带通滤波器以及滤波器模块的利记博彩app

本发明涉及设定有规定的通带的带通滤波器以及具备该滤波器的滤波器模块。

背景技术：

近年来，提供有与多模式，多频带对应的通信终端。在这样的通信终端中搭载有仅使所希望的通信信号通过的带通滤波器。例如，如图11所示，提出有通过集总常数型的LC高通滤波器501和集总常数型的LC低通滤波器502串联连接而形成的带通滤波器500(例如参照专利文献1)。具体而言，LC高通滤波器501由在连接输入端子A51和输出端子B51的路径W51上串联连接的2个电容器C51、C52、以及连接在电容器C51和电容器C52之间的路径与接地电位之间的电感器L51形成。另外，LC低通滤波器502由在路径W51上串联连接的一个电感器L52、以及在电感器L52的两端位置分别连接在路径W51与接地电位之间的2个电容器C55以及C56形成。

而且，通过LC高通滤波器501与LC低通滤波器502串联连接并设定规定的通带来形成带通滤波器500。通过这样，能够实现带通滤波器500的通带的宽带化。另外，通过对LC高通滤波器501的电感器L51串联地附加电容器C53，并对LC低通滤波器502的电感器L52并列地附加电容器C54，来调整带通滤波器500的电路常量，可任意地设定带通滤波器500的通带特性。

专利文献1：日本特开平9-181549号公报(第0008、0009段、图1、2、摘要等)

然而，在与多模式、多频带对应的通信终端中，选择性地使用各个频带不同的多个通信信号来进行通信。近年来，由于对各通信信号的每一个通信信号所分配的频带相互处于接近的趋势，所以迫切期望具备更加陡峭的衰减特性的带通滤波器。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种改善衰减特性的带通滤波器，并且提供一种具备该带通滤波器的滤波器模块。

为了实现上述目的，本发明的带通滤波器的特征在于，该带通滤波器具备：LC滤波器，其包含电感器和电容器；第一弹性波谐振器，其具有谐振频率和反谐振频率；以及第二弹性波谐振器，其具有谐振频率和反谐振频率，该带通滤波器设定有规定的通带，在这样的带通滤波器中，上述第一弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率的至少一方是位于比上述通带靠低频侧的第一通阻带内的第一衰减极点，上述第二弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率的至少一方是位于比上述通带靠高频侧的第二通阻带内的第二衰减极点，上述第一弹性波谐振器包含第一电极以及形成有上述第一电极的具有压电性的第一基底基板，上述第二弹性波谐振器包含第二电极以及形成有上述第二电极的具有压电性的第二基底基板，上述第一基底基板的种类与上述第二基底基板的种类相互不同，以及/或者，上述第一电极的结构与上述第二电极的结构相互不同。

在这样构成的发明中，能够更加陡峭地设定带通滤波器的低频侧的衰减特性，并能够更加陡峭地设定带通滤波器的高频侧的衰减特性。

另外，就第一弹性波谐振器而言，为了得到其频率特性，能够以最佳的第一基底基板的种类以及第一电极的结构形成，就第二弹性波谐振器而言，为了得到其频率特性，能够以最佳的第二基底基板的种类以及第二电极的结构形成。因此，若与由在相同种类的基底基板上以相同的结构形成的电极形成频率特性各不相同的第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器的情况相比较，能够更加陡峭地形成由第一弹性波谐振器形成的第一衰减极点以及由第二弹性波谐振器形成的第二衰减极点。因此，能够提供一种进一步改善了衰减特性的带通滤波器。

此时，也可以为上述第一基底基板与上述第二基底基板的材料或机电耦合系数相互不同、或者上述第一电极与上述第二电极的形状相互不同。

另外，也可以由上述第一弹性波谐振器、上述LC滤波器的上述电感器所包含的第一电感器、以及上述LC滤波器的上述电容器所包含的第一电容器构成具有上述第一通阻带的LC高通滤波器，由上述第二弹性波谐振器、上述LC滤波器的上述电感器所包含的第二电感器、以及上述LC滤波器的上述电容器所包含的第二电容器构成具有上述第二通阻带的LC低通滤波器，上述第一通阻带的比上述第一衰减极点靠低频侧的衰减特性由上述第一电感器以及上述第一电容器设定，第二通阻带的比上述第二衰减极点靠高频侧的衰减特性由上述第二电感器以及上述第二电容器设定，且上述LC高通滤波器以及上述LC低通滤波器串联连接。

若这样构成，则能够将带通滤波器的通带设定为更宽的频带。另外，由于在通带的低频侧的第一通阻带，由LC高通滤波器的第一弹性波谐振器形成第一衰减极点，所以能够改善第一通阻带与通带的边界附近的衰减特性。而且，由于比第一衰减极点靠低频侧的衰减特性由LC高通滤波器的第一电感器以及第一电容器设定，所以能够抑制比第一衰减极点靠低频侧的衰减特性的恶化。

