半导体装置封装件的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本申请的方面通常涉及用于半导体装置的封装件，例如用来将半导体片芯(die)连接到相关联的电路的系统和方法。
【背景技术】
[0002]传统的半导体封装件将半导体片芯连接到母板或其他相关联的电路，并为装置提供热保护和环境保护。传统的半导体封装件的示例包括包含引线框架的封装件，半导体片芯在被用模制化合物(mold compound)过模制之前親接到所述引线框架。然后，延伸出模制材料的引线框架的引线被用作到封装件内的片芯的电连接。
【实用新型内容】
[0003]包括横向装置的半导体封装件的实现方式可以包括横向半导体装置、单层夹持件和引线框架，所述横向半导体装置包括以散布和叉指之一型布置的源极和漏极区域，以及一个或多个栅极区域。所述单层夹持件可以被耦接到所述以散布和叉指之一型布置的源极和漏极区域以及所述一个或多个栅极区域，以及耦接到所述引线框架。所述单层夹持件可以被配置用于再分布和隔离在所述半导体装置封装件的操作期间进出所述横向半导体装置的源极、漏极和栅极信号。
[0004]半导体装置封装件的实现方式可以包括下面中的一个、全部或任意:
[0005]还可以包括模制化合物，所述模制化合物包围所述横向半导体装置、所述单层夹持件的大部分以及引线框架的面对所述横向半导体装置的一侧。
[0006]所述横向半导体装置还可以包括被耦接到所述源极和漏极区域以及所述一个或多个栅极区域的多个源极焊盘(pad)和多个漏极焊盘，其中所述多个源极焊盘和所述多个漏极焊盘被布置为彼此散布排列和彼此叉指型排列中的一个。所述装置还可以包括被耦接到所述多个源极焊盘的多个源极轨，其中所述多个源极轨包括多个源极独立(standoff)接触。所述装置还可以包括被耦接到所述多个漏极焊盘的多个漏极轨，其中所述多个漏极轨包括多个漏极独立接触。所述装置还可以包括至少一个栅极焊盘，其中所述至少一个栅极焊盘被耦接到一个或多个栅极独立接触。
[0007]所述半导体封装件还可以包括:其中所述单层夹持件包括至少一个源极指、至少一个漏极指、以及至少一个栅极指，其中所述至少一个源极指、所述至少一个漏极指、以及所述至少一个栅极指每一分别与所述多个源极独立接触、所述多个漏极独立接触、以及所述一个或多个栅极独立接触耦接。
[0008]其中所述多个源极独立接触中的每个被布置成沿着所述至少一个源极指的长度的交错图案；所述多个漏极独立接触中的每个被布置成沿着所述至少一个漏极指的长度的交错图案；并且所述一个或多个栅极独立接触中的每个被布置成沿着所述至少一个栅极指的长度的交错图案。
[0009]所述多个源极独立接触、所述多个漏极独立接触、以及所述一个或多个栅极独立接触被配置为在所述半导体封装件的制备期间使用的回流工艺期间与所述单层夹持件自对准。
[0010]所述引线框架可以包括至少一个源极部分、至少一个漏极部分、以及至少一个栅极部分。所述至少一个源极部分、所述至少一个漏极部分、以及所述至少一个栅极部分每一可以分别包括源极夹持件接触、漏极夹持件接触、以及栅极夹持件接触。
[0011]所述源极夹持件接触、漏极夹持件接触、以及栅极夹持件接触可以从平行于所述单层夹持件取向的所述引线框架的平面延伸。所述引线框架可以在所述源极夹持件接触、所述漏极夹持件接触、以及所述栅极夹持件接触处耦接到所述单层夹持件。
[0012]所述引线框架的所述至少一个源极部分、所述至少一个漏极部分、以及所述至少一个栅极部分彼此物理地分离。
