一种双向DC/DC的装置的利记博彩app

本实用新型涉及电气领域，特别涉及一种双向DC/DC的装置。

背景技术：

现有技术中，有某些领域，需要保证电源电压之间的隔离，但目前并没有这种方案来满足这种需要。

技术实现要素：

针对现有技术中的缺陷，本实用新型提出了一种双向DC/DC的装置，用以实现电源电压之间的隔离。

具体的，本实用新型提出了以下具体的实施例：

本实用新型实施例提出了一种双向DC/DC的装置，包括：自激振荡器、变压器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一电容、第二电容；其中，

自激振荡器包括第二变压器、自激振荡器的第二变压器包括12个角，分别为1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；

第一mos管的G极连接12角；第一mos管的D极连接变压器的第一线圈；第一mos管的S极接地；

第二mos管的G极连接10角；第二mos管的D极连接变压器的第一线圈；第二mos管的S极接地；

第三mos管的G极连接7角；第三mos管的D极连接变压器的第二线圈；第三mos管的S极连接第四mos管的S极、以及第二电容的一端；

第四mos管的G极连接9角；第四mos管的D极连接变压器的第二线圈；第四mos管的S极连接第二mos管的S极以及第二电容的一端；

第二电容的另一端连接变压器的第二线圈；

第一电容的一端连接变压器的第一线圈，第一电容的另一端连接第二mos管的S极。

在一个具体的实施例中，自激振荡器还包括：第一电阻、第七三极管、第八三极管、第六电容；其中，2角连接电源；

第一电阻的一端连接外连接端以及2角，第一电阻的另一端连接第六电容的一端以及5角；第六电容的另一端接地；

第七三极管的基极连接4角；第七三极管的发射极接地；第七三极管的集电极连接1角；

第八三极管的基极连接6角；第八三极管的发射极接地；第八三极管的集电极连接3角。

在一个具体的实施例中，所述电容具体为固定电容。

在一个具体的实施例中，所述第一电容与所述第二电容相同。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻为电阻值可调的电阻。

在一个具体的实施例中，第一mos管为N沟道MOS管。

在一个具体的实施例中，第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管相同。

在一个具体的实施例中，所述第七三极管与所述第八三极管相同。

在一个具体的实施例中，所述第七三极管为锗三极管。

在一个具体的实施例中，第六电容具体为电解电容。

以此，本实用新型一种双向DC/DC的装置，包括：自激振荡器、变压器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一电容、第二电容；其中，自激振荡器包括第二变压器、自激振荡器的第二变压器包括12个角，分别为1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；第一mos管的G极连接12角；第一mos管的D极连接变压器的第一线圈；第一mos管的S极接地；第二mos管的G极连接10角；第二mos管的D极连接变压器的第一线圈；第二mos管的S极接地；第三mos管的G极连接7角；第三mos管的D极连接变压器的第二线圈；第三mos管的S极连接第四mos管的S极、以及第二电容的一端；第四mos管的G极连接9角；第四mos管的D极连接变压器的第二线圈；第四mos管的S极连接第二mos管的S极以及第二电容的一端；第二电容的另一端连接变压器的第二线圈；第一电容的一端连接变压器的第一线圈，第一电容的另一端连接第二mos管的S极。以此实现了电源的电压隔离。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本实用新型实施例提出的一种双向DC/DC的装置的结构示意图。

图例说明：

1：双向DC/DC模块

11：自激振荡器

111：第二变压器 112：第一电阻

113：第七三极管 114：第八三极管

115：第六电容

12：变压器

13：第一mos管 14：第二mos管

15：第三mos管 16：第四mos管

17：第一电容

18：第二电容

具体实施方式

在下文中，将更全面地描述本公开的各种实施例。本公开可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本公开理解为涵盖落入本公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。

在下文中，可在本公开的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本公开的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特 征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。

在本公开的各种实施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。

在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。

应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。

在本公开的各种实施例中使用的术语“用户”可指示使用电子装置的人或使用电子装置的装置(例如，人工智能电子装置)。

在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义， 除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。

实施例1

本实用新型实施例1公开了一种双向DC/DC的装置1，如图1所示，包括：自激振荡器11、变压器12、第一mos管13、第二mos管14、第三mos管15、第四mos管16、第一电容17、第二电容18；其中，

自激振荡器包括第二变压器111、自激振荡器的第二变压器包括12个角，分别为1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；