另外，由于在通带的高频侧的第二通阻带，由LC低通滤波器的第二弹性波谐振器形成第二衰减极点，所以能够改善第二通阻带与通带的边界附近的衰减特性。而且，由于比第二衰减极点靠高频侧的衰减特性由LC低通滤波器的第二电感器以及第二电容器设定，所以能够抑制比第二衰减极点靠高频侧的衰减特性的恶化。

另外，也可以为上述LC高通滤波器具备第一输入端子、第一输出端子、在连接上述第一输入端子和上述第一输出端子的第一路径内串联连接的多个上述第一电容器、以及连接在上述第一路径与接地电位之间的至少一个上述第一电感器，在上述第一弹性波谐振器的比谐振频率靠低频侧以及比反谐振频率靠高频侧，利用上述第一弹性波谐振器的电容性形成至少一个上述第一电容器。

另外，也可以为上述LC低通滤波器具备第二输入端子、第二输出端子、在连接上述第二输入端子和上述第二输出端子的第二路径内串联连接的多个上述第二电感器、以及连接在上述第二路径与接地电位之间的至少一个上述第二电容器，在上述第二弹性波谐振器的比谐振频率靠低频侧以及比反谐振频率靠高频侧，利用上述第二弹性波谐振器的电容性由上述第二弹性波谐振器形成至少一个上述第二电容器。

另外，也可以为具备输入端子、输出端子、在连接上述输入端子和上述输出端子的路径内串联连接的多个第三电容器、以及连接在上述路径与接地电位之间的LC并联谐振电路，至少一个上述第三电容器利用上述第一弹性波谐振器的电容性形成、或者构成上述LC并联谐振电路的至少一个谐振电路用电容器利用上述第一弹性波谐振器或者上述第二弹性波谐振器的电容性形成。

另外，也可以为具备输入端子、输出端子、在连接上述输入端子和上述输出端子的路径内串联连接的多个第一弹性波谐振器、以及连接在上述路径与接地电位之间的多个第二弹性波谐振器。

即使这样构成，也能够提供具有良好的衰减特性的带通滤波器。

另外，也可以为在上述路径内上述第一弹性波谐振器以及上述第二弹性波谐振器未串联连接。

这样，由于在连接输入端子和输出端子的路径内未配置第二弹性波谐振器，所以能够减少通带中的插入损失。

另外，也可以为在连接上述输入端子和上述输出端子的路径内串联连接的上述多个第一弹性波谐振器的上述反谐振频率是上述第一衰减极点，连接在上述路径与接地电位之间的上述多个第二弹性波谐振器的上述谐振频率是上述第二衰减极点。

这样，能够更加陡峭地设定带通滤波器的低频侧的衰减特性，并能够更加陡峭地设定带通滤波器的高频侧的衰减特性。

另外，也可以为上述第一弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第二弹性波谐振器是压电薄膜谐振器或者SMR型BAW谐振器。

另外，也可以为上述第一弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第二弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第一基底基板是钽酸锂压电基板，上述第二基底基板是铌酸锂压电基板。

另外，也可以为上述第一弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第二弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第一基底基板的切割角与上述第二基底基板的切割角不同。

另外，也可以为上述第一弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第二弹性波谐振器是SAW谐振器，构成上述第一弹性波谐振器的SAW谐振器的电极构造与构成上述第二弹性波谐振器的SAW谐振器的电极构造不同。

另外，也可以为上述第一弹性波谐振器是SAW谐振器，上述第二弹性波谐振器是SAW谐振器，构成上述第一弹性波谐振器的SAW谐振器的电极膜厚与构成上述第二弹性波谐振器的SAW谐振器的电极膜厚不同。

另外，本发明的滤波器模块的特征在于，具备用于安装上述第一基底基板以及上述第二基底基板的模块基板。

在这样构成的发明中，能够提供具备实现了衰减特性的改善的带通滤波器的滤波器模块。

根据本发明，对于第一弹性波谐振器，能够以最适合其频率特性的第一基底基板的材料或者机电耦合系数以及最佳的第一电极的形状来形成，对于第二弹性波谐振器，能够以最适合其频率特性的第二基底基板的材料或者机电耦合系数以及最佳的第二电极的形状来形成。因此，若与在相同的材料或者机电耦合系数的基底基板上以相同的形状的电极构成频率特性各不相同的第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器的情况相比较，则能够更加陡峭地形成由第一弹性波谐振器形成的第一衰减极点以及由第二弹性波谐振器形成的第二衰减极点，并能够提供实现了衰减特性的改善的带通滤波器。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的滤波器模块的图。

