陶瓷布线基板及陶瓷布线基板的制造方法与流程

本发明涉及陶瓷布线基板及陶瓷布线基板的制造方法，特别涉及陶瓷布线基板所具备的陶瓷绝缘体包含晶质和非晶质的、是所谓的玻璃陶瓷的陶瓷布线基板。

背景技术：

陶瓷布线基板具备：陶瓷绝缘体、与陶瓷绝缘体的主面正交地形成的过孔导体和平行地形成的图案导体、以及形成在绝缘体的主面的安装电极。而且，伴随着信息通信的高速化，陶瓷布线基板在GHz频带以上的高频区域使用的情况开始增多。因此，关于陶瓷绝缘体，开始使用例如像玻璃陶瓷那样的低介电常数的陶瓷绝缘体，使得传输损耗降低。

此外，过孔导体和图案导体使用导体膏来形成，所述导体膏包含将以耐迁移性优异著称的Cu作为成分的金属粉末、非晶质粉末、以及有机载体。在此，非晶质粉末是为了配合陶瓷布线基板所具备的陶瓷绝缘体的原料粉末与金属粉末的、烧结时的收缩行为使陶瓷绝缘体与各导体的接合牢固而添加的。进而，连接IC芯片等电子部件的安装电极通过对设置在陶瓷布线基板的内部的过孔导体的、露出在陶瓷布线基板的主面的端部实施镀覆而形成。

当将由这样的导体膏形成的烧成前过孔导体进行烧成时，导体膏中包含的非晶质会浮出到露出在陶瓷布线基板的主面的过孔导体的端部。因此，在用于形成安装电极的镀覆工序中，存在无法在过孔导体的端部附着镀层的问题。

因此，在日本特开2003-258433号公报(专利文献1)提出了要解决上述的问题的陶瓷布线基板的一个例子。

图11是专利文献1记载的陶瓷布线基板200的示意图。陶瓷布线基板200包括：由多个玻璃陶瓷层层叠而成的陶瓷绝缘体21；和形成在陶瓷绝缘体21的内部的由Cu或Cu合金构成的过孔导体22。在此，在过孔导体22中，形成在位于陶瓷绝缘体21的表面的绝缘层21b中的部分22b的非晶质的含量比形成在位于内部的绝缘层21a中的部分22a的非晶质的含量少。

因此，在具备上述的结构的陶瓷布线基板200中，具有如下优点，即，可牢固地保持陶瓷绝缘体200与过孔导体22的接合，且在过孔导体22的端部不会浮出非晶质。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-258433号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

以下，对发明人为完成本发明而研究的内容进行说明。

在具备烧成前陶瓷绝缘体和烧成前过孔导体的烧成前陶瓷布线基板中，一般来说，烧成前陶瓷绝缘体包含的非晶质和烧成前过孔导体包含的非晶质的亲和性高。因此，在烧成前陶瓷布线基板的烧成工序中，烧成前陶瓷绝缘体包含的非晶质会浸入到烧成前过孔导体内。因此，即使减少烧成前陶瓷布线基板的表面附近的烧成前过孔导体的非晶质的含量，也会由于从烧成前陶瓷绝缘体浸入非晶质，从而使非晶质的含量增加。其结果是，与以往相同地，有可能在过孔导体的端部浮出非晶质。

此外，近来为了进行信号的高速处理，正在推进IC芯片的外部电极的多数化和窄间距化。与此相伴地，需要对搭载IC芯片的陶瓷布线基板的安装电极进行多数化和窄间距化。而且，为了安装电极的多数化和窄间距化，需要谋求过孔导体的小径化。

在过孔导体的直径大于例如100μm的情况下，即使在过孔导体的端部稍微浮出非晶质，也能够确保通过镀覆来形成安装电极所需的金属部分的露出面积。然而，为了应对能够搭载近来的IC芯片的安装电极，有时要求形成100μm以下的小径的过孔导体。在该情况下，相对于烧成前过孔导体的体积的、烧成前陶瓷绝缘体包含的非晶质的浸入量会比具有大于100μm的直径的过孔导体还多。其结果是，当在过孔导体的端部浮出非晶质时，端部会基本被非晶质所覆盖。因此，有可能难以通过镀覆来形成安装电极。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出并且能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极的陶瓷布线基板、以及这种陶瓷布线基板的制造方法。

用于解决课题的技术方案

在本发明中，由于可抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出，因此可谋求对形成过孔导体的导体膏的构成成分的改良，作为其结果，可谋求对过孔导体附近的陶瓷绝缘体的构造的改良。

本发明首先面向陶瓷布线基板。

本发明涉及的陶瓷布线基板是具备陶瓷绝缘体和设置在陶瓷绝缘体内的过孔导体的陶瓷布线基板。陶瓷绝缘体包含晶质和非晶质。过孔导体包含金属和氧化物。陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含一种金属元素。而且，在陶瓷绝缘体中，围着且邻接过孔导体的厚度为5μm的筒状区域中的该金属元素的浓度比筒状区域以外的区域中的金属元素的浓度高。

在上述的陶瓷布线基板中，陶瓷绝缘体中的围着且邻接过孔导体的厚度为5μm的筒状区域中的该金属元素的浓度比筒状区域以外的区域中的金属元素的浓度高。这是因为，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，过孔导体中的作为氧化物的成分的上述的金属元素的离子会扩散到陶瓷绝缘体中的非晶质中。另一方面，因为其固溶限度小，所以上述的金属元素的离子与非晶质的成分反应而从非晶质析出晶质。

因此，在上述的陶瓷布线基板中，筒状区域中包含的非晶质的量减少。此外，在金属元素的离子与非晶质反应而成为晶质时，非晶质中的具有在高温时降低处于熔解状态的非晶质的粘度的作用的金属元素(例如碱土类金属元素)被导入到晶质中。因此，残留的非晶质在高温时的粘度提高。

因此，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质减少，可抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，在上述的陶瓷布线基板中，能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。此外，过孔导体中的作为氧化物的成分的金属元素的离子会扩散到陶瓷绝缘体中的非晶质中，从而过孔导体与陶瓷绝缘体牢固地接合，可抑制过孔导体与陶瓷绝缘体的剥离。

