一种非接触式充电用柔性导磁薄片及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及无线充电领域发射端和接收端电磁感应用柔性导磁薄片，W及制备方 法，特别是用于便携式终端等设备，W非接触感应充电方式充电时，提高充电线圈的禪合效 率，防止发射端和接收端对其他电路的电磁场干扰，为发射端和接收端线圈的交变磁场提 供磁通路，保证绝大部分磁力线闭合，提高充电效率。
【背景技术】
[0002] 无线充电技术，也叫非接触感应式充电，是指利用电磁波感应原理或磁共振方式 进行充电。通过在受电装置和供电装置的两侧设置线圈利用产生的电磁感应或频率共振的 方式来实现无线充电。其中，电磁感应原理类似于变压器，在发送和接收端各有一个线圈， 发送端线圈连接有线电源产生电磁信号，接收端线圈感应发送端的电磁信号从而产生电流 给电池充电。磁共振原理类似于声音共振，就像两个音叉，当频率相同时会产生共振发声。 同样，排列在磁场中的相同振动频率的线圈，也可从一个向另一个供电，从而实现更远距离 的无线充电。便携式终端、手机数码、摄像机等电子设备中的裡离子电池的充电，都是一个 逆变器把交流电变换为直流电进行充电。而无线充电技术，是把交流电变换成IOOkHz及W 上，然后利用电磁感应的原理或磁共振原理，通过供电端线圈禪合到受电端线圈，然后经过 交流变换到直流给二次电池充电。
[0003] 目前，越来越多的便携式电子设备的充电技术逐步向无尾化（非接触式充电）迈 进，无线充电技术飞速发展，W电磁感应方式充电为最普遍，磁共振技术也在逐渐兴起。但 是，无线充电线圈背面多使用铁氧体软磁材料作为导磁材料或隔磁材料，铁氧体材料如果 加工成薄片，非常容易断裂，成品率低，同时，铁氧体材料的饱和磁感应强度低，大电流充电 时需要很大的厚度才能防止饱和，同时也增加了设备的重量，渐渐不能满足电子设备轻薄 化越来越高的要求。
[0004] 当快速充电或大电流充电的场合，势必带来充电线圈和导磁材料的发热，甚至是 带给其他周边部件感应加热，带来致命的影响。为了解决上述问题，需要用导磁屏蔽材料对 线圈带来的磁通量进行屏蔽。对于屏蔽材料，要求本征磁导率高，饱和磁感高，满流损耗低， W及方便加工成各种形状W匹配线圈。一般情况下，便携式终端预留的空间极小，运就需要 提供一种柔性、超薄、高磁导率和低损耗的材料，实现最佳屏蔽效果。
[0005] 传统的无线充电用软磁材料如铁氧体、金属粉末与聚合物的复合材料，由于他们 的磁导率低和饱和磁感低，作为屏蔽材料他们很难做到很薄。而非晶和纳米晶材料是一种 优良的超薄软磁材料，可W制备到30wiiW下的数量级，并且具有高的本征磁导率和高饱和 磁感的天然优势，最适合作超薄屏蔽材料，其他材料很难与之媳美。
[0006] 在无线充电模块中，导磁材料的功能包括两方面，一方面是为电磁感应的线圈禪 合提供高磁导率的通道，提高充电效率；另一方面是保证感应线圈的交变磁场带来的磁力 线，对其他电子部件不产生干扰，起到屏蔽作用。
[0007] 作为无线充电用的非晶材料和纳米晶材料，薄带状态下的磁导率和饱和磁感都满 足要求，但是，在高频下的损耗主要来自于满流损耗，导致充电线圈的禪合效率低，品质因 数Q值低，满流损耗较大，不能直接作为导磁材料应用。作为屏蔽功能使用满足要求，需要采 用后处理工艺降低满流损耗，减小导磁材料的面积可W降低满流损耗，也就是把非晶纳米 晶导磁薄片整体片材进行小单元分割，单体小单元下的磁通小，面积小，满流小，同时，断开 了整个导磁片面积内的大循环满流，使得禪合后的损耗降低，发热减少。将导磁薄片进行分 割成小面积的单元的方法有很多，也有专利公开其中的技术，在W往公开的专利中，例如专 利号为201280062847.1，磁场屏蔽片及其制造方法和无线充电器用接收装置，提到了采用 层压的方法使得细片间绝缘，提高充电效率，通过单片导磁薄片上下两面施加保护膜或胶 带的方式，然后进行压碎的方式制备无线充电用屏蔽片，该技术存在生产效率低、工序繁 杂、表面质量一致性不易控制等缺点。专利2015102054640公开了一种无线充电用单/多层 导磁片及其制备方法，采用浸漆固化的方法对压碎的裂纹进行了绝缘处理，实现了卷材导 磁片的连续化生产制备，但工艺仍相对复杂。
[0008] 目前，对无线充电的导磁材料研究，还局限在铁氧体材料，对无线充电的电子模块 研究比较多，对导磁材料的研究较少。采用铁氧体材料，无疑是对便携式电子终端的薄型化 发展不利，也影响可穿戴电子终端的小型化发展。
【发明内容】