图2是表示图1的滤波器模块所具备的带通滤波器的电路图。

图3是表示图2的带通滤波器的通过特性的图。

图4是表示弹性波谐振器的频率特性的图。

图5是表示LC高通滤波器的一个例子的电路图。

图6是表示LC低通滤波器的一个例子的电路图。

图7是表示第一实施方式的带通滤波器以及比较例各自的频率特性的图。

图8是表示本发明的第二实施方式的带通滤波器的电路图。

图9是表示本发明的第三实施方式的带通滤波器的电路图。

图10是表示图9的带通滤波器的通过特性的图。

图11是表示以往的带通滤波器的图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

参照图1～图6对本发明的滤波器模块的第一实施方式进行说明。

此外，在图1以及图2中，仅图示有本发明的主要结构，为了使说明简单化，而省略其它结构的图示。另外，对于在之后的说明中所参照的各附图，与图1以及图2相同仅图示有主要的结构，在以下的说明中省略其说明。

(滤波器模块)

图1以及图2所示的滤波器模块1例如形成为配置于紧接在移动电话、便携式信息终端等通信移动终端所具备的天线元件后的前端模块，该滤波器模块1具备图2所示的带通滤波器100。在本实施方式中，滤波器模块1具备模块基板2、第一基底基板3、第二基底基板4、以及电感器、电容器等各种电路部件5。第一基底基板3、第二基底基板4、以及各种电路部件5安装于设置在模块基板2的安装面2a上的安装用的电极2b，经由设置于模块基板2的布线电极6与形成于模块基板2的背面的多个安装用电极2c电连接。此外，在第一基底基板3上形成有构成第一弹性波谐振器的第一电极(图示省略)，在第二基底基板4上形成有构成第二弹性波谐振器的第二电极，对于该结构在后面进行详细说明。

模块基板2层叠多个电介质层而形成，由形成于各电介质层的导通孔导体以及面内导体图案形成使安装于模块基板2的第一基底基板3、第二基底基板4、电路部件5电连接的布线电极6、安装用电极2c等，它们相互电连接形成带通滤波器100。此外，也可以由形成于各电介质层的面内导体图案以及导通孔导体形成的容器、电感器等电路元件与第一基底基板3、第二基底基板4、各种电路部件5相互电连接，从而形成带通滤波器100。

(带通滤波器)

在本实施方式中，如图3所示，带通滤波器100设定规定的通带PB。如图2所示，带通滤波器100具备LC高通滤波器101和LC低通滤波器102，上述LC高通滤波器101和LC低通滤波器102在连接输入端子A和输出端子B的路径W上串联连接，上述LC高通滤波器101在比通带PB靠低频侧设定有第一通阻带RB1，上述LC低通滤波器102在比通带PB靠高频侧设定有第二通阻带RB2。而且，通过LC高通滤波器101和LC低通滤波器102串联连接，而形成设定有通带PB以及第一通阻带RB1、第二通阻带RB2的带通滤波器100。

LC高通滤波器101具备与LC低通滤波器102的第二输出端子B2连接的第一输入端子A1、与带通滤波器100的输出端子B连接的第一输出端子B1、由形成于第一基底基板3的第一电极构成的多个第一弹性波谐振器S1～S5以及P1～P5、多个第一电感器L1～L4、和衰减特性调整用的电容器C1。另外，在连接第一输入端子A1和第一输出端子B1的第一路径W1上，5个第一弹性波谐振器S1～S5串联连接。在串联连接的两个第一弹性波谐振器之间、且第一路径W1与接地电位之间，连接有多个第一电感器L1～L4。

另外，在第一电感器中的第一电感器L2与连结第一弹性波谐振器S2和S3的路径之间串联连接有第一弹性波谐振器P1。在第一电感器L3与连结第一弹性波谐振器S3和S4的路径之间串联连接有第一弹性波谐振器P2。在第一电感器L4与连结第一弹性波谐振器S4和S5的路径之间串联连接有第一弹性波谐振器P1。在第一电感器L1与连结第一弹性波谐振器S1和S2的路径之间串联连接有衰减特性调整用的电容器C1。另外，如图3所示，各第一弹性波谐振器形成为在与第一通阻带RB1的通带PB的边界附近即频带APL具有谐振频率以及反谐振频率的至少一方。而且，如图3所示，通过将多个第一弹性波谐振器的每一个第一弹性波谐振器的谐振频率或反谐振频率设为不同的值，能够在频带APL形成第一衰减极点组。通过像这样形成第一衰减极点组，能够在第一通阻带RB1的通带PB附近形成具有所希望的衰减特性的频带。

另外，如图4所示，第一弹性波谐振器在比其谐振频率靠低频侧的频带作为电容性的元件发挥作用。因此，如图3所示，比第一衰减极点组靠低频侧的频带AL中的高频信号的衰减特性由各第一电感器、衰减特性调整用的电容器C1、作为电容性的元件来发挥作用的第一弹性波谐振器设定。