本发明涉及的陶瓷布线基板优选具备以下的特征。即，在用以下的(1)式和(2)式表示过孔导体中的氧化物的碱度BMi-O的情况下，陶瓷绝缘体中的非晶质的碱度与过孔导体中的氧化物的碱度之差的绝对值为0.049以下。

[数学式1]

在包含多种阳离子成分时，···(1)

(n_i是阳离子M_i的组成比)

[数学式2]

其中，BMi-O₀是将某种元素的氧化物表示为MiO的情况下的MiO的氧供给能力。BSi-O₀是SiO₂的氧供给能力。BCa-O₀是CaO的氧供给能力。rMi是阳离子Mi的离子半径ZMi是阳离子Mi的价数。另外，作为阳离子Mi的离子半径而使用鲍林离子半径的值，并将对计算值的小数第五位进行四舍五入后的值作为BMi-O。

在上述的陶瓷布线基板中，过孔导体的氧化物与陶瓷绝缘体的非晶质的碱度之差小(0.049以下)，因此只有极少量的氧化物能够固溶到非晶质中。因此，扩散的氧化物在非晶质中变得不稳定，可促进结晶化。因此，在上述的陶瓷布线基板中，筒状区域中包含的非晶质的量可靠地减少。此外，残留的非晶质在高温时的粘度可靠地提高。

因此，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质减少，能够可靠地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，在上述的陶瓷布线基板中，能够更加可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。

本发明涉及的陶瓷布线基板还优选具备以下的特征。即，筒状区域包含将陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同含有的金属元素作为构成成分的晶质。

在上述的陶瓷布线基板中，筒状区域包含将上述的金属元素作为构成成分的晶质。因此，筒状区域中包含的非晶质的量可靠地减少。此外，残留的非晶质在高温时的粘度可靠地提高。

因此，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质减少，能够可靠地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，在上述的陶瓷布线基板中，能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。

此外，筒状区域包含将陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同含有的金属元素作为构成成分的晶质的陶瓷布线基板进一步优选具备以下的特征。即，陶瓷绝缘体中的晶质与过孔导体中的氧化物共同含有的金属元素为Ti。

在上述的陶瓷布线基板中，陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含Ti。Ti向非晶质中的固溶量少，容易作为在非晶质中析出晶质时的结晶核发挥作用。因此，通过使晶质和氧化物共同包含的金属元素为Ti，从而在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，可有效地减少从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质。因此，能够可靠地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，通过减少过孔导体中的氧化物，从而能够兼顾过孔导体的低电阻化和通过镀覆来有效地形成安装电极。

此外，陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含的金属元素为Ti的陶瓷布线基板进一步优选具备以下的特征。即，将陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含的金属元素作为构成成分的晶质包含硅钛钡石型化合物，所述硅钛钡石型化合物构成为包含Ba、Ti、以及Si。

在上述的陶瓷布线基板中，将上述的金属元素作为构成成分的晶质包含硅钛钡石型化合物。其结果是，通过硅钛钡石型化合物使过孔导体和陶瓷绝缘体更牢固地接合，因此能够可靠地抑制过孔导体与陶瓷绝缘体的剥离。

此外，筒状区域包含将陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同含有的金属元素作为构成成分的晶质的陶瓷布线基板进一步优选具备以下的特征。即，陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同含有的金属元素为Al。

在陶瓷绝缘体中的晶质和端子电极中的氧化物共同包含Al的情况下，可认为Al在将烧成前陶瓷电子部件进行烧成时也具有如前所述的减少从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质的效果。

因此，上在述的陶瓷电子部件中，能够可靠地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，通过减少过孔导体中的氧化物，从而能够兼顾过孔导体的低电阻化和通过镀覆来有效地形成安装电极。

此外，陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含的金属元素为Al的陶瓷布线基板进一步优选具备以下的特征。即，将陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含的金属元素作为构成成分的晶质包含钡长石型化合物，所述钡长石型化合物构成为包含Ba、Al以及Si。

在上述的陶瓷布线基板中，将上述的金属元素作为构成成分的晶质包含硅钛钡石型化合物。其结果是，通过硅钛钡石型化合物使过孔导体与陶瓷绝缘体更牢固地接合，因此能够可靠地抑制过孔导体与陶瓷绝缘体的剥离。

本发明涉及的陶瓷布线基板还优选具备以下的特征。即，过孔导体的直径为100μm以下。

在上述的陶瓷布线基板中，过孔导体的直径为100μm以下。即，即使是用于应对陶瓷布线基板的安装电极的多数化和窄间距化的小径的过孔导体，端部也不会被非晶质所覆盖，能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。

本发明涉及的陶瓷布线基板还优选具备以下的特征。即，过孔导体露出在所述陶瓷布线基板的表面。

在上述的陶瓷布线基板中，过孔导体露出在陶瓷布线基板的表面。即使在这样的情况下，也能够如前所述地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出，因此能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。

此外，本发明还面向陶瓷布线基板的制造方法。

本发明涉及的陶瓷布线基板的制造方法是具备陶瓷绝缘体和过孔导体的陶瓷布线基板的制造方法。而且，包括以下的第一工序至第六工序。

第一工序是准备包含陶瓷绝缘体的原料粉末的生片的工序。第二工序是在生片中的至少一片形成贯通该生片的通孔的工序。第三工序是准备导体膏的工序，所述导体膏包含金属粉末、与陶瓷绝缘体的原料粉末含有共同的一种金属元素的添加物、以及有机载体。第四工序是在通孔填充导体膏的工序。第五工序是将包括在通孔填充了导体膏的生片在内的生片进行层叠，作为具备烧成前陶瓷绝缘体和烧成前过孔导体的烧成前陶瓷布线基板的工序。

第六工序是如下工序，即，将烧成前陶瓷布线基板进行烧成，使烧成前陶瓷绝缘体烧结，作为包含含有金属元素的晶质和非晶质的陶瓷绝缘体，并使烧成前过孔导体烧结，作为包含金属和氧化物的过孔导体。此时，使上述的金属元素扩散到非晶质中。而且，在陶瓷绝缘体中，使得围着且邻接过孔导体的厚度为5μm的筒状区域中的该金属元素的浓度比筒状区域以外的区域中的金属元素的浓度高。

