>[0067]制备前电极图形
[0068]在356x406平方毫米的ZnO透明导电玻璃上按照非晶硅太阳能电池需要的图形(单元电池为圆形，由四个单节电池串联组成，每个单节电池为圆弧形状，中间为圆形的透明视窗，整个ZnO透明导电玻璃上以单元电池尺寸为周期阵列排布单元电池)采用耐酸油墨作为掩膜，湿法化学腐蚀ZnO透明导电膜，形成ZnO透明导电膜前电极1D，四周的ZnO透明导电膜是保留的，相邻节ZnO透明导电膜前电极间的隔离线ID-1的宽度为0.6mm;其中绝缘线1D-2，宽度0.3_，是防止在切割时ZnO透明导电膜前电极和背电极搭接在一起导致短路。
[0069]除耐酸油墨
[0070]接着去除耐酸油墨，除油及超声清洗后，再用自动清洗机和纯水进行清洗，并经风刀吹干待用；
[0071]PIN非晶硅基薄膜沉积
[0072]将清洗好的ZnO透明导电玻璃，装入沉积夹具中并放入真空室中采用等离子体化学气相沉积法进行PIN非晶硅基薄膜沉积，其中N为N型氧化硅(S1x),以增加对短波段光的反射，提高叠层电池的短路电流。N型氧化硅(S1x)的沉积气体流量比为:C02:SiH4=0.5，射频电源放电功率90W，沉积温度220摄氏度；
[0073]激光刻划
[0074]采用绿激光刻划非晶硅基薄膜，形成连接相邻两节单节电池的激光打孔刻划线2D-1，每束激光功率为0.5瓦，激光刻划线宽0.2_，在刻划的同时进行强力吸尘，防止因刻划形成的非晶硅基薄膜碎屑散落到激光打孔刻划线影响电池性能；
[0075]制备复合背电极
[0076]采用平面磁控溅射法依次溅镀ZnO膜，银膜和镍铜合金膜，厚度分别为lOOnm，80nm和120nm，形成复合背电极3D，以增加对光的反射，提高电池转换效率。
[0077]激光贯穿刻划隔离线3D-1
[0078]采用绿激光贯穿刻划非晶硅基薄膜2D和复合背电极3D，形成节与节之间的隔离线3D-1，每束激光功率为1.0瓦并调整好激光频率，激光刻划线宽0.5_，在刻划的同时进行强力吸尘，防止因刻划形成的非晶硅基薄膜碎屑散落到隔离线影响电池性能；
[0079]形成透明视窗
[0080]采用激光刻划方法将设计需要透明的区域上的非晶硅基薄膜及复合背电极去除，形成透明视窗，每束激光功率7W，红外激光波长为1064nm。
[0081]丝网印刷背漆并烘干固化形成背漆保护层4D，固化温度控制在135~145摄氏度，固化时间为40分钟，背漆开口 4D-1为焊接正负极引线之用；
[0082]最后进行切割，按检验标准测试，合格后包装入库。
[0083]实施例7
[0084]此例为柔性非晶娃和非晶娃错置层太阳能电池，见附图12~17:
[0085]柔性基片第一次冲孔
[0086]在356x406平方毫米的聚酰亚胺柔性基片6R上按照非晶硅太阳能电池需要的图形(此例中，沿宽度566mm方向等分分成40节,整个单元电池有40个单节电池内部组成。每个单元电池为矩形形状。)沿宽度方向的两侧边沿距边沿1mm出进行第一次冲孔，作为导流孔6R-1，孔径2.5mm,相邻孔间距9mm，并用纯水冲洗干净吹干；
[0087]制备复合背电极3R，
[0088]采用平面磁控溅射法在已冲孔的聚酰亚胺柔性基片上正面连续溅镀金属铝膜，银膜和ITO透明导电膜，作为复合背电极3R，，以增加对入射光的反射；并在背面溅镀金属铝膜7R;
[0089]第二次冲孔
[0090]将已溅镀金属膜的聚酰亚胺柔性基片沿长度方向进行第二次冲孔，作为汇流孔3R-5，孔径1.5_，相邻孔间距5_，并用纯水冲洗干净和吹干；
[0091]气相沉积光电转换层
[0092]将已第二次冲孔的聚酰亚胺柔性基片装入沉积夹具中并放入真空室中采用等离子体化学气相沉积法进行连续两个子电池NI，II，Pl和N2，12，P2硅基薄膜沉积，构成非晶硅非晶硅锗叠层电池光电转换层主体2R，其中Il为本征非晶硅锗膜，NI为N型非晶硅膜，Pl为P型非晶硅膜，12为本征非晶硅膜，P2为P型非晶硅膜，N2为N型氧化硅(S1x),以增加对短波段光的反射，提高叠层电池的短路电流。N型氧化硅(S1x)的沉积气体流量比为:CO2 = SiH4=0.4，射频电源放电功率90W，沉积温度200摄氏度；
[0093]平面磁控溅射
[0094]采用平面磁控溅射法在沉积完硅基薄膜的聚酰亚胺柔性基片上溅镀ITO透明导电膜作为前电极IR，在基片背面溅镀一层金属铝膜以形成正负极的内部互连；
[0095]采用绿激光将ITO透明导电膜，所有硅基薄膜层和复合背电极层贯穿刻划形成隔离线3R-6，同时将背面的金属铝膜按相应图形进行错位刻划形成隔离线7R-1，最终形成相邻单节电池内部串联的单元电池。每束激光功率为0.6瓦，激光刻划隔离线宽0.5_，在刻划的同时进行强力吸尘，防止因刻划形成的非晶硅基薄膜碎屑散落到激光打刻划线影响电池性能；