[0013]半导体装置封装件的实现方式可以包括包含多个源极焊盘和多个漏极焊盘的横向半导体装置，其中所述多个源极焊盘和所述多个漏极焊盘被布置为彼此散布排列和彼此叉指型排列中的一个。所述封装件还可以包括被耦接到所述多个源极焊盘的多个源极轨，其中所述多个源极轨包括多个源极独立接触。所述封装件还可以包括被耦接到所述多个漏极焊盘的多个漏极轨，其中所述多个漏极轨包括多个漏极独立接触。所述封装件还可以包括至少一个栅极焊盘，其中所述至少一个栅极焊盘被耦接到一个或多个栅极独立接触。所述封装件还可以包括单层夹持件，所述单层夹持件包括至少一个源极指、至少一个漏极指、以及至少一个栅极指，其中所述至少一个源极指、所述至少一个漏极指、以及所述至少一个栅极指分别与所述多个源极独立接触、所述多个漏极独立接触以及所述一个或多个栅极独立接触耦接。所述封装件还可以包括引线框架，所述引线框架包含至少一个源极部分、至少一个漏极部分、以及至少一个栅极部分，其中所述至少一个源极部分、所述至少一个漏极部分、以及所述至少一个栅极部分分别包括源极夹持件接触、漏极夹持件接触、以及栅极夹持件接触。所述源极夹持件接触、漏极夹持件接触、以及栅极夹持件接触可以从平行于所述单层夹持件取向的所述引线框架的平面延伸。所述引线框架可以在所述源极夹持件接触、所述漏极夹持件接触、以及所述栅极夹持件接触处被耦接到所述单层夹持件。
[0014]半导体装置封装件的实现方式可以包括下面中的一个、全部或任意:
[0015]还可以包括模制化合物，所述模制化合物包围所述横向半导体装置、所述单层夹持件的大部分、以及引线框架的面对所述横向半导体装置的一侧。
[0016]其中所述多个源极独立接触中的每个被布置成沿着所述至少一个源极指的长度的交错图案；所述多个漏极独立接触中的每个被布置成沿着所述至少一个漏极指的长度的交错图案；并且所述一个或多个栅极独立接触中的每个被布置成沿着所述至少一个栅极指的长度的交错图案。
[0017]所述引线框架的所述至少一个源极部分、所述至少一个漏极部分、以及所述至少一个栅极部分彼此物理地分离。
[0018]所述单层夹持件可以被配置用于当其在所述半导体封装件的制备期间被耦接到所述横向半导体装置时连接来自所述横向半导体装置的多个信号类型。所述单层夹持件还可以被配置用于在所述半导体封装件的单切后将那些多个信号类型隔离。
[0019]所述多个源极独立接触、所述多个漏极独立接触、以及所述一个或多个栅极独立接触被配置用于在所述半导体封装件的制备期间使用的回流工艺期间与所述单层夹持件自对准。
[0020]从下面的说明和附图以及从权利要求书中，前述的以及其它的方面、特征和优点对本领域一般技术人员来说将会变得明了。
【附图说明】
[0021]以下将结合附图描述实现方式，其中，相同的附图标记表示相同的元件，并且:
[0022]图1是示出源极轨、源极焊盘和漏极焊盘的横向半导体装置的截面图；
[0023]图2是示出漏极轨、漏极焊盘和源极焊盘的横向半导体装置的截面图；
[0024]图3是以叉指型排列布置的多个源极轨和漏极轨的顶视图；
[0025]图4是以叉指型排列布置的多个源极轨和漏极轨的透视图，其示出了多个源极独立接触和多个漏极独立接触以及栅极焊盘和栅极独立接触；
[0026]图5是具有每个都彼此物理分离的两个栅极部分、源极部分和漏极部分的引线框架的透视图；
[0027]图6是其上具有单层夹持件的图5的引线框架的透视图；
[0028]图7是在单层夹持件的单切之后的引线框架之上耦接的单层夹持件的顶视图；
[0029]图8是其上耦接有横向半导体装置的图6的引线框架和单层夹持件的透视图，示出了耦接到单层夹持件的相应的指的多个源极独立接触、多个漏极独立接触和两个栅极独立接触；
[0030]图9是在用模制化合物模制之后的图8的引线框架的透视图；
[0031]图10是在单层夹持件的单切以形成半导体封装件后的图9的引线框架的透视图，其中模制化合物被去除。
【具体实施方式】
[0032]本公开(其诸方面和实现方式)不限于此处公开的具体组件、装配程序或方法元素。适用于来自本公开的特定的实现方式的、本领域中已知的与用于半导体封装件的意图一致的许多附加的组件、