上述的陶瓷布线基板的制造方法包括上述的第一工序至第六工序。因此，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质减少，可抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，在上述的陶瓷布线基板中，能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。

此外，过孔导体中的作为氧化物的成分的金属元素的离子扩散到陶瓷绝缘体中的非晶质中，从而过孔导体与陶瓷绝缘体牢固地接合，可抑制过孔导体与陶瓷绝缘体的剥离。

本发明涉及的陶瓷布线基板的制造方法优选具备以下的特征。即，陶瓷绝缘体的原料粉末包含化合物，该化合物构成为包含SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、以及Ba。

在上述的陶瓷布线基板的制造方法中，陶瓷绝缘体的原料粉末包含化合物，该化合物构成为包含SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、以及Ba。因此，在通过这些原料的反应烧结而得到的陶瓷绝缘体中生成硅钛钡石型化合物和钡长石型化合物。其结果是，能够得到高强度的陶瓷布线基板。

本发明涉及的陶瓷布线基板的制造方法还优选具备以下的特征。即，导体膏包含的添加物是TiO₂粉末和Al₂O₃粉末中的至少一者。

在导体膏包含的添加物为TiO₂粉末和Al₂O₃粉末中的至少一者的情况下，即使Ti离子和Al离子从前述的添加物向非晶质中扩散，其固溶量也少。因此，Ti和Al发挥作用，使得在非晶质中析出包含Ti的晶质和包含Al的晶质。关于该晶质的析出，可与Ti和Al一同使用非晶质的成分。特别是，Ti向非晶质中的固溶量少，容易作为在非晶质中析出晶质时的结晶核发挥作用。

因此，根据上述的陶瓷电子部件的制造方法，在将烧成前电子部件进行烧成时，能够有效地减少从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质，能够可靠地抑制过孔导体的端部被非晶质所覆盖。其结果是，能够减少过孔导体中的氧化物，能够兼顾过孔导体的低电阻化和向过孔导体端部有效地形成镀覆膜。

此外，导体膏包含的添加物为TiO₂粉末和Al₂O₃粉末中的至少一者的陶瓷布线基板的制造方法进一步优选具备以下的特征。即，TiO₂粉末和Al₂O₃粉末的比表面积为10m²/g以上。

在上述的陶瓷布线基板的制造方法中，导体膏包含的TiO₂粉末和Al₂O₃粉末的比表面积为10m²/g以上。当TiO₂粉末和Al₂O₃粉末的比表面积增大时，粉末表面的活性提高，少量的添加也能够增加Ti离子和Al离子的扩散量。因此，能够在围着且邻接过孔导体的筒状区域生成许多微小的硅钛钡石型化合物和钡长石型化合物的晶质。

其结果是，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质更有效地减少，能够可靠地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。而且，通过减少过孔导体中的氧化物，从而能够兼顾过孔导体的低电阻化和通过镀覆来有效地形成安装电极。

本发明涉及的陶瓷布线基板的制造方法还优选具备以下的特征。即，导体膏包含的添加物是含Ti的有机化合物和含Al的有机化合物中的至少一者。

在上述的陶瓷布线基板的制造方法中，导体膏包含的添加物为含Ti的有机化合物和含Al的有机化合物中的至少一者。在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，该含Ti的有机化合物或含Al的有机化合物会燃烧氧化而成为微小的、比表面积极大的TiO₂或Al₂O₃。因此，Ti离子和Al离子的扩散性高，少量的添加也能够在围着且邻接过孔导体的筒状区域生成许多微小的硅钛钡石型化合物或钡长石型化合物的晶质。

其结果是，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质更有效地减少，能够可靠地抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。而且，通过减少过孔导体中的氧化物，从而能够兼顾过孔导体的低电阻化和通过镀覆来有效地形成安装电极。

本发明涉及的陶瓷布线基板的制造方法还优选具备以下的特征。即，第六工序包括：在将烧成前陶瓷绝缘体的烧结开始温度设为T₁℃时，在T₁℃以上且(T₁+50)℃以下的温度范围内保持一小时以上的工序；以及在超过(T1+50)℃的给定的温度下保持一小时以上的工序。

在上述的陶瓷布线基板的制造方法中，第六工序是基于上述的给定的温度分布的烧成工序。通过基于这样的温度分布进行烧成，从而能够使前述的烧成前过孔导体包含的添加物中的金属元素之中的至少一种有效地扩散到非晶质中，使得析出晶质。

因此，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体浸入到烧成前过孔导体的非晶质减少，可抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。其结果是，在上述的陶瓷布线基板中，能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。

此外，第六工序为基于上述的给定的温度分布的烧成工序的陶瓷布线基板的制造方法进一步优选具备以下的特征。即，第五工序还包括：在烧成前陶瓷布线基板的两个主面上层叠收缩抑制用生片的工序，所述收缩抑制用生片包含在(T₁+50)℃下不会烧结收缩的收缩抑制用材料的原料粉末。

在上述的陶瓷布线基板的制造方法中，第五工序还包括：在烧成前陶瓷布线基板的两个主面上层叠收缩抑制用生片的工序。即，使得烧成前陶瓷布线基板被收缩抑制用生片夹着，从而可抑制陶瓷布线基板的烧成时的主面方向上的收缩。

其结果是，能够提高烧成后的陶瓷布线基板的尺寸精度。此外，设置于陶瓷布线基板的内部的过孔导体的端部露出在陶瓷布线基板的主面的情况下，能够降低该端部从陶瓷布线基板的主面突出的量。

发明效果

在本发明涉及的陶瓷布线基板中，陶瓷绝缘体中的围着且邻接过孔导体的筒状区域中的、陶瓷绝缘体中的晶质和过孔导体中的氧化物共同包含的金属元素的浓度比筒状区域以外的区域中的金属元素的浓度高。由此，可抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出，能够可靠且容易地通过镀覆来形成安装电极。此外，过孔导体与陶瓷绝缘体牢固地接合，可抑制过孔导体与陶瓷绝缘体的剥离。