如上所述，由第一弹性波谐振器形成在LC高通滤波器101的第一路径W1上串联连接的本发明的“第一电容器”。

LC低通滤波器102具备：与带通滤波器100的输入端子A连接的第二输入端子A2、与高通滤波器101的第一输入端子A1连接的第二输出端子B2、由形成于第二基底基板4的第二电极构成的多个第二弹性波谐振器P4～P8、第二电感器L10～L13、衰减特性调整用的电容器C2～C5、以及衰减特性调整用的电感器L5～L9。另外，在连接第二输入端子A2和第二输出端子B2的第二路径W2上，四个第二电感器串联连接，在串联连接的两个第二电感器之间、且第二路径W2与接地电位之间，连接有第二弹性波谐振器P4～P8。

另外，第二弹性波谐振器P4～P8的每一个分别与衰减特性调整用的电感器L5～L9串联连接。另外，第二电感器L10～L13的每一个分别与衰减特性调整用的电容器C2～C5并列连接。另外，如图3所示，各第二弹性波谐振器形成为在与第二通阻带RB2的通带PB的边界附近即频带APH具有谐振频率以及反谐振频率的至少一方。而且，通过将多个第二弹性波谐振器的每一个第二弹性波谐振器的谐振频率或反谐振频率设为不同的值，能够在频带APH形成第二衰减极点组。通过像这样形成第二衰减极点组，能够在第二通阻带RB2的通带PB附近形成具有所希望的衰减特性的频带。

另外，如图4所示，第二弹性波谐振器在比其反谐振频率靠高频侧的频带作为电容性的元件发挥作用。因此，如图3所示，比第二衰减极点组靠高频侧的频带AH中的高频信号的衰减特性由串联连接的各第二电感器L10～L13、衰减特性调整用的电容器C2～C5、衰减特性调整用的电感器L5～L9、作为电容性的元件发挥作用的第二弹性波谐振器P4～P8设定。

如上所述，由第二弹性波谐振器P4～P8形成连接在LC低通滤波器102的第二路径W2与接地电位之间的本发明的“第二电容器”。

此外，带通滤波器100所具备的LC高通滤波器101以及LC低通滤波器102的结构并不限定于图2所示的结构，例如，能够使用图5以及图6所示的一般的LC高通滤波器201、LC低通滤波器202来形成带通滤波器100。

如图5所示，LC高通滤波器201具备在连接第一输入端子A11和第一输出端子B11的第一路径W11上串联连接的第一电容器C11～C14、和连接在第一路径W11与接地电位之间的第一电感器L11～L13。另外，虽然在图5中省略图示，但至少一个第一电容器由第一弹性波谐振器形成(置换)。在弹性波谐振器是在压电体的表面设置有IDT电极的表面声波谐振器(SAW谐振器)的情况下，设定弹性波谐振器的电容性以便由弹性波谐振器中的压电材料、梳形电极的电极指间距离、交叉宽度以及对数决定的静电电容值与电容器的静电电容值相等。或者，在弹性波谐振器是在压电体的相互对置的表面设置有上部电极以及下部电极的体声波谐振器(BAW谐振器)的情况下，设置BAW谐振器的电容性以便由弹性波谐振器中的压电材料、上部电极以及下部电极的对置面积以及电极间距离决定的静电电容值与电容器的静电电容值相等。

如图6所示，LC低通滤波器202具备在连接第二输入端子A22和第二输出端子B22的第二路径W22上串联连接的第二电感器L21以及L22、和连接在第二路径W22与接地电位之间的第二电容器C21～C23。另外，虽然在图6中省略图示，但至少一个第二电容器由第二弹性波谐振器形成(置换)。

此外，在图5以及图6所示的LC高通滤波器201以及LC低通滤波器202中，也可以与图2所示的电路同样地，进一步附加衰减特性调整用的电容器、电感器。即，为了对图5以及图6所示的基本的LC高通滤波器201以及LC低通滤波器202的各自的衰减特性进行调整，分别对LC高通滤波器201以及LC低通滤波器202任意地附加衰减特性调整用的电容器、电感器来使电路结构变形，从而能够形成图2所示的LC高通滤波器101、LC低通滤波器102。

(谐振器)

接下来，对第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器进行详细说明。此外，在以下的说明中，在进行第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器共用的说明的情况下，也有将第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器仅称为“谐振器”的情况。

谐振器由利用了表面声波(SAW：Surface Acoustic Wave)的SAW谐振器形成、或由利用了体声波(BAW：Bulk Acoustic Wave)的压电薄膜谐振器(FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator，SMR：Solidly Mounted Resonator)形成、或由利用了边界弹性波(Boundary Elastec wave)的谐振器形成。

另外，SAW谐振器由IDT电极(IDT：Interdigital Transducer：叉指式换能器)构成，该IDT电极包含形成于由水晶、钽酸锂(LiTaO₃)、铌酸锂(LiNbO₃)等形成的压电基板的表面的一对梳形电极。另外，通过对压电基板的材料、切割角、表面弹性波的行进方向等基板的种类进行变更，或对梳形电极的构造、膜厚等电极的结构进行变更，来调整SAW谐振器的频率特性。另外，压电薄膜谐振器通过将被上部电极以及下部电极夹成三明治状的状态的压电性的薄膜配置于Si基板等的表面而构成。