[0009] 针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种非接触式充电用柔性导磁薄片 及其制备方法。使非晶带或纳米晶带形成可控尺寸的网格状碎片来减少满流损耗带来的充 电效率的损失和发热现象。本发明的方法是高效的、连续化的制备非接触式充电用导磁薄 片的方法，能够对连续的卷材进行高效的网格状碎片处理，保证了制备工艺的连续性，操作 简单和高效生产。
[0010] 本发明中解决的是非晶带和纳米晶带作为非接触式充电的导磁薄片的使用和制 备问题。作为非接触式充电用的导磁薄片材料，非晶带和纳米晶带具有热处理后脆化，易 碎，不容易连续制备的缺点。如果采用上下表面都粘贴保护膜再层压的方法，不易使导磁薄 片产生彻底断裂的碎片，裂纹的大小和均匀性也不易控制，充电过程会产生满流，发热现象 不可避免，也不利于高效规模化生产。
[0011 ]为了达成如上所述的目的，本发明采用了 W下技术方案：
[0012] -种非接触式充电用柔性导磁薄片，所述柔性导磁薄片包括：
[0013] 至少一层的非晶或纳米晶软磁合金薄片，每层所述软磁合金薄片由网格状分布的 碎片构成，所述碎片尺寸均匀且相互分离;双面胶，设置于各层所述软磁合金薄片之间，用 于将相邻层所述软磁合金薄片粘结在一起;且所述双面胶还设置于位于最上和最下层的所 述软磁合金薄片的外表面;各层所述双面胶的部分填充于与所述双面胶相邻的所述软磁合 金薄片的碎片之间，W使所述软磁合金薄片的碎片相互绝缘;保护膜，设置于最上层或最下 层的所述双面胶上，W固化所述碎片。
[0014] 在上述非接触式充电用柔性导磁薄片中，单层所述非晶或纳米晶软磁合金薄片的 厚度是14-28皿(比如15皿、1化m、l祉m、20皿、22皿、25皿、26皿、27皿）；所述网格状分布的各 碎片的尺寸是0.5mm-2mnK比如0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm、1.9mm)。导磁片的 性能主要取决于碎片单元的尺寸和断裂的均匀性，碎片尺寸的大小会影响产生的满流大 小，碎片的均匀性也会影响产生的满流，均匀差会使产生的满流忽大忽小。而本发明的导磁 薄片最大的特点是碎片呈网格状均匀分布，各个碎片的尺寸几乎相同，从而使得导磁片表 面各处的性能都保持一致。
[0015] 上述非接触式充电用柔性导磁薄片的制备方法之一，包括热处理、覆载体膜、纵向 漉剪、横向漉剪或横向漉压、W及覆保护膜工序;该方法用于制备仅含有一层非晶或纳米晶 软磁合金薄片的非接触式充电用柔性导磁薄片，其中：
[0016] 在所述热处理工序中，非晶或纳米晶带材在380-650°C (比如390°C、420°C、450°C、 480°C、500°C、520°C、550°C、580°C、600°C、620°C、645°C)范围内进行热处理；
[0017] 在所述覆载体膜的工序中，在热处理后的单层非晶或纳米晶带材的外表面覆载体 膜，作为载体的薄膜用于保护易碎的带材，并防止在后续破碎过程中带材脱落；
[0018] 在所述纵向漉剪工序中，将覆载体膜后的所述带材进行纵向漉剪，W将所述带材 剪断形成纵向条状结构，同时所述载体膜保持不断裂；
[0019] 在所述横向漉剪或横向漉压工序中，将所述纵向漉剪的带材进行横向漉剪或横向 漉压，使所述条状结构的带材横向断裂形成均匀网格状碎片，同时所述载体膜依然保持不 断裂；
[0020] 在所述覆保护膜工序中，将所述横向漉剪或横向漉压后的带材外表面的原载体膜 的离型膜层去掉重新覆上一层新的保护膜，从而得到含有单层非晶或纳米晶软磁合金薄片 的非接触式充电用柔性导磁薄片。
[0021] 上述非接触式充电用柔性导磁薄片的制备方法之二，包括热处理、覆载体膜、纵向 漉剪、横向漉剪或横向漉压、复合、W及覆保护膜工序;该方法用于制备含有多层非晶或纳 米晶软磁合金薄片的非接触式充电用柔性导磁薄片，其中：
[0022] 在所述热处理工序中，非晶或纳米晶带材在380-650°C (比如390°C、420°C、450°C、 480°C、500°C、520°C、550°C、580°C、600°C、620°C、645°C)范围内进行热处理；
[0023] 在所述覆载体膜的工序中，在热处理后的单层非晶或纳米晶带材的外表面覆载体 膜；
[0024] 在所述纵向漉剪工序中，将覆载体膜后的所述带材进行纵向漉剪，W将所述带材 剪断形成纵向条状结构，同时所述载体膜保持不断裂；
[0025] 在所述横向漉剪或横向漉压工序中，将所述纵向漉剪的带材进行横向漉