此外，在本发明涉及的陶瓷布线基板的制造方法中，在将烧成前陶瓷布线基板进行烧成时，使得在非晶质中析出晶质。由此，降低残留的非晶质的量，且提高非晶质在高温时的粘度，其结果是，可抑制过孔导体的端部的非晶质的浮出。此外，通过使过孔导体中的作为氧化物的成分的金属元素的离子扩散到陶瓷绝缘体中的非晶质中，由此使过孔导体与陶瓷绝缘体牢固地接合，从而能够抑制过孔导体与陶瓷绝缘体的剥离。

附图说明

图1是示意性地示出本发明的实施方式涉及的陶瓷布线基板100的截面的图。

图2是用于说明图1所示的陶瓷布线基板100的制造方法的一个例子的图，是示意性地示出通过第一工序(生片准备工序)准备的生片5的图。

图3是同样的、示意性地示出通过第二工序(通孔形成工序)得到的形成了通孔6a至6d的生片5的图。

图4是同样的、示意性地示出通过第四工序(导体膏填充工序)得到的在通孔6a至6d填充了导体膏7的生片5的图。

图5是同样的、示意性地示出通过第五工序(生片层叠工序)得到的烧成前陶瓷布线基板10的图。

图6是同样的、示意性地示出通过第六工序(烧成工序)得到的陶瓷布线基板100的图。

图7是示意性地示出通过还包括收缩抑制用生片层叠工序的第五工序得到的、被收缩抑制用生片11夹着的烧成前陶瓷布线基板10A的图。

图8是用于说明作为本发明的实施方式涉及的陶瓷布线基板的变形例的陶瓷布线基板100A的制造方法的图，是示意性地示出通过第四工序准备的生片5的图。

图9是同样的、示意性地示出通过第五工序得到的烧成前陶瓷布线基板10B的图。

图10是同样的、示意性地示出通过第六工序得到的陶瓷布线基板100A的图。

图11是示意性地示出背景技术的陶瓷布线基板200的截面的图。

具体实施方式

以下，示出本发明的实施方式，并对作为本发明的特征之处进行更详细的说明。

-陶瓷布线基板的实施方式-

使用图1对本发明的实施方式涉及的陶瓷布线基板100进行说明。陶瓷布线基板100用作搭载IC芯片等有源部件和电容器等无源部件并对它们相互布线而进行模块化的布线基板。

图1是示意性地示出陶瓷布线基板100的截面的图。陶瓷布线基板100具备陶瓷绝缘体1和过孔导体2。在该实施方式中，陶瓷绝缘体1像后面说明的那样作为晶质包含SiO₂、Al₂O₃、钡长石(BaAl₂Si₂O₈)、硅钛钡石(Ba₂TiSi₂O₈)。另一方面，作为非晶质包含玻璃成分，该玻璃成分包含Si、Ba、Mn、Al、Ti、Zr、Mg的氧化物。此外，过孔导体2像后面说明的那样作为金属包含Cu，作为氧化物包含TiO₂或Al₂O₃。另外，形状为圆柱状。因此，在该实施方式中，陶瓷绝缘体1中的晶质和过孔导体2中的氧化物共同包含Ti或Al。

图1是包含过孔导体2的直径的面处的截面图。在此，通过以下的方法来规定陶瓷绝缘体1与过孔导体2的边界面2a、陶瓷绝缘体1中的围着且邻接过孔导体2的筒状区域3、以及筒状区域以外的区域4。

即，利用机械研磨机将陶瓷布线基板100研磨至包含过孔导体2的直径的面，使陶瓷布线基板100的截面露出。接着，对该截面进行平压铣削处理。进而，在碳涂敷处理之后，使用WDX(波长色散型X射线分光分析)测定装置(JEOL制造，商品名称：JXA-8530F)进行元素分析。将WDX的测定条件示于表1。

[表1]

对WDX的测定结果中的Cu的强度进行ASCII变换，并将Cu的强度值不足600的部位规定为陶瓷绝缘体1与过孔导体2的边界面2a。在该实施方式中，像后面说明的那样形成直径分别为30μm、50μm、100μm、150μm的4种过孔导体2。各直径规定为基于上述的规定的两个边界面2a、2a的间隔。

此外，如图1所示，在陶瓷绝缘体1中，将从边界面2a起厚度为5μm的区域规定为围着且邻接过孔导体的筒状区域3。进而，将与边界面2a相距100μm的厚度为5μm的区域规定为筒状区域以外的区域4。

在该实施方式中，在陶瓷绝缘体1中，围着且邻接过孔导体2的厚度为5μm的筒状区域3中的Ti的浓度比筒状区域以外的区域4中的Ti的浓度高。以下，对用于明确该情况的、该实施方式中的具体的实验结果进行说明。另外，在以下的说明中，引用在实验中使用的样品的制造方法作为对陶瓷布线基板100的制造方法的说明。

<第一工序(生片准备工序)>

使用图2至图5对陶瓷布线基板100的制造方法进行说明。图2是示意性地示出通过第一工序(生片准备工序)准备的生片5的图。

对上述的生片5的制造方法进行说明。作为初始原料，准备了粒径均为2.0μm以下的SiO₂、Al₂O₃、BaCO₃、ZrO₂、TiO₂、Mg(OH)₂、以及MnCO₃的各粉末。接着，称量这些初始原料粉末，使得成为给定的组成比，在进行湿式混合粉碎之后，进行干燥，得到混合物。将得到的混合物在还原气氛下在给定温度(例如700℃～900℃的范围)进行给定时间(例如30～300分钟的范围)的热处理，得到陶瓷绝缘体的生片5用的原料粉末。通过该热处理，BaCO₃变化为BaO，Mg(OH)₂变化为MgO，MnCO₃变化为MnO。

接着，在上述的生片5用的原料粉末中加入有机粘合剂、分散剂以及增塑剂并进行混合粉碎，使得原料粉末的平均粒径(D₅₀)为1.5μm以下，从而得到陶瓷浆料。接着，通过刮刀法在基材膜上将陶瓷浆料成型为片状，并使其干燥，得到将厚度调整成烧成后的厚度为20μm的生片5。

