充电电路与移动终端的利记博彩app

文档序号:10194361阅读:221来源:国知局
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【技术领域】
[0001]本实用新型涉及充电技术,尤其涉及一种充电电路与移动终端。
【背景技术】
[0002]随着移动终端的日益普及,各种移动终端已经成为人们日常生活中必不可少的通信工具。各种移动终端,例如手机,需要电力的支持才能进行正常的工作,因此手机上需设置充电接口以为手机内部的充电芯片进行充电。
[0003]由于各种充电设备层出不穷,所匹配的充电接口也不相同,例如手机的充电接口有圆形孔和USB孔,为了用户的方便,很多手机同时设置有两种充电接口为手机中的同一充电芯片进行充电,如图1所示,充电接口分别为101和102,均连接同一充电芯片100的同一管脚。
[0004]但是这样会出现以下问题:由于工艺的问题,即使两个充电接口 101和102的上电的电压理论上相同,在实际中两个充电接口 101和102上电时的电压也总会出现有微小的差异,这样微小的差异有可能造成充电接口 101和充电接口 102所对应的电路的电流的巨大差异,进而导致电流大的电路向电流小的电路灌入电流,即向电压低的充电接口对应的电路灌入电流,这样会影响电压低的充电接口对应的电路的使用寿命,甚至会造成损坏。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供一种充电电路与移动终端,以解决现有技术中包括两个充电接口的终端在同时上电时造成的电压低的充电接口对应的电路损坏的问题。
[0006]本实用新型一个方面提供一种充电电路,包括:
[0007]用于向充电芯片充电的第一电路,包括第一充电接口、第一三极管、第一场效应晶体管、第一电阻、第一电容和第三电阻,所述第一充电接口分别连接第一三极管和第一场效应晶体管,所述第一电阻分别与所述第一三极管和所述第一场效应晶体管连接,所述第一电容与所述第一电阻并联,所述第一电阻和所述第一电容用于防止当所述第一充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第一场效应晶体管导通,所述第三电阻的第一端连接在所述第一充电接口和第二三极管之间,所述第三电阻的第二端接地;
[0008]用于向所述充电芯片充电的第二电路,包括第二充电接口、所述第二三极管、第二场效应晶体管、第二电阻和第二电容,所述第二充电接口分别连接第二三极管和第二场效应晶体管,所述第二电阻分别与所述第二三极管和所述第二场效应晶体管连接,所述第二电容与所述第二电阻并联,所述第二电阻和所述第二电容用于防止当所述第二充电接口没有上电且所述充电芯片上电时所述第二场效应晶体管导通;
[0009]其中,所述第一充电接口和所述第二充电接口同时上电时,所述第二三极管和第二场效应晶体管均截止,所述第一充电接口向所述充电芯片充电。
[0010]根据如上所述的充电电路,可选地,所述第一充电接口连接所述第一三极管的第一基极,且连接所述第一场效应晶体管的第一漏极,所述第一三极管的第一发射极接地,所述第一三极管的第一集电极分别与所述第一电阻的第一端和所述第一电容的第一端连接,所述第一场效应晶体管的第一门极分别与所述第一电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述第一集电极连接,所述第一场效应晶体管的第一源极分别与所述第一电阻的第二端和所述第一电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。
[0011 ] 根据如上所述的充电电路,可选地,所述第二充电接口连接所述第二三极管的第二基极,且连接所述第二场效应晶体管的第二漏极,所述第二三极管的第二集电极连接所述第一充电接口,所述第二三极管的第二发射极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接,所述第二场效应晶体管的第二门极分别与所述第二电阻的第二端、所述第二电容的第二端和所述第二集电极连接,所述第二场效应晶体管的第二源极分别与所述第二电阻的第二端和所述第二电容的第二端连接且连接至所述充电芯片。
[0012]根据如上所述的充电电路,可选地,还包括:
[0013]第四电阻,所述第四电阻的第一端连接在所述第二充电接口和所述第二基极之间,所述第四电阻的第二端接地。
[0014]根据如上所述的充电电路,可选地,所述第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管,所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管均为P沟道增强型场效应晶体管。
[0015]根据如上所述的充电电路,可选地,所述第二三极管的导通电压均大于或等于2V。
[0016]根据如上所述的充电电路,可选地,还包括:
[0017]所述充电芯片。
[0018]根据如上所述的充电电路,可选地,所述第一电阻和所述第二电阻的阻值为100000 欧姆。
[0019]根据如上所述的充电电路,可选地,所述第三电阻和所述第四电阻的阻值为10000欧姆。
[0020]本实用新型另一个方面提供一种移动终端,包括上述任一项所述的充电电路。
[0021]由上述技术方案可知,本实用新型提供的充电电路与移动终端,包括用于分别向充电芯片充电的第一电路和第二电路,第一充电接口上电时,第一三极管和第一场效应晶体管均开启,能够向充电芯片进行充电,当第二充电接口上电时,第二三极管和第二场效应晶体管均开启,能够向充电芯片充电,而当第一充电接口和第二充电接口均上电时,由于第二三极管和第二场效应晶体管均截止,即其中一个充电电路不工作,进而能够避免电压高的充电接口所产生的电流灌入电压低的充电接口对应的电路,影响该电压低的充电接口对应的电路的使用寿命,避免对该电压低充电接口对应的电路造成损坏。此外,在两个充电接口均上电时,其中一个电路是工作的,即向充电芯片进行充电,因此本实施例的充电电路在保证充电电路不造成损坏的基础上,不影响充电芯片的充电。
【附图说明】
[0022]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为根据本实用新型一实施例的充电电路的结构示意图;
[0024]图2为根据本实用新型另一实施例的充电电路的结构示意图;
[0025]图3为根据本实用新型另一实施例的充电电路的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0027]实施例一
[0028]本实施例提供一种充电电路,包括两个电路,用于分别为充电芯片充电。如图2所示,为根据本实施例的充电电路的结构示意图。
[0029]如图2所示,本实施例的充电电路包括用于向充电芯片充电200充电的第一电路和用于向充电芯片200充电的第二电路。
[0030]其中,第一电路包括第一充电接口 201、第一三极管202、第一场效应晶体管203、第一电阻204、第一电容205和第三电阻301,第一充电接口 201分别连接第一三极管202和第一场效应晶体管203,第一电阻204分别与第一三极管202和第一场效应晶体管203连接,第一电容205与第一电阻204并联,第一电阻204和第一电容205用于防止第一场效应晶体管203导通。第三电阻301的第一端连接在第一充电接口 201和第二三极管207之间,第三电阻301的第二端接地。
[0031]第二电路包括第二充电接口 206、第二三极管207、第二场效应晶体管208、第二电阻209和第二电容210,第二充电接口 206分别连接第二三极管207和第二场效应晶体管208,第二电阻209分别与第二三极管207和第二场效应晶体管208连接,第二电容210与第二电阻209并联,第二电阻209和第二电容210用于防止当所述第二充电接口 206没有上电且所述充电芯片200上电时第二场效应晶体管208导通。
[0032]其中,第一充电接口 201和第二充电接口 206同时上电时,第二三极管207和第二场效应晶体管208均截止,第一充电接口 201向充电芯片200充电。
[0033]本实施例中,第一电阻204具体可以连接在第一门极2032和第一源极2031之间,且与第一三极管202的第一集电极2023连接。由于第一门极2032和第一源极2031之间会有一定的电容量,采用第一电阻204来释放
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