而且，在本实施方式中，第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器根据各自的频率特性形成为具备最佳的结构。即，就具有压电性的第一基底基板3和具有压电性的第二基底基板4而言，组合为材料或者机电耦合系数相互不同、以及第一电极与第二电极的形状相互不同的结构。

对材料或者机电耦合系数相互不同的第一基底基板3以及第二基底基板4的组合的具体例、和第一弹性波谐振器(第一电极)以及第二弹性波谐振器(第二电极)的组合的具体例进行说明。

(1)基于基底基板的材料(材质)以及电极的结构(谐振器的种类)的组合

A.最适于第一通阻带RB1的第一弹性波谐振器：SAW谐振器

最适于第二通阻带RB2的第二弹性波谐振器：压电薄膜谐振器

在A组合的情况下，在由衰减特性变动引起的影响较大的高频侧使用与SAW谐振器相比具有陡峭的衰减特性的压电薄膜谐振器，从而得到带通滤波器的通带的高频侧的陡峭的衰减特性。进一步，在由衰减特性变动引起的影响较大的低频侧使用与压电薄膜谐振器相比由谐振频率以及反谐振频率降低引起的谐振器的面积降低率较高的SAW谐振器，从而能够使带通滤波器小型化。

B.最适于第一通阻带RB1的第一弹性波谐振器：SAW谐振器

最适于第二通阻带RB2的第二弹性波谐振器：SMR型BAW谐振器

在B组合的情况下，压电薄膜谐振器使用SMR型BAW谐振器，从而与FBAR型BAW谐振器相比，能够省略在制造时形成形成有牺牲层的腔的工序，并且可得到良好的频率温度特性。

C.最适于第一通阻带RB1的第一基底基板3：钽酸锂压电基板

第一弹性波谐振器：SAW谐振器

最适于第二通阻带RB2的第二基底基板4：铌酸锂压电基板

第二弹性波谐振器：SAW谐振器

通过C组合，在低频侧使用钽酸锂压电基板的SAW谐振器，在由衰减特性变动引起的影响较大的高频侧，利用SiO₂覆盖IDT电极而能够使温度特性变化稳定化的高频侧，使用铌酸锂压电基板的以瑞利波为主波的SAW谐振器，从而温度特性的稳定性较高，并得到带通滤波器的通带的高频侧的陡峭的衰减特性。在低频侧使用由高次模引起的高次谐波杂波的影响相对较小的钽酸锂压电基板的SAW谐振器，从而能够在带通滤波器的通带内抑制由高次模引起的影响，由于能够不考虑高次模的影响地构成滤波器，所以滤波器的设计自由度升高。

D.最适于第一通阻带RB1的第一基底基板3：铌酸锂压电基板

第一弹性波谐振器：SAW谐振器

最适于第二通阻带RB2的第二基底基板4：钽酸锂压电基板

第二弹性波谐振器：SAW谐振器

在D组合的情况下，作为本发明的实施方式，在LC低通滤波器中，在连结输入端子和输出端子的路径上相互以串联的方式连接地设置的第一弹性波谐振器使用铌酸锂压电基板的以瑞利波为主波的SAW谐振器。作为高频侧的第二弹性波谐振器使用铌酸锂压电基板的以泄漏弹性波(漏波)为主波的SAW谐振器。作为比较例，对第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器使用在同一铌酸锂压电基板设置有IDT电极的以泄漏弹性波(漏波)为主波的SAW谐振器。将本发明的实施方式与比较例的频率特性示于图7。本发明的实施方式与比较例相比，由于作为低频侧的第一谐振器因在谐振频率的高频侧产生的体放射而受到的损失较小，在处于谐振频率的高频侧的通带作为Q较高的电容器发挥作用，所以能够减小带通滤波器的通带的插入损失。进一步，在LC高通滤波器中，设置于对连结输入端子和输出端子的路径与接地电位进行连结的路径的高频侧的第二弹性波谐振器使用比铌酸锂压电基板脆性低且损伤较少的钽酸锂压电基板的SAW谐振器，从而能够得到制造时的压电基板的损伤较少的带通滤波器。

(2)基于基底基板的形状(制造方法)以及电极的形状(电极构造、电极膜厚)的组合

E.由最适于第一通阻带RB1的SAW谐振器形成的第一弹性波谐振器的第一基底基板3的切割角、与由最适于第二通阻带RB2的SAW谐振器形成的第二弹性波谐振器的基底基板4的切割角不同。