使用该生片5，测定后面说明的烧成前陶瓷绝缘体8(参照图5)的烧结开始温度T₁(℃)、以及烧成前陶瓷布线基板10(参照图5)的主面方向上的收缩率。此外，鉴定在烧成前陶瓷绝缘体8的烧结后生成的晶质的种类。

对烧成前陶瓷绝缘体8的烧结开始温度T₁(℃)的测定方法进行说明。压接10片上述的生片5，得到烧成前陶瓷绝缘体8的烧结开始温度测定用的样品。接着，使用通过N₂/H₂O/H₂控制为Cu不会氧化的气氛的TMA(热机械测定)装置(申请人的公司内部制造)，以2℃/分钟的升温速度将上述的样品从室温升温至1000℃。

在此，在TMA的测定结果中，在将初始的厚度设为T₀，并将某温度下的厚度设为t₁时，规定为厚度方向上的收缩率(％)＝[(t₁-t₀)/t₀]×100，并将厚度方向上的收缩率为-10％的时间点作为烧结开始温度。其结果是，该实施方式中的烧成前陶瓷绝缘体8的烧结开始温度T₁为900℃。

对烧成前陶瓷布线基板10的主面方向上的收缩率的测定方法进行说明。将上述的剪裁为同样的形状的生片5压接与上述同样的片数，得到烧成前陶瓷布线基板10的主面方向上的收缩率测定用的样品。接着，使用通过N₂/H₂O/H₂控制为Cu不会氧化的气氛的烧成炉(申请人的公司内部制造)，以2℃/分钟的升温速度将该样品从室温升温至给定温度(例如900℃～1000℃的范围)，在给定温度保持给定时间(例如60～300分钟的范围)之后，冷却至室温。

在将烧成前的上述的样品的周边长设为L₀，并将烧成后的上述的样品的周边长设为L₁时，规定为样品的主面方向上的收缩率(％)＝[(L₁-L₀)/L₀]×100，计算出样品的主面方向上的收缩率。其结果是，该实施方式中的烧成前陶瓷布线基板10的主面方向上的收缩率为-5％。

对在烧成前陶瓷绝缘体8的烧结后生成的晶质的种类的鉴定进行说明。将上述的剪裁为同样的形状的生片5以与上述同样的条件热压接与上述同样的片数，得到晶质的种类的鉴定用的样品。接着，使用通过N₂/H₂O/H₂控制为Cu不会氧化的气氛的烧成炉(申请人的公司内部制造)，以2℃/分钟的升温速度将该样品从室温升温至给定温度(例如900℃～1000℃的范围)，在给定温度保持给定时间(例如60～300分钟的范围)之后，冷却至室温。将烧成后的样品粉碎而成为粉末状。

使用将测定X射线设为Cu-Kα射线的衍射计对该粉末状样品进行X射线衍射。其结果是，该实施方式中的在烧成前陶瓷绝缘体8的烧结后生成的晶质鉴定为是SiO₂、Al₂O₃、钡长石、以及硅钛钡石。

<第二工序(通孔形成工序)>

图3是示意性地示出通过第二工序(通孔形成工序)得到的形成了通孔6a至6d的生片5的图。如图3所示，对在第一工序中得到的生片的厚度方向照射激光，形成贯通生片的通孔6a至6d。

另外，通孔6a至6d分别形成为，后面说明的通过填充导体膏7形成的烧成前过孔导体9a至9d(参照图5)在烧成后直径分别为30μm、50μm、100μm、150μm。此外，通孔6a至6d在一片生片分别各形成100个，并形成为使烧成后的间隔为500μm。

<第三工序(导体膏准备工序)>

对填充到在第二工序中形成于生片5的通孔6a至6d的导体膏的准备进行说明。作为初始原料，准备表2所示的金属粉末、表3所示的氧化物粉末、表4所示的有机化合物、以及乙基纤维素类树脂的有机载体。

[表2]

[表3]

*表示是本发明的范围之外。

[表4]

另外，表2中的粒度分布(D₁₀、D₅₀以及D₉₀)使用激光衍射/散射式粒度分布测定装置(堀场制作所制造，LA系列)进行测定。测定溶剂使用乙醇和异丙醇的混合物。此外，表2和表3的SSA(比表面积)使用基于利用了N₂气的BET(Brunauer、Emmet and Teller’s equation：布鲁诺-埃麦特-泰勒方程)单点法的SSA测定装置(Mountech制造，商品名称：Macsorb(注册商标))进行测定。此外，表3和表4中的真比重使用利用He气的干式自动密度计(岛津制作所制造，商品名称：AccuPyc系列)以及比重杯(安田精机制造)进行测定。进而，表4的Ti含量和Al含量使用ICP-AES(感应耦合等离子体发光分析装置，岛津制作所制造)进行测定。

将在表2至表4分别示出的初始原料调制为给定的组成比，并用三辊研磨机进行分散处理，从而得到表5所示的导体膏组成编号为P-1至P-18的导体膏。

[表5]

<第四工序(导体膏填充工序)>

图4是示意性地示出通过第四工序(导体膏填充工序)得到的、在通孔6a至6d分别填充了导体膏7的生片5的图。在图4所示的生片5中，对在第二工序中形成的通孔6a至6d分别填充了在第三工序中准备的导体膏7。准备给定的片数的这种生片5。

<第五工序(生片层叠工序)>

图5是示意性地示出通过第五工序(生片层叠工序)得到的烧成前陶瓷布线基板10的图。层叠给定的片数的在第四工序中得到的生片5，得到烧成前陶瓷布线基板10。烧成前陶瓷布线基板10具备烧成前陶瓷绝缘体8和烧成前过孔导体9。另外，烧成前过孔导体9a至9d分别是填充到通孔6a至6d的导体膏7层叠而成为柱状的过孔导体。

<第六工序(烧成工序)>

说明将在第五工序中得到的烧成前陶瓷布线基板10进行烧成而作为陶瓷布线基板100的烧成工序。烧成前陶瓷布线基板10的烧成工序具备以下的5个副工序。

为了分解烧成前陶瓷绝缘体8以及烧成前过孔导体9a至9d包含的有机粘合剂等，在还原气氛下以给定条件对未加工的层叠体进行热处理(第一副工序)。另外，在烧成前过孔导体9a至9d中包含含有金属的有机化合物的情况下(导体膏组成编号为P-17、P-18)，通过该工序而变化为金属氧化物。