[0096]将已做好的单元电池用涂锡带把正负电极引出5R，并在其正面铺上EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)9R和ETFE (乙烯-四氟乙烯共聚物)SR，在背面铺设EVA (乙烯-醋酸乙烯共聚物)9R和PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)4R，然后放入层压机进行层压封装，层压温度140摄氏度，层压时间50分钟。层压后进行修边，检测，至此全部制作过程完成。
【主权项】
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池，包括基片、前电极图形、PIN光电转化层、背电极，其特征在于PIN光电转化层完全覆盖在前电极图形ITO透明导电膜层上，前电极图形包括PIN非晶硅P层的前电极，单元电池，还包括有防漏电的隔离区域；PIN非晶硅N层的背电极是金属背电极或碳浆电极中的一种；所说的碳浆电极是有背漆保护层的N层背电极；引出电极铜浆电极覆盖在背漆保护层开口处背漆面和碳浆电极面上。
2.如权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的在背漆保护层露出的碳浆电极面上引出铜浆电极是在背漆保护层预留开口处制备一层铜浆电极层，且铜浆电极面积为一定值，加大铜浆电极与背漆保护层开口处周边接触面，相对减小铜浆电极与碳浆电极的接触面。
3.如权利要求1所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说透明导电膜前电极图形，包括PIN非晶硅P层的前电极，单元电池的前电极，所述隔离区域设置在单元电池相邻节之间，其线宽范围为0.3mm~0.6mm。
4.如权利要求3所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的PIN非晶硅膜层完全覆盖在导电膜层前电极图形上，是指将PIN非晶硅N层上的碳浆电极层和其上的背漆保护层排除在外。
5.如权利要求1-4中任何一项所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的前电极导电图形是方形、圆形及其变形，包括PIN非晶硅的前电极，单元电池的前电极形状。
6.如权利要求5所述的非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的前电极导电图形为圆形透明导电膜层，该膜层为PIN非晶硅层的前电极，单元电池的前电极均为圆形透明前电极导电膜层，在其圆形导电膜周边有绝缘线。
7.如权利要求6所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的前电极为圆形透明导电膜的PIN非晶硅基薄膜太阳能电池，其电池中央有透明视窗。
8.如权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的PIN非晶硅层上有通孔，该通孔是激光打孔形成的刻划线，以连接相邻单节电池间正负电极串联通道。
9.如权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的PIN非晶硅层通孔是连接相邻单节电池间正负电极串联通道。
10.如权利要求3所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所说的PIN非晶硅层通孔靠近前电极防漏电的隔离线。
【专利摘要】<b/>本实用新型公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池，属于太阳能技术领域。本实用新型的目的在于解决PIN非晶硅膜层和背电极膜层脱落，漏电漏大等问题。采用的主要技术特是PIN光电转化层完全覆盖在前电极图形ITO透明导电膜层上。引出铜浆电极覆盖在背漆保护层开口处背漆面和碳浆电极面上，其铜浆电极的附着力达到0.6公斤以上。实施本实用新型产生的积极效果，漏电流显著减小，优质良品率显著提高，降低了生产成本。
【IPC分类】H01L31-0224, H01L31-02, H01L31-075
【公开号】CN204391137
【申请号】CN201520041518
【发明人】李毅, 孙坚
【申请人】深圳市创益新能源科技有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2015年1月21日