在E组合的情况下，例如，作为低频侧的第一弹性波谐振器使用将电极指包含具有波长的约1.5％的厚度的Pt层和具有波长的约7％的厚度的Al层的IDT电极设置于切割角为127°旋转Y切割-X传播的铌酸锂压电基板的以瑞利波为主波的SAW谐振器，作为高频侧的第二弹性波谐振器使用将电极指包含具有波长的约2.5％的厚度的Pt层和具有波长的约10％的厚度的Al层的IDT电极设置于-11°旋转Y切割-X传播的铌酸锂压电基板的以漏波为主波的SAW谐振器。在该情况下，能够在低频侧在通带外抑制频率的依存性，且因体波的影响带来的通带内的插入损失的减少。由于在高频侧，能够利用较高的机电耦合系数在静电电容较小的谐振器中确保衰减，所以通带内的插入损失的减少较小。

F.形成最适于第一通阻带RB1的第一弹性波谐振器的SAW谐振器的电极构造、与形成最适于第二通阻带RB2的第二弹性波谐振器的SAW谐振器的电极构造不同。

在F组合的情况下，例如，作为低频侧的第一弹性波谐振器，使用将电极指包含具有波长的约1.5％的厚度的Pt层和具有波长的约7％的厚度的Al层的IDT电极设置于127°旋转Y切割-X传播的铌酸锂压电基板的以漏波为主波的SAW谐振器。作为高频侧的第二弹性波谐振器，使用将电极指包含具有波长的约10％的厚度的Al层的IDT电极设置于64°旋转Y切割-X传播的铌酸锂压电基板的以漏波为主波的SAW谐振器。在该情况下，若作为高频侧的第二弹性波谐振器使用以瑞利波为主波的具有陡峭的衰减特性的SAW谐振器，则通带的高频侧的衰减特性陡峭，由于能够将瑞利波中的主波的高次谐波配置于带通滤波器的通带外的高频侧的阻带，所以能够得到通带外的频率特性的变动较小的带通滤波器。

G.形成最适于第一通阻带RB1的第一弹性波谐振器的SAW谐振器的电极膜厚、与形成最适于第二通阻带RB2的第二弹性波谐振器的SAW谐振器的电极膜厚不同。

在G组合的情况下，例如，作为低频侧的第一弹性波谐振器，使用将电极指包含具有波长的约11％的厚度的Al层的IDT电极设置于42°旋转Y切割-X传播的钽酸锂压电基板的以漏波为主波的SAW谐振器，作为高频侧的第二弹性波谐振器，使用将电极指包含具有波长的约7％的厚度的Al层的IDT电极设置于42°旋转Y切割-X传播的钽酸锂压电基板的以漏波为主波的具有陡峭的衰减特性的SAW谐振器。在该情况下，通带的低频侧的第一谐振器使用IDT电极的厚度加厚的体放射的产生相对较少的谐振器，从而能够减小通带的插入损失的增加。在通带的高频侧，能够得到抑制由削薄了IDT电极的厚度的进入通带内的SH波引起的波动的产生且通带的频率特性的变动较小的带通滤波器。

此外，第一基底基板3以及第二基底基板4的材料、形状的组合、和第一弹性波谐振器(第一电极)以及第二弹性波谐振器(第二电极)的形状的组合并不限定于上述具体例。即，第一弹性波谐振器、第二弹性波谐振器分别根据频率特性而形成为具备最佳的结构即可。

如上所述，在本实施方式中，由在比通带PB靠低频侧的第一通阻带RB1具有谐振频率以及反谐振频率的至少一方的第一弹性波谐振器在第一通阻带RB1形成第一衰减极点，所以能够更加陡峭地设定带通滤波器100的低频侧的衰减特性。另外，由在比通带PB靠高频侧的第二通阻带RB2具有谐振频率以及反谐振频率的至少一方的第二弹性波谐振器在第二通阻带RB2形成第二衰减极点，所以能够更加陡峭地设定带通滤波器100的高频侧的衰减特性。

另外，由于在第一基底基板3和第二基底基板4中，材料或者机电耦合系数相互不同、以及第一电极与第二电极的形状相互不同，所以能够起到如下的效果。即，对于第一弹性波谐振器，能够以最适合其频率特性的第一基底基板3的种类以及第一电极的结构来形成，对于第二弹性波谐振器，能够以最适合其频率特性的第二基底基板4的种类以及第二电极的结构来形成。

因此，若与对于频率特性各不相同的第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器而言，在第一基底基板3和第二基底基板4上材料或者机电耦合系数相同，且第一电极和第二电极的形状相同的情况相比较，则能够更加陡峭地形成由第一弹性波谐振器形成的第一衰减极点以及由第二弹性波谐振器形成的第二衰减极点。因此，能够提供进一步实现了衰减特性的改善的带通滤波器100。

在将通带外的高频侧设为SMR型BAW谐振器或者压电薄膜谐振器，将通带外的低频侧设为SAW谐振器的情况下，能够使小型化，并提高衰减特性。

在将在通带外的高频侧具有衰减极点的第二谐振器设为设置有被由SiO₂构成的电介质层覆盖的IDT电极的铌酸锂压电基板，将通带外的低频侧设为钽酸锂压电基板的情况下，温度特性提高。