为了使烧成前陶瓷布线基板10中包含的残留C不足0.1wt％，在还原气氛下以给定条件进行热处理(第二副工序)。

在该工序中，将烧成前陶瓷绝缘体8做成为包含晶质和非晶质的、是所谓的玻璃陶瓷的陶瓷绝缘体1。此外，将烧成前过孔导体9做成为过孔导体2。进而，使烧成前过孔导体9a至9d包含的氧化物在第二副工序中由于残留C的燃烧而部分被还原后的物质充分地再氧化。

在第三副工序之后，为了使过孔导体9中的氧化物扩散到陶瓷绝缘体1中的非晶质，在还原气氛下以给定条件进行热处理(第四副工序)。其结果是，陶瓷绝缘体1的晶质和过孔导体2共同包含的金属元素在围着且邻接过孔导体2的筒状区域3中的浓度比在筒状区域以外的区域4中的浓度高。

图6是示意性地示出通过以上的工序得到的、具备陶瓷绝缘体1和过孔导体2a至2d的陶瓷布线基板100的图。另外，在图6中省略了筒状区域3的图示。

对像上述那样得到的陶瓷布线基板100的陶瓷绝缘体1进行晶质的种类的鉴定、非晶质的组成分析、以及非晶质的碱度的计算。将其结果示于表6。以下，对进行了各种评价的陶瓷布线基板100标注与导体膏的种类对应的分析试样编号(S-1至S-18)。

[表6]

对陶瓷绝缘体1的晶质的种类的鉴定方法进行说明。利用机械研磨机将陶瓷布线基板100研磨至包含过孔导体2的直径的面，使陶瓷布线基板100的截面露出。接着，对该截面进行平压铣削处理。在陶瓷布线基板100的截面中，对与像前述的那样规定的陶瓷绝缘体1与过孔导体2的边界面2a相距100μm的部分进行FIB(聚焦离子束)加工而得到薄片。

使用STEM(扫描透射型电子显微镜/HITACHI制造，商品名称：HD-2300A)、EDAX(能量色散型X射线分光分析装置/AMETEK制造，商品名称：GenesisXM4)对得到的薄片进行分析，调查了晶质的存在。进而，使用FE-TEM(电场辐射型透射电子显微镜/日本电子制造，商品名称：JEM-2200FS)对鉴定为晶质的部位进行限制视野电子射线衍射，根据得到的衍射图案计算出结晶的各种面间隔，并进行与该面间隔一致的晶质的鉴定。另外，将利用STEM/EDAX的分析条件示于表7。将上述得到的结果记载在表6的晶质氧化物的种类一栏。

[表7]

对陶瓷绝缘体1的非晶质的组成分析方法进行说明。与上述的晶质的种类的鉴定同样地，使用上述的STEM/EDAX对得到的薄片进行EDX分析，从而对非晶质进行组成分析。将上述得到的结果记载在表6的非晶质氧化物的种类一栏。

根据通过EDX分析得到的非晶质的组成，利用以下的(1)式和(2)式计算出非晶质的碱度。将上述得到的结果记载在表6的非晶质氧化物的碱度一栏。

[数学式3]

在包含多种阳离子成分时，…(1)

(n_i是阳离子M_i的组成比)

[数学式4]

其中，BMi-O₀是将某种元素的氧化物表示为MiO的情况下的MiO的氧供给能力。BSi-O₀是SiO₂的氧供给能力。BCa-O₀是CaO的氧供给能力。rMi是阳离子Mi的离子半径ZMi是阳离子Mi的价数。另外，作为阳离子Mi的离子半径，使用鲍林(pauling)离子半径的值，并将对计算值的小数第五位进行四舍五入后的值作为BMi-O。

对像上述那样得到的陶瓷布线基板100的过孔导体2进行氧化物的种类的鉴定、以及氧化物的碱度的计算。将其结果示于表8。

[表8]

对过孔导体2中的氧化物的种类的鉴定方法进行说明。利用机械研磨机将陶瓷布线基板100研磨至包含过孔导体2的直径的面，使陶瓷布线基板100的截面露出。接着，对该截面进行平压铣削处理。在过孔导体2的截面中，通过FIB加工将从陶瓷布线基板100的主面起大致10μm至100μm内部的区域进行薄片化。利用与前述的陶瓷绝缘体1的晶质的种类的鉴定方法同样的方法，对得到的薄片进行散布在上述的区域内的氧化物的种类的鉴定。其结果是，可确认检测出的氧化物为晶质且大致为单一成分。将上述得到的结果记载在表8的过孔导体内的晶质氧化物的种类一栏。

利用前述的(1)式和(2)式对上述确认的氧化物计算出氧化物的碱度。将上述得到的结果记载在表8的过孔导体中的晶质氧化物的碱度一栏。

此外，根据关于陶瓷绝缘体1和过孔导体2的分析结果来分析陶瓷绝缘体1与过孔导体2的相互作用。将其结果示于表9。

[表9]

*表示是本发明的范围之外。

将陶瓷绝缘体1的非晶质和过孔导体2中的氧化物共同包含的金属元素记载在表9的共同元素一栏。此外，将陶瓷绝缘体1的非晶质的碱度与过孔导体2中的氧化物的碱度之差的绝对值记载在表9的碱度差一栏。

此外，对于陶瓷绝缘体1，分析围着且邻接过孔导体2的筒状区域3的共同元素的浓度以及筒状区域以外的区域4的共同元素的浓度。进而，进行存在于筒状区域3的包含共同元素的晶质的鉴定。将其结果示于表10。

[表10]

对筒状区域3的共同元素的浓度、以及筒状区域以外的区域4的共同元素的浓度的分析方法进行说明。通过FIB加工将从像前述的那样规定的陶瓷绝缘体1与过孔导体2的边界面2a起厚度为5μm的区域内(筒状区域3)和与边界面2a相距100μm的厚度为5μm的区域(筒状区域以外的区域4)进行薄片化。另外，该薄片将分别与图1所示的截面正交的方向作为主面。使用前述的STEM/EDAX对得到的薄片进行EDX分析，调查了共同元素的浓度。

