改善阻焊层剥离的晶圆封装结构及芯片封装结构的利记博彩app

文档序号:8848669阅读:553来源:国知局
改善阻焊层剥离的晶圆封装结构及芯片封装结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及晶圆级芯片封装技术领域,具体是涉及一种改善阻焊层剥离的晶圆封装结构及芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]晶圆级芯片的一般封装方式是:首先,在含有若干芯片单元的晶圆一表面形成凹槽,该凹槽可用于降低封装高度,也可用于暴露晶圆的导电焊垫;接着,在凹槽内及晶圆基底表面铺设一层绝缘层;再接着,在绝缘层上铺设一层电连接导电焊垫的金属布线层,通过金属布线层将晶圆的导电焊垫的电性引出去,然后,在金属布线层上形成一层阻焊层,用于防止金属布线层被腐蚀或者氧化,最后,将封装好的晶圆封装结构切割成单个的晶圆级芯片封装结构;上述晶圆级芯片封装制程中,由于金属布线层的布线设计需要,金属布线层中的各金属线路的宽度可能会不一致,即可能存在宽度不同的多条金属线路,而其中一些较宽的金属线路会使阻焊层与金属布线层的接触面积增大,而阻焊层与金属之间的结合力相对于其与绝缘层之间的结合力弱,容易引起阻焊层从金属布线层上剥离,对芯片的可靠性造成隐患。
[0003]在上述晶圆级芯片封装制程中,形成的凹槽通常是具有斜坡状侧壁的凹槽结构,出于金属布线层的布线设计需要,可能会存在凹槽第一侧壁的斜坡上铺设有金属线路,而凹槽相对的第二侧壁上没有铺设金属线路的情况,由于形成金属布线层的光刻工艺中通常用易去除的见光反应的光刻胶图案化种子层金属,因此,在曝光制程中,光束在第二侧壁上会发生反射,致使对面的第一侧壁上的光刻胶感光,从而破坏第一侧壁上设计的金属线路,引起金属线路断路。为了避免上述情况发生,需要在第二侧壁铺设对应的光刻胶,经后续制程形成辅助金属图案。而辅助金属图案中可能会存在一些较宽的大片金属块,也使阻焊层与金属布线层的接触面积增大,进而导致阻焊层的结合力变弱,容易引起阻焊层从金属布线层上剥离,对芯片的可靠性造成隐患。
[0004]此外,在晶圆基底表面形成金属布线层时,由于布线设计需要,存在根据布线设计需要在晶圆基底表面设大片金属块的情况,因此,也容易引起阻焊层从金属布线层上剥离,对芯片的可靠性造成隐患。

