一种阵列基板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及显示技术领域，尤其设及一种阵列基板及显示装置。
【背景技术】
[0002] 在现有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板制备工艺中，通常是 在栅绝缘层上方直接采用构图工艺制备有源层，然后依次形成源漏极、纯化层等。
[0003] 采用该工艺方法制备而成的TFT阵列基板，当给栅极施加电压时，由于受到电场的 作用，栅绝缘层内的空穴会转移到栅绝缘层与有源层的接触界面处，运些位于栅绝缘层与 有源层的接触界面处的空穴必然会捕获导电沟道中的电子，进而造成TFT开启电压增大，不 利于TFT的稳定，削弱了 TFT的电学性能，不利于显示质量的提升。 【实用新型内容】
[0004] 本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，用W解决现有技术中存在的由 于栅绝缘层内的空穴转移到栅绝缘层与有源层的接触界面处而导致TFT电学性能下降的问 题。
[0005] 本实用新型实施例采用W下技术方案：
[0006] -种阵列基板，包括:衬底基板、栅极、栅绝缘层、有源层W及源漏极，还包括:位于 所述栅绝缘层与所述有源层之间的空穴阻挡层，其中，所述空穴阻挡层在所述阵列基板上 的正投影至少覆盖所述有源层在所述阵列基板上的正投影。
[0007] 通过上述技术方案，在栅绝缘层和有源层之间设置空穴阻挡层，且该空穴阻挡层 在阵列基板上的正投影至少与有源层在阵列基板上的正投影相重合，从而，通过空穴阻挡 层阻挡了栅绝缘层与有源层相接触，进而，在为栅极施加电压时，即使栅绝缘层中的空穴会 转移到栅绝缘层中靠近有源层的表面，然而，由于空穴阻挡层的存在，也不会导致导电沟道 中的电子被空穴捕获，从而，避免增大TFT的开启电压W及降低TFT的电学性能。换言之，保 证了 TFT开启电压W及TFT电学性能的稳定，进而提升显示质量。
[000引可选地，所述空穴阻挡层的图案与所述有源层的图案相同。
[0009] 可选地，所述空穴阻挡层位于所述栅绝缘层之上，且覆盖所述衬底基板。
[0010] 该方案能够有效改善由于空穴转移而捕获导电沟道中的电子而导致TFT电学性能 下降的缺陷，此外，该空穴阻挡层平铺整个阵列基板，运一膜层结构的制备，不需要额外的 构图工艺，从而，简化了制作工艺，提升膜层性能的同时提高了制备效率。
[0011] 可选地，所述空穴阻挡层的材质为有机绝缘空穴阻挡材料。
[0012] 该技术方案能够更好的实现对栅绝缘层W及有源层的阻隔，避免栅绝缘层中的空 穴转移到靠近有源层的表面而捕获导电沟道中的电子。
[0013] 可选地，所述有机绝缘空穴阻挡材料为:苯并咪挫基苯或BCP或DPVBi。
[0014] 该技术方案中设及的有机绝缘空穴阻挡材料具有较好的的空穴阻挡能力，能够有 效阻隔空穴的迁移。
[001引可选地，所述空穴阻挡层的厚度范围为：10 A~1,000 A。
[0016] 可选地，所述空穴阻挡层的厚度为200 A。
[0017] 该厚度的空穴阻挡层既可W保证阵列基板的厚度不致于过大，而且还有效阻挡栅 绝缘层内的空穴迁移，使得空穴无法穿过该空穴阻挡层而迁移到有源层表面，从而，降低甚 至避免了导电沟道内的电子被空穴的可能性，进而，保证了 TFT的开启电压的稳定性。
[0018] 可选地，所述源漏极与所述有源层同层设置。
[0019] 可选地，所述源漏极位于所述有源层之上。
[0020] 可选地，还包括:位于所述有源层之上的刻蚀阻挡层，所述源漏极通过过孔与所述 有源层电连接。
[0021] 无论哪种TFT都可W设置本实用新型所设及的空穴阻挡层，从而，能够有效阻隔栅 绝缘层与有源层的接触，有效改善由于空穴转移而捕获导电沟道中的电子而导致TFT电学 性能下降的缺陷，保证TFT开启电压的稳定性，进而提升显示质量。
[0022] 一种显示装置，包括所述的阵列基板。
[0023] 在上述技术方案中，该显示装置包含在栅绝缘层和有源层之间设置空穴阻挡层的 阵列基板，且该空穴阻挡层在阵列基板上的正投影至少覆盖有源层在阵列基板上的正投 影，从而，通过空穴阻挡层阻挡了栅绝缘层与有源层相接触，进而，在为栅极施加电压时，即 使栅绝缘层中的空穴会转移到栅绝缘层中靠近有源层的表面，然而，由于空穴阻挡层的存 在，也不会导致导电沟道中的电子被空穴捕获，从而，避免增大TFT的开启电压W及降低TFT 的电学性能。换言之，保证了 TFT开启电压W及TFT电学性能的稳定，进而提升显示装置的显 示质量。
【附图说明】
[0024] 为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需 要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施 例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可W根据运些附 图获得其他的附图。
[0025] 图1为本实用新型提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0026] 图2(a)为本实用新型提供的阵列基板的具体结构示意图之一；
[0027] 图2(b)为本实用新型提供的阵列基板的具体结构示意图之二；
[0028] 图3(a)-图3(b)分别为本实用新型提供的几种不同结构类型的TFT结构所对应的 阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0029] 为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用 新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动 前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0030] 下面通过具体的实施例对本实用新型的技术方案进行详细的描述，本实用新型包 括但并不限于W下实施例。
[0031] 如图1所示，为本实用新型提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板主要包 括:衬底基板11、栅极12、栅绝缘层13、有源层14W及源漏极15,在本实用新型中，该阵列基 板还包括:位于栅绝缘层13与有源层14之间的空穴阻挡层16,其中，空穴阻挡层16在阵列基 板上的正投影至少覆盖有源层14在阵列基板上的正投影。
[0032] 通过上述技术方案，在栅绝缘层和有源层之间设置空穴阻挡层，且该空穴阻挡层 在阵列基板上的正投影至少覆盖有源层在阵列基板上的正投影，从而，通过空穴阻挡层阻 挡了栅绝缘层与有源层相接触，进而，在为栅极施加电压时，即使栅绝缘层中的空穴会转移 到栅绝缘层中靠近有源层的表面，然而，由于空穴阻挡层的存在，也不会导致导电沟道中的 电子被空穴捕获，从而，避免增大TFT的开启电压W及降低TFT的电学性能。换言之，保证了 TFT开启电压W及TFT电学性能的稳定，进而提升显示质量。
[0033] 可选地，如图2(a)所示，为本实用新型提供的阵列基板的具体结构示意图之一，该 阵列基板的结构与图1中的阵列基板的结构类似，包括:衬底基板21、栅极22