然后，对筒状区域3中的共同元素的浓度和筒状区域以外的区域4中的共同元素的浓度进行比较，在筒状区域3中的共同元素的浓度更高的情况下，在表10的共同元素一栏记载为“高”。此外，在筒状区域3中的共同元素的浓度等于或低于筒状区域以外的区域4中的共同元素的浓度的情况下，在表10的共同元素一栏记载为“低”。

对存在于筒状区域3的包含共同元素的晶质的鉴定方法进行说明。对进行上述的分析的结果是共同元素的浓度高的筒状区域3进行与上述同样的处理而得到薄片。通过与前述的陶瓷绝缘体1的晶质的种类的鉴定方法同样的方法对得到的薄片进行散布在上述的区域内的氧化物的种类的鉴定。将上述得到的结果记载在表10的筒状区域的晶质氧化物的种类一栏。

此外，对过孔导体2评价对于露出在陶瓷布线基板100的主面的端部的镀覆性、陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间的剥离、以及过孔导体2的致密性。将其结果示于表11。

[表11]

说明对于露出在陶瓷布线基板100的主面的过孔导体2的端部的镀覆性的评价方法。对露出的过孔导体2的端部进行无电解镀Ni处理。在镀覆处理之后，用荧光X射线测定过孔导体2的端部表面的Ni镀层厚度。关于测定样品数，对于具有前述的直径的过孔导体2a至2d而分别设为100个。

计算出过孔导体2a至2d各自中的Ni镀层厚度的平均值，将Ni镀层厚度超过4μm的试样判断为Ni镀覆性特别良好，并在表11的评价结果的镀覆性一栏记载为“S”。此外，将Ni镀层厚度为1μm以上且4μm以下的试样判断为Ni镀覆性良好，并在表11的上述栏记载为“A”。另一方面，将Ni镀层厚度不足1μm的试样判断为Ni镀覆性不良，并在表11的上述栏记载为“B”。

对陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间的剥离的评价方法进行说明。对陶瓷布线基板100进行荧光液浸渗处理。在荧光液浸渗处理之后，使用热风干燥机在150℃进行10分钟干燥。接着，利用机械研磨机将陶瓷布线基板100研磨至包含过孔导体2的直径的面，使陶瓷布线基板100的截面露出。用荧光显微镜观察该截面，观察陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间是否浸渗有荧光液。关于测定样品数，对于具有前述的直径的过孔导体2a至2d而分别设为10个。

在过孔导体2a至2d各自中的10个样品之中，将一个都没有在陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间浸渗荧光液的试样判断为在陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间不存在剥离，并在表11的评价结果的剥离一栏记载为“A”。另一方面，只要有一个确认到荧光液浸渗到陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间，就将该试样判断为在陶瓷绝缘体1与过孔导体2之间存在剥离，并在表11的上述栏记载为“B”。

对过孔导体2的致密性的评价方法进行说明。用荧光显微镜对通过与上述同样的方法露出的陶瓷布线基板100的截面进行观察，观察荧光液对过孔导体2的浸渗深度。关于测定样品数，对于具有前述的直径的过孔导体2a至2d而分别设为10个。

计算出过孔导体2a至2d各自中的荧光液的浸渗深度的平均值，将荧光液的浸渗深度不足20μm的试样判断为致密性特别良好，并在表11的评价结果的致密性一栏记载为“S”。此外，将荧光液的浸渗深度为20μm以上且40μm以下的试样判断为致密性良好，并在上述栏记载为“A”。另一方面，将荧光液的浸渗深度超过40μm的试样判断为致密性不良，并在上述栏记载为“B”。

在像以上那样评价的镀覆性、剥离、以及致密性这3个项目之中，只要有一个被评价为“B”的项目，就将该试样判断为在本发明的范围之外，并在表11的评价结果的综合评价一栏记载为“B”。另一方面，将在上述的3个项目之中没有一个被评价为“B”的项目且过孔导体2a(直径为30μm)的镀覆性被评价为“S”的试样判断为特别良好，并在表11的上述栏记载为“S”。此外，将在上述的3个项目之中没有一个被评价为“B”的项目且过孔导体2a的镀覆性被评价为“A”的试样判断为良好，并在表11的上述栏记载为“A”。

根据表11可知，在本发明的范围内的分析试样编号为S-1至S-7、S-14至S-15、以及分析试样编号为S-17至S-18的陶瓷布线基板100的镀覆性、剥离、以及致密性优异。

如前所述，在陶瓷布线基板100所具备的陶瓷绝缘体1中，在将烧成前陶瓷布线基板10进行烧成时，前述的共同金属的离子会扩散到陶瓷绝缘体1的非晶质中。另一方面，因为其固溶限度小，所以共同元素的离子会与非晶质的成分反应而从非晶质析出晶质。其结果是，陶瓷绝缘体1包含的非晶质的量减少。此外，在共同元素的离子与非晶质反应而成为晶质时，非晶质中的具有在高温时降低处于熔解状态的非晶质的粘度的作用的金属元素(例如，碱土类金属元素)会导入到晶质中。因此，残留的非晶质在高温时的粘度会提高。

可认为，通过以上的效果，在将烧成前陶瓷布线基板10进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体8浸入到烧成前过孔导体9的非晶质减少，可抑制过孔导体2的端部的非晶质的浮出。

另外，与Al₂O₃相比，碱度差更小的TiO₂固溶到陶瓷绝缘体1的非晶质中的量更少，而且，当固溶到陶瓷绝缘体1的非晶质中时，会立刻形成晶质(硅钛钡石)。可推测，其结果是，围着且邻接过孔导体2的筒状区域3中的陶瓷绝缘体1的非晶质的粘度上升，阻碍非晶质向过孔导体2的浸入的缘故。

-陶瓷布线基板的制造方法的变形例-

使用图7对本发明的实施方式涉及的陶瓷布线基板100的制造方法的变形例进行说明。图7是示意性地示出在前述的第五工序(生片层叠工序)还包括收缩抑制用生片层叠工序的情况下得到的、被收缩抑制用生片11夹着的烧成前陶瓷布线基板10A的图。

