1.一种自谐振射频功率源，其特征在于，包括：
场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；
其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；
所述第一匹配电路、所述第二匹配电路及所述第三匹配电路用于使所述场效应管、所述功率耦合控制单元及所述频率选择单元三者之间匹配连接；
所述功率耦合控制单元用于控制反馈到所述功率耦合控制单元的输入功率的大小；
所述频率选择单元用于选择在工作频率范围内的频率并返回给所述频率选择单元；
当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。
2.根据权利要求1所述的自谐振射频功率源，其特征在于，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路包括：
所述场效应管的漏极与所述第一匹配电路一端连接，所述第一匹配电路另一端与所述功率耦合控制单元一端连接，所述功率耦合控制单元另一端与所述第二匹配电路一端连接，所述第二匹配电路另一端与所述频率选择单元一端连接，所述频率选择单元另一端与所述第三匹配电路一端连接，所述第三匹配电路另一端与所述场效应管的栅极连接构成反馈环路；
所述场效应管的源极与接地端连接。
3.根据权利要求1所述的自谐振射频功率源，其特征在于，还包括：
单片机，所述单片机的输出端与所述场效应管的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的自谐振射频功率源，其特征在于，还包括：
当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的栅极电压时，可以控制所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率。
5.根据权利要求4所述的自谐振射频功率源，其特征在于，当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的栅极电压时，可以控制所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率包括：
当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的栅极电压，通过改变所述场效应管的寄生参数，再配合所述频率选择单元及所述功率耦合控制单元，进而控制所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率。
6.根据权利要求5所述的自谐振射频功率源，其特征在于，所述寄生参数包括：
栅极寄生对地电容、栅极寄生对地电阻及漏极寄生对地电容。
7.根据权利要求3所述的自谐振射频功率源，其特征在于，还包括：
当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的漏极电压时，可以改变所述自谐振射频功率源的工作功率的大小。
8.根据权利要求7所述的自谐振射频功率源，其特征在于，当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的漏极电压时，可以改变所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作功率的大小包括：
当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的漏极电压，通过改变所述场效应管的饱和输出功率，在配合所述频率选择单元及所述功率耦合控制单元，可以改变所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率的大小。