旋转式晶圆加工处理系统的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体工艺设备，尤其涉及一种用于湿式蚀刻以及清洗晶圆所用的旋转式晶圆加工处理系统。
【背景技术】
[0002]半导体元件，是在硅晶圆(硅圆片)上进行各种工艺而形成电子电路，其工艺包含了微影、蚀刻、各式化学沉积、平坦化等工艺以及各工艺步骤之间的清洗步骤等工艺步骤；由于步骤繁多，因此各工艺步骤之间的关系非常密切，当其中之一的步骤发生问题时，即会影响后续的工艺，甚至造成晶圆的失效，进而造成制造成本的增加。
[0003]为了要在晶圆上形成所需的图形，半导体工艺中是先利用微影的方式定义出图形，再利用蚀刻的方式去除多余的部分来形成图形；半导体元件的蚀刻工艺，包含了干式蚀刻以及湿式蚀刻，干式蚀刻是通过等离子体的解离，形成离子与物质表面进行化学反应，或是物理轰击，属于非等向性的蚀刻，且无法进行选择性蚀刻，而湿式蚀刻则是利用化学的液体与物质进行化学反应，属于等向性的蚀刻。
[0004]在半导体晶圆的湿式蚀刻工艺中，一般是以夹爪夹住晶圆的外围进行固定，并利用移动装置将晶圆连同夹爪浸泡至化学蚀刻液中进行湿式蚀刻的工艺；虽然如此浸泡式的湿式蚀刻具有产量大、所需成本低廉等优点，但缺点是在晶圆表面会有蚀刻反应不均匀的情形产生，进而影响晶圆的工艺良率；另外，以夹爪夹住的位置在进行湿式蚀刻时会形成死角，使得夹爪所夹位置无法进行工艺程序，降低晶圆的产率。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的主要目的，在于提供一种旋转式晶圆加工处理系统，可以提升晶圆在进行湿式蚀刻时的均匀度。
[0006]本实用新型的另一目的，在于旋转式晶圆加工处理系统可以减少晶圆在进行湿式蚀刻时的死角。
[0007]为达上述目的，本实用新型提供一种旋转式晶圆加工处理系统，其针对一晶圆进行处理，该晶圆具有一边缘区域以及一受该边缘区域围绕的待加工区域，该旋转式晶圆加工处理系统包括:
[0008]一晶圆承载单元，包括一环形承载元件，该环形承载元件定义出一处理腔室，且该环形承载元件包括一朝该处理腔室延伸且供该晶圆的该边缘区域靠置的凸缘以及一朝该晶圆的一厚度方向延伸的挡墙；
[0009]一与该处理腔室连接的驱动单元，该驱动单元包含一驱动该处理腔室转动的转动轴；
[0010]一设置于该处理腔室内的加工处理单元，该加工处理单元包含一位于该晶圆的该待加工区域一侧的工作平台、多个设置于该工作平台上的出气孔洞以及多个设置于该工作平台上的出液孔洞；
[0011]一提供一气体至该处理腔室以使该晶圆与该工作平台相隔一间距的气体供应单元，该气体供应单元与该些出气孔洞相互连接；以及
[0012]一提供一化学药剂至该处理腔室以与该晶圆的该待加工区域接触的液体供应单元，该液体供应单元与该些出液孔洞相互连接。
[0013]上述的旋转式晶圆加工处理系统，其中更包含一程序控制单元，该程序控制单元与该驱动单元、该气体供应单元以及该液体供应单元电性连接。
[0014]上述的旋转式晶圆加工处理系统，其中更包含一外壳体单元，该晶圆承载单元以及该加工处理单元设置于该外壳体单元内。
[0015]上述的旋转式晶圆加工处理系统，其中更包含一与该外壳体单元相互连接的液体回收单元。
[0016]上述的旋转式晶圆加工处理系统，其中更包含一与该加工处理单元连接的加热单
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[0017]上述的旋转式晶圆加工处理系统，其中更包含一与该加工处理单元相互连接的作动驱动单元。
[0018]由上述可知，本实用新型具有下列特点:
[0019]一、该气体供应单元提供该气体，使该晶圆与该工作平台相隔该间距，藉此使得该晶圆能够以非接触的方式设置于该工作平台上，进而减少现有以爪夹固定进行湿式蚀刻时所产生的死角过多的问题。
[0020]二、由于该晶圆设置于该晶圆承载单元上，搭配该晶圆承载单元能藉由该驱动单元的转动轴进行转动，使该晶圆在进行湿式蚀刻工艺时能够于该加工处理单元上进行旋转，藉此使得该晶圆的待加工区域能够均匀的进行湿式蚀刻反应，进而提升湿式蚀刻工艺的良率。
[0021]以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
【附图说明】
[0022]图1，为本实用新型的单元配置示意图；
[0023]图2A，为本实用新型的结构示意图；
[0024]图2B，为本实用新型的局部结构放大示意图；
[0025]图3，为出气孔洞的分布结构示意图；
[0026]图4，为出液孔洞的分布结构示意图；
[0027]图5，为本实用新型另一较佳实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028]有关本新型的详细说明及技术内容，现就配合【附图说明】如下:
[0029]请参阅图1以及图2所示，为本实用新型单元配置示意图，如图所示:本实用新型提供一种旋转式晶圆(圆片)加工处理系统，为针对一晶圆I进行处理，该晶圆I具有一边缘区域Ia以及一受该边缘区域Ia围绕的待加工区域lb，该旋转式晶圆加工处理系统包含一外壳体单元100、一晶圆承载单元10、一驱动单元20、一加工处理单元30、一气体供应单元40、一液体供应单元50以及一作动驱动单元90，该晶圆承载单元10包括一环形承载元件11，该环形承载元件11定义出一处理腔室12，且该环形承载元件11包括一朝该处理腔室12延伸且供该晶圆I的该边缘区域Ia靠置的凸缘111以及一朝该晶圆I的厚度方向延伸的挡墙112，该驱动单元20与该处理腔室12连接，且包含一驱动该处理腔室12转动的转动轴21，该加工处理单元30设置于该处理腔室12内，且包含一位于该晶圆I的待加工区域Ib 一侧的工作平台31、多个设置于该工作平台31上的出气孔洞32以及多个设置于该工作平台31上的出液孔洞33，该气体供应单元40与该些出气孔洞32相互连接，该液体供应单元50与该些出液孔洞33相互连接，该作动驱动单元90与该加工处理单元30的工作平台31连接，而该晶圆承载单元10以及该加工处理单元30均设置于该外壳体单元100之内。
[0030]该晶圆I的该边缘区域Ia靠置于该环形承载元件11的该凸缘111上，后藉由该气体供应单元40将一气体A经由该些出气孔洞32提供至该处理腔室12，使该晶圆I与该工作平台31相隔一间距X，并利用该挡墙112使该晶圆I能够稳定设置而进行后续湿式蚀刻工艺；进一步说明，藉由该作动驱动单元90的作动，可依工艺条件的需求调整该加工处理单元30的工作平台31与该晶圆I之间的距离，亦可依照工艺需求驱动该工作平台31的旋转。
[0031 ] 接续自该液体供应单元50提供一化学药剂B至该处理腔室12，使该化学药剂B与该晶圆I的该待加工区域Ib接触，同时藉由该转动轴21带动该处理腔室12进行旋转，使得该化学药剂B能够均匀的分布于该晶圆I的待加工区域Ib上以进行湿式蚀刻；另外，本实用新型更包含一加热单元80，该加热单元80与该加工处理单元30连接以对该晶圆I进行加热，藉此进一步提