之间均等地施加电压，是高电阻(例如1kQ以上)。
[0039]开关部2内的多个第3阻抗元件Rdsll?Rdsln优选为相同的阻抗(电阻值)，多个第4阻抗元件Rggll?Rggln也优选为相同的阻抗。同样，畸变补偿部3内的多个第5阻抗元件Rds21?Rds2n优选为相同的阻抗,多个第6阻抗元件Rgg21?Rgg2n也优选为相同的阻抗。
[0040]另外，如后所述，优选使开关部2的尺寸即大小(dimens1n)