在上述的变形例中，第一工序至第四工序、以及第六工序与前述的陶瓷布线基板100的制造方法相同。因此，以下对还包括收缩抑制用生片层叠工序的第五工序进行说明，关于其它工序的详细的说明，只简单触及。

通过与前述的陶瓷布线基板100的制造方法的第一工序(生片准备工序)同样的方法来准备作为收缩抑制用材料的原料粉末而包含Al₂O₃的收缩抑制用生片11。此外，通过第一工序至第四工序(导体膏填充工序)得到在通孔6a至6d填充了导体膏组成编号为P-2的导体膏7的生片5。

在第五工序中层叠给定的片数的像上述那样得到的收缩抑制用生片11和生片5，并进行热压接而得到烧成前陶瓷布线基板10A。此时，使得烧成前陶瓷布线基板10A成为被该收缩抑制用生片11夹着的状态。收缩抑制用生片11的层叠片数是任意的，但是需要层叠到可抑制陶瓷布线基板中的烧成时的主面方向上的收缩的程度。

此后，通过第六工序(烧成工序)进行烧成前陶瓷布线基板10A的烧成，得到被收缩抑制层夹着的状态的陶瓷布线基板100。此外，在该实施方式中，对烧成后的陶瓷布线基板100进行喷砂处理，除去夹着陶瓷布线基板100的收缩抑制层。将像这样得到的陶瓷布线基板100的分析试样编号设为S-19。另外，将使用填充了与上述同样的导体膏7的生片5且未使用收缩抑制用生片11制作的陶瓷布线基板100(分析试样编号为S-2)作为比较的对象。

对分析试样编号为S-19的陶瓷布线基板100进行与在前述的本发明的实施方式中进行过的评价同样的评价。进而，对分析试样编号为S-2和S-19的陶瓷布线基板100测定过孔导体2a至2d的端部从陶瓷布线基板100的主面突出的量。另外，上述的突出量使用激光位移显微镜进行测定。关于测定样品数，对于过孔导体2a至2d而分别设为100个，将各自的测定结果的平均值作为过孔导体2a至2d的突出量。将其结果示于表12。

[表12]

根据表12可知，分析试样编号为S-19的陶瓷布线基板100中的过孔导体2a至2d的突出量比分析试样编号为S-2的陶瓷布线基板100中的过孔导体2a至2d的突出量小。另外，在分析试样编号为S-19的陶瓷布线基板100中的突出量以外的评价项目中得到的结果与在分析试样编号为S-2的陶瓷布线基板100中得到的结果相同。

-陶瓷布线基板的变形例-

使用图8至图10对作为本发明的实施方式涉及的陶瓷布线基板的变形例的陶瓷布线基板100A进行说明。图8是示意性地示出通过前述的第四工序准备的生片5的图。此外，图9是示意性地示出通过前述的第五工序得到的烧成前陶瓷布线基板10B的图。进而，图10是示意性地示出通过前述的第六工序得到的陶瓷布线基板100A的图。

在上述的变形例中，第一工序至第三工序、第五工序以及第六工序与前述的陶瓷布线基板100的制造方法相同。因此，以下对并用了与导体膏7不同的导体膏7a的第四工序进行说明，对于其它工序的详细的说明，只简单触及。

在到此为止进行说明的实施方式中，在图4所示的第四工序中，在分别形成于多个生片5的通孔6a至6d填充了相同的导体膏7。在该变形例中，如图8所示，在图4中的形成于最下层的生片5和最上层的生片5的通孔6a至6d填充了导体膏7。然后，在形成于除此以外的生片5的通孔6a至6d填充了与导体膏7不同的导体膏7a。另外，在通孔6a至6d填充了导体膏7的生片5也可以是包括最上层的多层以及包括最下层的多层。

将通过第五工序对在第四工序中准备的生片5进行热压接而得到的烧成前陶瓷布线基板10B示于图9。在烧成前陶瓷布线基板10B所具备的烧成前过孔导体9a至9d中，位于烧成前陶瓷布线基板10B的一个主面的附近以及另一个主面的附近并露出一个端部的部分9as至9ds由导体膏7形成。此外，位于烧成前陶瓷布线基板10B的内部的部分9ai至9di由导体膏7a形成。

而且，将在第六工序中对烧成前陶瓷布线基板10B进行烧成而得到的陶瓷布线基板100A示于图10。在陶瓷布线基板100A所具备的过孔导体2a至2d中，位于陶瓷布线基板100A的一个主面的附近和另一个主面的附近并露出一个端部的部分2as至2ds是像上述那样使导体膏7烧结而成的。另一方面，位于陶瓷布线基板100A的内部的部分2ai至2di是使导体膏7a烧结而成的。

在该变形例中，用于形成配置在陶瓷布线基板100A的内部的过孔的过孔膏不包含与陶瓷绝缘体1的晶质共同的金属元素。即，在陶瓷布线基板100A之中，在围着过孔导体2的部分中该金属元素的浓度提高的是位于陶瓷布线基板100A中的一个主面的附近和另一个主面的附近的部分2as至2ds。可以说，在该情况下，在陶瓷绝缘体1中，围着且邻接过孔导体2的厚度为5μm的筒状区域3中的该金属元素的浓度也比筒状区域以外的区域4中的金属元素的浓度高。

因此，在该变形例中，在将烧成前陶瓷布线基板10B进行烧成时，从烧成前陶瓷绝缘体8浸入到烧成前过孔导体9的非晶质电会减少，也可抑制过孔导体2的端部的非晶质的浮出。其结果是，可抑制过孔导体2与陶瓷绝缘体1的剥离。

另外，本发明不限定于上述的实施方式，能够在本发明的范围内进行各种应用、变形。此外，需要指出的是，本说明书记载的作用只是推定，本发明并非只通过该作用才成立。进而，需要一并指出的是，本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式之间进行结构的部分置换或组合。

附图标记说明

100：陶瓷布线基板；

1：陶瓷绝缘体；

2：过孔导体；

3：筒状区域；

4：筒状区域以外的区域。