另外，若仅由弹性波谐振器构成带通滤波器，则与使用了集总常数型的电感器、电容器的LC滤波器相比较，存在通带中的插入损失增大的问题。然而，如上所述，通过将LC滤波器的一部分电容器置换为弹性波谐振器来构成带通滤波器100，能够改善通过特性(插入损失)以及衰减特性双方。

另外，由于LC高通滤波器101和LC低通滤波器102串联连接地形成带通滤波器100，所以能够将带通滤波器100的通带PB设定为更宽的频带。

另外，利用LC高通滤波器101的第一弹性波谐振器，在第一通阻带RB1与通带PB的边界附近形成第一衰减极点。而且，由于比第一衰减极点靠低频侧的衰减特性由LC高通滤波器101的第一电感器以及第一电容器设定，所以能够抑制比第一衰减极点靠低频侧的衰减特性的恶化。

另外，利用LC低通滤波器102的第二弹性波谐振器，在第二通阻带RB2与通带PB的边界附近形成第二衰减极点。而且，由于比第二衰减极点靠高频侧的衰减特性由LC低通滤波器102的第二电感器以及第二电容器设定，所以能够抑制比第二衰减极点靠高频侧的衰减特性的恶化。

因此，能够提供具备实现了衰减特性的改善的带通滤波器100的滤波器模块1。

另外，若输入谐振频率/反谐振频率的高频信号，则第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器激发。而且，若输入的高频信号的功率增大，则第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器的激发的振幅增大。因此，在由在通带PB具有谐振频率/反谐振频率的弹性波谐振器形成的以往的弹性波滤波器中，由于激发的振幅增大所以存在弹性波谐振器的电极破坏的可能性，所以将输入至弹性波滤波器的通带PB的高频信号的功率抑制在约1～2W(约30～33dBm)程度的大小。

另一方面，在上述实施方式中，第一弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率的至少一方是位于比通带靠低频侧的第一通阻带RB1内的第一衰减极点，上述第二弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率的至少一方是位于比通带靠高频侧的第二通阻带RB2内的第二衰减极点。如图4所示，在低于谐振频率的频率、高于反谐振频率的频率下，第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器不激发，作为电容性的元件发挥作用。因此，若与以往的结构相比较，则即使在通带PB输入高功率的高频信号，也能抑制各第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器激发，所以能够防止各第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器的电极破坏。因此，能够提高高功率的高频信号的输入特性，并能够提高针对例如约5W(约37dBm)以上的大小的输入功率的耐功率性。

另外，各个第一弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率的至少一方是位于比通带靠低频侧的第一通阻带RB1内的第一衰减极点，各个第二弹性波谐振器的谐振频率以及反谐振频率的至少一方是位于比通带靠高频侧的第二通阻带RB2内的第二衰减极点，从而能够起到如下的效果。即，在通带PB的低频侧的第一通阻带RB1，由各第一弹性波谐振器的每一个第一弹性波谐振器的反谐振频率形成衰减极点。因此，谐振频率是低于反谐振频率的频率，所以各第一弹性波谐振器的每一个第一弹性波谐振器的谐振频率都不与通带PB重叠。

另外，在通带PB的高频侧的第二通阻带RB2，由各第二弹性波谐振器的每一个第二弹性波谐振器的谐振频率形成衰减极点。因此，反谐振频率是高于谐振频率的频率，所以各第二弹性波谐振器的每一个第二弹性波谐振器的反谐振频率都不与通带PB重叠。因此，各第一弹性波谐振器以及第二弹性波谐振器的每一个的谐振频率/反谐振频率都不与通带PB重叠，所以能够形成可更高效地承受高功率的输入信号的带通滤波器100。

＜第二实施方式＞

接下来，参照图8，对本发明的第二实施方式进行说明。图8是表示本发明的第二实施方式的带通滤波器的电路图。此外，对于与上述第一实施方式相同的结构，通过引用相同的附图标记而省略其结构的说明。

如图8所示，该实施方式的带通滤波器300具备在连接输入端子A31和输出端子B31的路径W31上串联连接的第三电容器C31～C33、和连接在路径W31与接地电位之间的两个LC并联谐振电路301、302。另外，也可以进一步对输入端子A31和输出端子B31附加输入输出用的电容器。

另外，为了在低频侧的第一通阻带RB1形成第一衰减极点而将谐振电路用电容器置换成第一弹性波谐振器P32，而由谐振电路用电感器L32和第一弹性波谐振器P32形成LC并联谐振电路301。另外，为了在高频侧的第二通阻带RB2形成第二衰减极点而将谐振电路用电容器置换成第二弹性波谐振器P31，而由谐振电路用电感器L31和第二弹性波谐振器P31形成LC并联谐振电路302。

