一种可靠性测试结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体测试结构，特别是涉及一种可靠性测试结构。
【背景技术】
[0002]随着半导体制程中芯片关键尺寸的进一步缩小，越来越多的客户希望测试结构在版图布局中所占的面积尽可能小，因此，测试结构的稳定性会随着其尺寸的缩小而进一步变得不稳定。因此，对于MOS结构来说，一种现有的做法是将MOS结构的四个端分别连接在不同的焊垫上，如图1所示，MOS结构的栅极10连接在第一焊垫14上，其源极11连接在第二焊垫15上，漏极12连接在第三焊垫16上，衬底13连接在第四焊垫17上。为了节省测试结构所占的面积，另一种做法是在版图布局中将不同MOS结构的栅极连接在一起，同时将不同MOS结构的源极也共同连接在一起。如图2所示，含有三个MOS管的测试结构，该三个MOS管的栅极都共同连接在按行排列的最后一个焊垫上；该三个MOS管的源极都共同连接在第一焊垫14上。这样原来用于连接一个MOS结构的四个焊垫变为两个焊垫。节省了用于连接的焊垫的数目。
[0003]但是将不同MOS管的源极都连接在一个焊垫以及将这些MOS管的栅极都连接在另一个焊垫上的劣势是连接线变长，从而金属线的电阻增大使得金属源电阻增加，这样会导致该测试结构的性能下降加快。另一方面测试结构的击穿电压在现有技术的基础上没有提尚，不能有效提尚器件的性能。
[0004]因此，有必要提出一种新的测试结构来解决以上问题。
【实用新型内容】
[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种可靠性测试结构，用于解决现有技术中由于连接线的长度增加使得测试结构中金属线电阻增大而导致测试结构性能下降加快的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种可靠性测试结构，所述测试结构至少包括:彼此间隔且呈一行排列的第一至第二十二焊垫；位于每两个焊垫之间的MOS器件；所述MOS器件的源极共同连接于第十一焊垫；所述MOS器件的栅极共同连接于第二十二焊垫；距离所述第十一焊垫越远的所述MOS器件其沟道长度越长。
[0007]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，位于所述每两个焊垫之间的MOS器件由两个共用漏极的MOS结构组成；该两个共用漏极的MOS结构彼此对称分布且源极相互连接。
[0008]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，位于所述第一至第十一焊垫之间的每个MOS器件中的两个MOS结构的共用漏极连接于与该MOS器件左相邻的所述焊垫；位于所述第十一至第二十一焊垫之间的每个MOS器件中的两个MOS结构的共用漏极连接于与该MOS器件右相邻的所述焊垫。
[0009]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，组成所述每个MOS器件的两个MOS结构的沟道长度、沟道宽度分别彼此相等。
[0010]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，所述每个MOS器件中的所述MOS结构的沟道宽度彼此相等。
[0011]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，所述每个MOS器件中的所述MOS结构的沟道宽度为10微米。
[0012]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，位于第一至第二焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.6微米；位于第二至第三焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.35微米；位于第三至第四焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.18微米。
[0013]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，位于第二十至第二 ^^一焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.6微米；位于第十九至第二十焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.35微米；位于第十八至第十九焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.18微米。
[0014]作为本实用新型的可靠性测试结构的一种优选方案，每相邻两个所述焊垫之间的距离彼此相等。
[0015]如上所述，本实用新型的可靠性测试结构，具有以下有益效果:本实用新型将测试结构中不同的MOS器件的源极一同连接在靠近这些MOS器件的中间的焊垫上，缩短了金属连线的长度，克服了金属连线长而电阻高导致的器件性能下降的缺陷，同时将测试结构中沟道长度不同MOS器件，按照沟道长度与共用源极焊垫之间的距离进行排序，有效提高了器件的性能；另外，将现有的位于其中两个焊垫之间的一个MOS器件替换为两个共用漏极的MOS结构，有效增加了测试结构的击穿电压。
【附图说明】
[0016]图1为现有技术的测试结构中MOS器件与焊垫的一种连接方式的版图示意图。
[0017]图2为现有技术的测试结构中MOS器件与焊垫的另一种连接方式的版图示意图。
[0018]图3为本实用新型的可靠性测试结构中MOS器件与焊垫的连接方式左半部分的版图示意图。
[0019]图4为本实用新型的可靠性测试结构中MOS器件与焊垫的连接方式右半部分的版图示意图。
[0020]图5为MOS器件中栅极共用焊垫而源极非共用焊垫时的漏电流与栅极和源极都非共用焊垫时的漏电流拟合图。
[0021]图6为MOS器件中源极共用焊垫而栅极非共用焊垫时的漏电流与栅极和源极都非共用焊垫时的漏电流拟合图。
[0022]图7为本实用新型的可靠性测试结构漏电流与栅极和源极都非共用焊垫时的漏电流拟合图。
[0023]元件标号说明
[0024]10栅极
[0025]11源极
[0026]12漏极
[0027]13衬底
[0028]14第一焊垫
[0029]15第二焊垫
[0030]16第三焊垫
[0031]17第四焊垫
[0032]a、b、ap bp a2、b2曲线
【具体实施方式】
[0033]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0034]请参阅图3至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0035]如图3和图4所示，本实用新型提供一种可靠性测试结构，所示测试结构至少包括:彼此间隔且呈一行排列的第一至第二十二焊垫；位于每两个焊垫之间的MOS器件；所述MOS器件的源极共同连接于第十一焊垫；所述MOS器件的栅极共同连接于第二十二焊垫；距离所述第十一焊垫越远的所述MOS器件其沟道长度越长。图3表示的是本实用新型的可靠性测试结构中MOS器件与焊垫的连接方式左半部分的版图示意图。图3中，第一焊垫14至第二十二焊垫从左至右依次间隔且呈一行排列，在每两个焊垫之间都设有MOS器件，例如，在所述第一焊垫14与第二焊垫之间设有MOS器件，在所述第二焊垫与第三焊垫之间设有MOS器件，以此类推。图4显示的是本实用新型的可靠性测试结构中MOS器件与焊垫的连接方式右半部分的版图示意图。也就是说，从第十一焊垫开始，在第十一焊垫至第二十二焊垫之间的每两个焊垫之间都设有一个MOS器件。
[0036]本实用新型的所述测试结构中，位于每两个焊垫之间的MOS器件都具有不同的沟道长度。如图3所示，本实用新型的所述每一个MOS器件都有四个端:栅极10、源极11、漏极12以及衬底。其中每个MOS器件的源极都连接在一个共同的焊垫上，该焊垫为第十一焊垫(第十一焊垫为从左至右的第十一个焊垫)，如图3所示，本实用新型的所述每个MOS器件的栅极10连接在第二十二焊垫上(从左至右的第二十二个焊垫)。本实用新型中的MOS器件中的栅极和源极之所以为如上所述的连接方式，原因可参考图5，图5表示的是MOS器件中栅极共用焊垫而源极非共用焊垫时的漏电流与栅极和源极都非共用焊垫时的漏电流曲线拟合图。从图5可以看出，当栅极共用焊垫时，其对漏电流的影响很小可以忽略不计；图6表示的是MOS器件中源极共用焊垫而栅极非共用焊垫时的漏电流与栅极和源极都非共用焊垫时的漏电流拟合图。
[0037]该两幅图