一种阵列基板及其利记博彩app、显示面板的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其利记博彩app、显示面板。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管(英文:thin film transistor，简称:TFT)液晶显示器是采用TFT矩阵进行驱动，当液晶显示器上的扫描线将TFT有源层导通时，数据线的信号通过沟道层传输至源极，源极再将信号传输至液晶显示器的像素电极，进而像素电极控制液晶层实现显示相应灰阶。
[0003]现有的TFT结构通常是在源极层之上设置钝化层(英文简称:PV)，该钝化层上设置有导通孔(英文:Via-Hole)，源极通过该导通孔与像素电极相连，故阻值较大，造成信号的写入较慢，像素充电率下降，并且会有一系列由于充电率不足而引起的不良，例如残像(英JC: Image Sticking)等。
【发明内容】
[0004]本申请提供一种阵列基板及其利记博彩app、显不面板，能够提尚充电电流，提尚充电率。
[0005]本申请第一方面提供一种阵列基板，包括基板以及设置在所述基板之上的TFT和像素电极，所述TFT包括栅极、源极和漏极;其中，所述源极或漏极与所述像素电极之间不设置其他材料层而直接接触。
[0006]其中，所述像素电极设置在所述源极或漏极的表面上而形成直接接触。
[0007]其中，所述像素电极与所述源极或漏极设置于同一层而直接接触。
[0008]其中，所述像素电极与直接接触的所述源极或漏极的材料均为透明导电薄膜。
[0009]其中，还包括覆盖在所述源极、漏极以及所述像素电极上的配向层。
[0010]其中，所述TFT还包括叠置在所述栅极上的栅绝缘层、沟道层，所述源极和漏极设置在所述沟道层上。
[0011]本申请第二方面提供一种显示面板，包括以上所述的阵列基板。
[0012]本申请第三方面提供一种阵列基板的利记博彩app，包括:在基板上形成TFT，其中，所述TFT包括栅极、源极和漏极;在所述TFT的栅极或源极上形成像素电极，其中，所述源极或漏极与所述像素电极之间不设置其他材料层而直接接触。
[0013]其中，所述在所述TFT的栅极或源极上形成像素电极的步骤包括:在所述源极或漏极的表面上形成像素电极;或者，在所述源极或漏极的同一层上形成像素电极。
[0014]其中，所述方法还包括:在所述源极、漏极以及所述像素电极上覆盖配向层。
[0015]上述方案中，阵列基板中的源极或漏极与像素电极之间不设置其他材料层而直接接触，使得该源极或漏极与像素电极之间的阻值减小，在源极或漏极向像素电极写入电信号时，加快了写入速度，提高了充电电流，也提高了充电率。而且，由于本申请保证的一定充电率，故避免了现有由于充电率不足而引起的不良现象。
【附图说明】
[0016]图1是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图；
[0017]图2是本申请阵列基板另一实施方式的结构示意图；
[0018]图3是本申请阵列基板的制成方法一实施方式的流程图；
[0019]图4a是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中形成栅极时的结构示意图；
[0020]图4b是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中形成栅绝缘层时的结构示意图；
[0021]图4c是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中形成沟道层时的结构示意图；
[0022]图4d是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中形成源极和漏极时的结构示意图；
[0023]图4e是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中形成像素电极时的结构示意图；
[0024]图4f是本申请阵列基板的制成方法另一实施例中形成配向层时的结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0026]请参阅图1，图1是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图。本实施方式中，阵列基板包括基板11以及设置在所述基板11之上的TFT12和像素电极13(可以理解的是，图1仅示范性示出一个TFT和像素电极，但在实际应用中，该阵列基板上设置有多个TFT和像素电极)。所述TFT 12包括栅极121、源极122和漏极123。其中，所述源极122或漏极123与所述像素电极13之间不设置其他材料层而直接接触。由于源极122或漏极123与像素电极13直接接触，而无需经过导通孔，减小了源极和像素电极间的阻值，进而可提高充电电流，提高充电率。
[0027]本实施例中，以源极122与像素电极13直接接触为例进行说明。
[0028]具体，该像素电极13可设置在源极122的表面上而形成直接接触，例如图1所示，该像素电极13沉积于该源极122的上表面，此时，当源极122接收到数据线的信号时，直接通过源极的上表面写入至像素电极13，提高了充电率。
[0029]当然，在另一实施例中，像素电极13与源极122还可设置于同一层，像素电极13与源极122的侧面直接接触，如图2所示，图2的其他结构与图1 一致，故不作赘述。此时，当源极122接收到数据线的信号时，直接通过侧面写入至像素电极13，提高了充电率。
[0030]进一步地，为增加像素电极的开口率，在该像素电极13还可与源极122的材料均为透明导电薄膜，如氧化铟锡(俗称ΙΤ0)。即可理解为，该TFT不设置源极层，而直接设置像素电极层，该像素电极13既作为TFT的源极122，通过沟道层接收数据线的信号，同时也作为像素电极13，作用与液晶层上，使其产生偏转，进而实现显示相应灰阶。
[0031]可以理解的是，除上述结构外，源极122与像素电极13还可通过其他结构实现直接接触，在此不作限定。
[0032]优选地，以上阵列基板实施例中，还可不设置钝化层，而直接在源极122、漏极123以及像素电极13上设置配向层14。该配向层14替代现有阵列基板上的钝化层，用于保护源极122、漏极123以及像素电极13不被氧化，而且，该配向层14也设置有配向方向，用于预倾角的固定。由于阵列基板无需设置钝化层，故节省了材料以及光罩制程，也使阵列基板实现更轻薄化。
[0033]需要说明的是，对于配向层14设置在源极12