这样，由于在连接输入端子A31和输出端子B31的路径W31上未串联连接弹性波谐振器，所以能够减少通带PB中的插入损失。

＜第三实施方式＞

接下来，参照图9以及图10对本发明的第三实施方式进行说明。图9是表示本发明的第三实施方式的带通滤波器的电路图，图10是表示图9的带通滤波器的通过特性的图。此外，对于与上述第一实施方式相同的结构，通过引用相同附图标记而省略其结构的说明。

如图9所示，该实施方式的带通滤波器400具备在连接输入端子A41和输出端子B41的路径W41上串联连接的多个第一弹性波谐振器S41～S44、和连接在路径W41与接地电位之间的多个第二弹性波谐振器P41～P46。另外，各第一弹性波谐振器S41～S44分别与特性调整用的电感器L41～L44并联连接，各第二弹性波谐振器P41～P46分别与特性调整用的电感器L45～L49、L40串联连接。另外，对输入端子A41附加输入输出用的电容器C41。对输出端子B41附加输入输出用的电容器C42。

另外，如图10所示，串联臂的各第一弹性波谐振器形成为在与第一通阻带RB1的通带PB的边界附近即频带APL具有反谐振频率。而且，通过将多个第一弹性波谐振器的每一个第一弹性波谐振器的反谐振频率设为不同的值，如图3所示，能够在频带APL形成第一衰减极点组。通过像这样形成第一衰减极点组，能够在第一通阻带RB1的通带PB附近形成具有所希望的衰减特性的频带。

另外，如图10所示，并联臂的各第二弹性波谐振器形成为在与第二通阻带RB2的通带PB的边界附近即频带APH具有谐振频率。而且，通过将多个第二弹性波谐振器的每一个第二弹性波谐振器的谐振频率设为不同的值，能够在频带APH形成第二衰减极点组。通过像这样形成第二衰减极点组，能够在第二通阻带RB2的通带PB附近形成具有所希望的衰减特性的频带。

如上所述，由于在通带PB谐振频率/反谐振频率不重叠，所以能够提高针对通带PB的高功率的信号输入的耐性。另外，由于通带PB的低频侧附近的第一衰减极点组由各第一弹性波谐振器的每一个第一弹性波谐振器的反谐振频率形成，通带PB的高频侧附近的第二衰减极点组由第二弹性谐振器的每一个第二弹性谐振器的谐振频率形成，所以能够提供陡峭性优异的带通滤波器400。

此外，本发明并不限定于上述实施方式，只要不脱离其宗旨，除了上述的实施方式以外能够进行各种变更，也可以对上述各实施方式所具备的结构任意地进行组合。另外，带通滤波器的结构并不限定于上述例，只要是具备能够利用用于在低频侧的第一通阻带RB1形成第一衰减极点的第一弹性波谐振器、和用于在高频侧的第二通阻带RB2形成第二衰减极点的第二弹性波谐振器的电路结构的带通滤波器，带通滤波器可以任意地构成。

另外，在图8所示的带通滤波器300中，为了在低频侧的第一通阻带RB1形成第一衰减极点，也可以利用第一弹性波谐振器形成(置换)在路径W31上串联连接的第三电容器C31～C33、衰减特性调整用电容器、输入输出用的电容器中的至少一个。另外，也可以在路径W31上还串联连接衰减特性调整用的电感器。

另外，第一基底基板3以及第二基底基板4可以形成为所谓的WL-CSP(晶圆级芯片尺寸封装)构造，也可以形成为将各个形成有谐振器的第一基底基板3、第二基底基板4安装于封装基板的CSP(芯片尺寸封装)构造。

另外，也可以为用于在通带PB的低频侧的第一通阻带RB1形成第一衰减极点的第一弹性波谐振器仅在连接输入端子和输出端子的路径上串联连接，用于在通带PB的高频侧的第二通阻带RB2形成第二衰减极点的第二弹性波谐振器仅连接在连接输入端子和输出端子的路径与接地电位之间。这样，能够更高效地提高输入功率特性。

能够将本发明广泛地应用于设定有规定的通带的带通滤波器以及具备该滤波器的滤波器模块。

附图标记说明

1…滤波器模块；2…模块基板；3…第一基底基板；4…第二基底基板；100、300、400…带通滤波器；101、201…LC高通滤波器；102、202…LC低通滤波器；301、302…LC并联谐振电路；A、A31、A41…输入端子；A1、A11…第一输入端子；A2、A22…第二输入端子；B、B31、B41…输出端子；B1、B11…第一输出端子；B2、B22…第二输出端子；C11～C14、C51、C52…第一电容器；C21、C22、C23…第二电容器；C31、C32、C33…第三电容器；L1、L2、L3、L4、L11、L12、L13…第一电感器；L10、L11、L12、L13、L21、L22…第二电感器；S1～S5、P1～P3、P32、S41～S44…第一弹性波谐振器(第一电容器)；P4～P8、P31、P41～P46…第二弹性波谐振器(第二电容器)；PB…通带；RB1…第一通阻带；RB2…第二通阻带；W、W31、W41…路径；W1、W11…第一路径；W2、W22…第二路径。