第一mos管的G极连接12角；第一mos管的D极连接变压器的第一线圈；第一mos管的S极接地；

第二mos管的G极连接10角；第二mos管的D极连接变压器的第一线圈；第二mos管的S极接地；

第三mos管的G极连接7角；第三mos管的D极连接变压器的第二线圈；第三mos管的S极连接第四mos管的S极、以及第二电容的一端；

第四mos管的G极连接9角；第四mos管的D极连接变压器的第二线圈；第四mos管的S极连接第二mos管的S极以及第二电容的一端；

第二电容的另一端连接变压器的第二线圈；

第一电容的一端连接变压器的第一线圈，第一电容的另一端连接第二mos管的S极。

在一个具体的实施例中，如图1所示，第一线圈为变压器12的左侧线圈，而第二线圈为变压器12的右侧线圈。

具体的，自激振荡器(self-excited oscillator)是一个反馈控制系统。 如果该系统的闭环极点有位于S右半平面上的一对共轭极点，则其冲激响应将产生幅值按指数增长的正弦波。从理论上讲，振荡的幅值将无限地增大。然而由于系内部元件的非线性作用，增长的振荡引起系统内部参数自动改变，从而使位于S右半平面上的共轭极点最终移至jω轴上，正弦波振前就呈等幅而稳定下来。

在放大电路中，为了改善电路性能，通常引入负反馈(中频区)。当电路附加相移(高频区或低频区)改变了反馈信号的极性时，电路中的负反馈就会变成正反馈。此时，若反馈环路增益满足一定条件，电路就会产生自激振荡。

在一个具体的实施例中，如图1所示，自激振荡器11还包括：第一电阻112、第七三极管113、第八三极管114、第六电容115；其中，2角连接电源；

第一电阻的一端连接外连接端以及2角，第一电阻的另一端连接第六电容的一端以及5角；第六电容的另一端接地；

第七三极管的基极连接4角；第七三极管的发射极接地；第七三极管的集电极连接1角；

第八三极管的基极连接6角；第八三极管的发射极接地；第八三极管的集电极连接3角。

以此，具体的，R1,C6,Q7,Q8,T2组成自激振荡器，Q1,Q2工作在推挽状态，Q3,Q4也是一样，在任何一端接上电压，在另一端都能得到一个隔离的电压，C1,C2作为滤波电容。

在一个具体的实施例中，所述电容具体为固定电容。

电容也即电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器 件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。

特别是在进行滤波时，具体的用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。

在一个具体的实施例中，所述第一电容与所述第二电容相同。

在一个具体的实施例中，所述第一电阻为电阻值可调的电阻。

电阻即电阻器(Resistor)，在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的，即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上，紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。以此，电阻值可调也即触电位置可调的电阻。

在一个具体的实施例中，第一mos管为N沟道MOS管。

在一个具体的实施例中，第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管相同。

MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。

在一个具体的实施例中，所述第七三极管与所述第八三极管相同。

在一个具体的实施例中，所述第七三极管为锗三极管。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

具体的的三极管根据材质可以分为硅三极管和锗三极管，在一个具体的实施例中，可以选用锗三极管。

在一个具体的实施例中，第六电容具体为电解电容。

以此，本实用新型一种双向DC/DC的装置，包括：自激振荡器、变压器、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第一电容、第二电容；其中，自激振荡器包括第二变压器、自激振荡器的第二变压器包括12个角，分别为1角、2角、3角、4角、5角、6角、7角、8角、9角、10角、11角、12角；第一mos管的G极连接12角；第一mos管的D极连接变压器的第一线圈；第一mos管的S极接地；第二mos管的G极连接10角；第二mos管的D极连接变压器的第一线圈；第二mos管的S极接地；第三mos管的G极连接7角；第三mos管的D极连接变压器的第二线圈；第三mos管的S极连接第四mos管的S极、以及第二电容的一端；第四mos管的G极连接9角；第四mos管的D极连接变压器的第二线圈；第四mos管的S极连接第二mos管的S极以及第二电容的一端；第二电容的另一端连接变压器的第二线圈；第一电容的一端连接变压器的第一线圈，第一电容的另一端连接第二mos管的S极。以此实现了电源的电压隔离。

本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本实用新型所必须的。

本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。

上述本实用新型序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。

以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施场景，但是，本实用新型并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。