【发明内容】

[0005]为了解决上述技术问题,本实用新型提出一种改善阻焊层剥离的晶圆封装结构及芯片封装结构,能够有效的减小阻焊层与金属布线层之间的接触面积,增大绝缘层与阻焊层之间的结合面积,从而避免阻焊层从金属布线层上剥离,为芯片的可靠性提供保障。
[0006]本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0007]一种改善阻焊层剥离的晶圆封装结构,包括具有若干芯片单元的晶圆、铺设在所述晶圆基底表面上的绝缘层、铺设在所述绝缘层上的金属图案和铺设在所述金属图案上的阻焊层,所述金属图案包括将晶圆导电焊垫的电性导出的金属布线层,所述金属布线层的各金属线路中至少有一条容易引起所述阻焊层剥离的宽金属线路,所述宽金属线路上形成有至少一个未截断该宽金属线路的金属缺口 ;或者/并且所述金属图案还包括根据布线需要设计的金属辅助图案,所述金属辅助图案包括至少一个容易引起所述阻焊层剥离的大片金属块,所述大片金属块上形成有至少一个未截断该大片金属块的金属缺口。
[0008]作为本实用新型的进一步改进,设有所述宽金属线路时,所述金属缺口位于所述宽金属线路的边缘或/和内部;设有所述大片金属块时,所述金属缺口位于所述大片金属块的边缘或/和内部。
[0009]作为本实用新型的进一步改进,设有所述宽金属线路时,所述晶圆基底表面形成有暴露晶圆导电焊垫的凹槽,所述凹槽包括斜坡状相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁上依次铺设有所述绝缘层、所述金属布线层和所述阻焊层,所述金属布线层中具有延伸至该凹槽槽底平面,且连接至少一个焊垫的所述宽金属线路,所述宽金属线路上形成有所述金属缺口。
[0010]作为本实用新型的进一步改进,所述第二侧壁上依次铺设有所述绝缘层、所述金属辅助图案和所述阻焊层,所述金属辅助图案中具有延伸至该凹槽槽底平面的所述大片金属块,所述大片金属块上形成有所述金属缺口。
[0011]作为本实用新型的进一步改进,设有所述大片金属块时,所述晶圆基底表面形成有用于降低封装高度或暴露晶圆导电焊垫的凹槽,所述凹槽包括斜坡状相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁上依次铺设有所述绝缘层、所述金属布线层和所述阻焊层,所述第二侧壁上依次铺设有所述绝缘层、所述金属辅助图案和所述阻焊层,所述金属布线层中不具有所述宽金属线路,所述金属辅助图案中具有延伸至该凹槽槽底平面的所述大片金属块,所述大片金属块上形成有所述金属缺口。
[0012]作为本实用新型的进一步改进,所述凹槽位于所述晶圆相邻两个芯片单元之间,所述凹槽的第一侧壁上金属布线层中至少有两条邻近的金属线路,所述凹槽的第二侧壁对应该金属线路的位置形成所述大片金属块,所述大片金属块由晶圆基底表面延伸到所述凹槽的槽底。
[0013]作为本实用新型的进一步改进,设有所述大片金属块时,所述大片金属块位于所述晶圆基底表面的平面位置上,所述大片金属块上形成有所述金属缺口。
[0014]作为本实用新型的进一步改进,所述金属缺口的形状为封闭或半封闭的弧形、多边形或不规则图形。
[0015]一种改善阻焊层剥离的芯片封装结构,为所述的改善阻焊层剥离的晶圆封装结构沿预定切割道切割后形成的任一单颗芯片的封装结构。
[0016]本实用新型的有益效果是:本实用新型提供一种改善阻焊层剥离的晶圆封装结构及芯片封装结构,通过在晶圆的金属图案中大片金属块或宽金属线路上的边缘和/或中间刻出一个或若干金属缺口,能够有效减小阻焊层与金属图案的接触面积,同时增大阻焊层与绝缘层的结合面积,对阻焊层的剥离有较大改善。同时,也对绝缘层上大片金属块的存在引起的应力累积有一定程度的缓解。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型实施例中金属缺口形状示意图;
[0018]图2为本实用新型实施例1中宽金属线路示意图;
[0019]图3为本实用新型实施例2中大片金属块示意图;
[0020]图4为涂布阻焊层后图3中A-A向剖面示意图。
[0021]结合附图,作以下说明:
[0022]I——基底2——绝缘层
[0023]3——阻焊层4——金属图案
[0024]41 宽金属线路42 大片金属块
[0025]411,421 金属缺口 43 金属线路
[0026]6——凹槽601——第一侧壁
[0027]602——第二侧壁7——导电焊垫
[0028]8一一预定切割道9一一切割槽
[0029]10——保护结构
【具体实施方式】
[0030]为使本实用新型能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。为方便说明,实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放,故不代表实施例中各结构的实际相对大小。
[0031]实施例1
[0032]如图2所示,一种改善阻焊层3剥离的晶圆封装结构,包括具有若干芯片单元的晶圆、铺设在所述晶圆基底I表面上的绝缘层2、铺设在所述绝缘层2上的金属图案和铺设在所述金属图案上的阻焊层3,所述金属图案包括将晶圆导电焊垫7的电性导出的金属布线层,所述金属布线层的各金属线路中至少有一条容易引起所述阻焊层3剥离的宽金属线路41,所述宽金属线路41上形成有至少一个未截断该宽金属线路41的金属缺口 411 ;
[0033]优选的,宽金属线路41的宽度大于300微米,所述金属缺口位于所述宽金属线路41的边缘或/和内部,金属缺口的形状为封闭或半封闭的弧形、多边形或不规则图形,参见图1。
[0034]优选的,参见图2,所述晶圆基底I表面形成有用于暴露晶圆导电焊垫7的凹槽6,所述凹槽6位于所述晶圆相邻两个芯片单元之间,所述凹槽6包括斜坡状相对的第一侧壁601和第二侧壁602,所述第一侧壁601上依次铺设有所述绝缘层2、所述金属布线层和所述阻焊层,所述金属布线层中具有延伸至该凹槽槽底的所述宽金属线路41,所述宽金属线路41上靠近切割线的位置形成有所述金属缺口 411,以使金属布线层上的阻焊层3更有效的抓住金属布线层下的绝缘层2,改善阻焊层3的剥离。
[0035]本实施例1中通过在晶圆(包括凹槽6第一侧壁601及凹槽槽底上)的金属图案中存在的宽金属线路41上(边缘和/或中间)刻出一个或若干金属缺口 411,能够有效减小阻焊层3与金属图案4的接触面积,同时增大阻焊层3与绝缘层2的结合面积,对阻焊层3的剥离有较大改善。
[0036]实施例2
[0037]如3和图4所示,一种改善阻焊层3剥离的晶圆封装结构,包括具有若干芯片单元的晶圆、铺设在所述晶圆基底I表面上的绝缘层2、铺设在所述绝缘层2上的金属图案和铺设在所述金属图案上的阻焊层3,所述金属图案包括将晶圆导电焊垫7的电性导出的金属布线层,所述金属图案还包括根据布线需要设计的金属辅助图案,所述金属辅助图案包括至少一个容易引起所述阻焊层3剥离的大片金属块42,所述大片金属块42上形成有至少一个未截断该大片金属块42的金属缺口 421。
[0038]优选的,大片金属块42为覆盖300微米*100微米方形块,所述金属缺口位于所述大片金属块42的边缘或/和内部。金属缺口的形状为封闭或半封闭的弧形、多边形或不规则图形,参见图1。
[0039]优选的,所述晶圆基底I表面形成有用于降低封装高度或暴露晶圆导电焊垫7的凹槽6,所述凹槽6包括斜坡状相对的第一侧壁601和第二侧壁602,所述第一侧壁601上依次铺设有所述绝缘层2、所述金属布线层和所述阻焊层,所述第二侧壁602上依次铺设有所述
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