晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及晶片的加工方法，在该晶片中，在正面上多条分割预定线形成为格子 状，并且在由该多条分割预定线划分出的多个区域中形成有器件，沿着分割预定线分割该 晶片。
【背景技术】
[0002] 在半导体器件制造工艺中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上通过排列 成格子状的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。通过沿 着分割预定线将W运种方式形成的半导体晶片切断，而对形成有器件的区域进行分割从而 制造出各个器件忍片。
[0003] 上述的沿着半导体晶片的分割预定线进行的切断通常是通过被称为划片银的切 削装置而进行的。该切削装置具有:卡盘工作台，其保持半导体晶片或光器件晶片等被加工 物;切削构件，其用于对保持在该卡盘工作台上的被加工物进行切削；W及切削进给构件， 其用于使卡盘工作台与切削构件相对地移动。切削构件包含主轴单元，该主轴单元具有主 轴、装配于该主轴的切削刀具W及对主轴进行旋转驱动的电动机。切削刀具由圆盘状的基 台和装配于该基台的侧面外周部的环状的切刃构成，切刃例如通过电铸将粒径3WI1左右的 金刚石磨粒固定于基台并形成为厚度20WI1左右。
[0004] 而且，由于切削刀具具有20皿左右的厚度，因此作为划分器件的分割预定线，其宽 度需要为50WI1左右，存在分割预定线相对于晶片的面积所占的面积比率较大，生产性变差 运样的问题。
[0005] 另一方面，近年来，作为对半导体晶片等晶片进行分割的方法，如下的被称为内部 加工的激光加工方法也被实用化:使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，将聚 光点定位在应该进行分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了运种被称作内部加工 的激光加工方法的分割方法是如下的技术:使聚光点从晶片的一个面侧对准至内部而照射 对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改 质层，沿着因形成该改质层而导致强度降低的分割预定线施加外力，由此将晶片断裂并分 害Il (例如，参照专利文献1)。
[0006] 作为像上述那样对沿着分割预定线形成改质层的晶片的分割预定线施加外力并 将晶片分割成各个器件忍片的方法，在下述专利文献2中公开了如下技术:通过将沿着分割 预定线形成有改质层的晶片粘贴在装配于环状的框架的划片带上，并扩展划片带而对晶片 施加拉力，沿着形成有改质层且强度降低的分割预定线将晶片分割成各个器件忍片。
[0007] 并且，在下述专利文献3中公开了如下技术:在沿着分割预定线连续地形成改质层 的晶片的正面上粘贴保护带，将保护带侧保持在卡盘工作台上，然后对于晶片的背面一边 供给磨削水一边进行磨削而将其形成为规定的厚度并且将晶片分割成各个器件忍片。
[000引专利文献1:日本特开2004-160493号公报
[0009] 专利文献2:日本特开2005-223282号公报
[0010] 专利文献3:日本特开2013-165229号公报
[0011] 然而，如果在沿着分割预定线连续地形成有改质层的晶片的正面上粘贴保护带， 并将保护带侧保持在卡盘工作台上而对于晶片的背面一边磨削水一边进行磨削由此将其 形成为规定的厚度并且将晶片分割成各个器件忍片，则存在如下的问题:磨削水从被分割 成各个器件忍片的间隙侵入而污染器件忍片的侧面和正面从而使器件忍片的品质降低。
[0012] 并且，如果在已被分割成各个器件忍片的晶片的背面上装配粘接膜并且粘贴划片 带，并通过扩展该划片带而沿着各个器件忍片将粘接膜断裂，则存在如下的问题：由于粘接 膜形成为比晶片稍大，因此粘接膜的外周部会破碎而飞散并附着于器件忍片的正面而使器 件忍片的品质降低。
【发明内容】
[0013] 本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方 法，当在沿着分割预定线形成有改质层的晶片的正面上粘贴保护带，并将保护带侧保持在 卡盘工作台上而对于晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削而将其形成为规定的厚度 并且将晶片分割成各个器件忍片时，能够在不污染器件忍片的侧面和正面的情况下实施。
[0014] 为了解決上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，该晶片 中，在正面上W格子状形成有多条分割预定线，并且在由该多条分割预定线划分出的各区 域中形成有器件，沿着该分割预定线将该晶片分割成各个器件忍片，该晶片的加工方法的 特征在于，具有如下的工序:保护膜形成工序，在晶片的正面上包覆液状树脂而形成保护 膜，该液状树脂因照射紫外线而硬化;保护膜硬化工序，对该保护膜照射紫外线而使保护膜 硬化;保护带粘贴工序，在该保护膜的表面上粘贴保护带；改质层形成工序，将聚光点定位 在晶片内部而沿着该分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内 部沿着该分割预定线形成改质层；W及背面磨削工序，在实施了该保护带粘贴工序和该改 质层形成工序之后，一边供给磨削水一边对晶片的背面进行磨削而将晶片薄化至规定的厚 度，并且W该改质层作为断裂起点而沿着分割预定线将晶片分割成各个器件忍片。
[0015] 优选晶片的加工方法还具有如下的工序:粘接膜断裂工序，在实施了所述背面磨 削工序之后，在已被分割成各个器件忍片的晶片的背面上粘贴粘接膜并且在该粘接膜上粘 贴划片带，从晶片的正面将该保护带剥离，通过扩展该划片带而将该粘接膜沿着各个器件 忍片断裂；W及保护膜去除工序，对实施了该粘接膜断裂工序的各个器件忍片的正面供给 清洗液而去除该保护膜。
[0016] 优选由水溶性树脂构成，在所述保护膜去除工序中供给清洗水而去除该保护膜。
[0017] 根据本发明的晶片的加工方法，虽然在背面磨削工序中混入了磨削屑的磨削水从 因分割成各个器件忍片而产生的间隙侵入，但由于在晶片的正面上形成有保护膜，因此磨 削水不会到达器件忍片的正面。因此，解决了混入磨削屑的磨削水污染器件忍片而使品质 降低运样的问题。并且，由于包覆在晶片的正面上的保护膜因被紫外线照射而硬化，因此在 磨削过程中抑制晶片的移动，并且即使分割成各个器件忍片也通过比较牢固地包覆在晶片 的正面上的保护膜来抑制间隙的扩展，因此能够阻止磨削水的侵入，减少器件忍片的侧面 污染。
【附图说明】
[0018] 图1是半导体晶片的立体图。
[0019] 图2是示出保护膜形成工序的说明图。
[0020] 图3是示出保护膜硬化工序的说明图。
[0021 ]图4是示出保护带粘贴工序的说明图。
[0022] 图5是用于实施改质层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
[0023] 图6是示出改质层形成工序的说明图。
[0024] 图7是示出背面磨削工序的说明图。
[0025] 图8是示出晶片支承工序的第1实施方式的说明图。
[0026] 图9是示出晶片支承工序的第2实施方式