电致发光器件及其利记博彩app、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术，具体设及一种电致发光器件及其利记博彩app、显示装置。
【背景技术】
[0002] 量子点（Quantum Dot,QD)通常是一种由n-VI族或虹-V族元素组成的纳米颗粒， 具有吸收谱宽、发射带窄、颜色纯净可调、高巧光量子产率等一系列特点，被认为是下一代 显示技术的有力竞争者。在具体应用中，量子点电致发光器件的激励机制主要有两种，一种 是载流子的直接注入，即空穴从空穴传输层注入到量子点发光层，电子从电子传输层注入 到量子点发光层，空穴和电子在量子点发光层内复合成激子发光；另一种是能量传递的方 式，即在传输层形成的激子将能量直接传递给量子点进而发光。
[0003] 在现有技术中，典型的量子点发光二极管结构包括一个空穴注入层化IL)，一个空 穴传输层化化），一个电子传输层化化)和一个量子点发光层。而在设计和制备量子点电致 发光器件时，针对于载流子的注入，选择合适的空穴注入层化IL)、空穴传输层化化）、电子 传输层化化)等来优化器件的结构，是目前比较普遍的做法。但是，由于量子点的价带远远 低于空穴传输层的最高已占有轨道能级，空穴的注入不够理想，导致载流子不平衡，容易引 起漏电流和器件的降解，从而影响器件的发光效率和寿命。
【发明内容】
[0004] 针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种电致发光器件及其利记博彩app、显示装置， 可W至少部分地解决现有技术中的量子点电致发光器件空穴注入差而影响器件性能的问 题。
[0005] 第一方面，本发明提供了一种电致发光器件，包括量子点发光层和电子传输层，还 包括位于所述量子点发光层与所述电子传输层之间的能量传递层;形成所述能量传递层的 材料包括主体材料和客体材料;其中，所述主体材料适于收集未被所述量子点发光层俘获 的空穴W复合成激子，并将激子的能量传递给所述客体材料中的激子;所述客体材料适于 将激子得到的能量相对缓慢地释放，W传递给所述量子点发光层中的量子点材料。
[0006] 可选地，所述主体材料进一步适于按照下述方式将激子的能量传递给所述客体材 料中的激子：
[0007] 所述主体材料中的单线态激子将能量传递给所述客体材料中的单线态激子，W使 所述客体材料中的单线态激子通过系间窜越形成=线态激子；
[000引所述主体材料中的=线态激子将能量传递给所述客体材料中的=线态激子。
[0009] 可选地，所述主体材料选自PVK、CBP、TPCPA、CDBP和"CP中的一种。
[0010] 可选地，所述客体材料的发射光谱与所述量子点发光层中的量子点材料的吸收光 谱相匹配。
[0011] 可选地，所述客体材料选自银配合物、销配合物、钉配合物和铜配合物中的一种。
[0012] 可选地，所述主体材料的发射光谱与所述客体材料的吸收光谱相匹配。
[0013] 可选地，所述客体材料相对于所述主体材料的渗杂浓度为1%~80%。
[0014] 优选地，所述客体材料相对于所述主体材料的渗杂浓度为15%~25%。
[0015] 可选地，所述能量传递层的厚度为3~40nm。
[0016] 优选地，所述能量传递层的厚度为5~15nm。
[0017] 可选地，所述主体材料为CBP，所述客体材料为Ir(ppy)3,所述量子点发光层中的 量子点材料为硫化锋的核壳纳米结构材料。
[0018] 第二方面，本发明还提供了一种电致发光器件的利记博彩app，包括形成量子点发光 层的步骤和形成电子传输层的步骤，其特征在于，在形成量子点发光层的步骤和形成电子 传输层的步骤之间，还包括：
[0019] 在所述量子点发光层或者所述电子传输层上形成能量传递层；
[0020] 其中，形成所述能量传递层的材料包括主体材料和客体材料;所述主体材料适于 收集未被所述量子点发光层俘获的空穴W复合成激子，并将激子的能量传递给所述客体材 料中的激子;所述客体材料适于将激子得到的能量相对缓慢地释放，W传递给所述量子点 发光层中的量子点材料。
[0021] 可选地，所述在所述量子点发光层或者所述电子传输层上形成能量传递层，包括：
[0022] 在所述量子点发光层或者所述电子传输层上旋涂所述主体材料和所述客体材料 的混合溶液，W形成所述能量传递层。
[0023] 第=方面，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任意一种的电致 发光器件。
[0024] 由上述技术方案可知，本发明中的上述主体材料可W收集未被量子点发光层俘获 的空穴，并与来自电子传输层的电子复合形成激子。在主体材料与客体材料互相匹配的情 况下，复合形成的激子可W将自身的能量转移给客体材料中的激子。在客体材料中形成的 激子具有较长寿命的情况下，其可W将自身能量转移给量子点发光层中的量子点材料。可 W看出，能量传递层可W帮助量子点发光层进行空穴的俘获，优化空穴的注入情况，因此可 W解决现有技术中的量子点电致发光器件空穴注入差而影响器件性能的问题。
[0025] 进一步地，上述能量传递层可W将原本由于空穴逃逸而损失的能量收集起来并传 递给量子点发光层，因此可W有效提高量子点材料的发光效率;而且，由于本发明可W优化 空穴的注入情况，有助于维持载流子平衡，因而可W减小器件的漏电流，缓解器件的降解。 由此，本发明可W提升量子点电致发光器件的性能。
【附图说明】
[0026] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发 明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W根 据运些附图获得其他的附图。
[0027] 图1是本发明一个实施例中一种电致发光器件的局部剖切示意图；
[0028] 图2是本发明一个实施例中一种电致发光器件剖面结构图；
[0029] 图3是本发明一个实施例中一种电致发光器件的能级结构图；
[0030] 图4是一个对比例中一种电致发光器件的能级结构图；
[0031] 图5是本发明一个实施例中一种电致发光器件中能量传递层的原理示意图；
[0032] 图6是本发明一个实施例中一种量子点材料的吸收光谱与客体材料的发射光谱的 测试结果图表；
[0033] 图7是本发明一个实施例中一种电致发光器件在不同渗杂浓度下的电流密度-发 光效率的测试结果图表；
[0034] 图8是本发明一个实施例中一种电致发光器件在不同渗杂浓度下的电流密度-外 量子效率的测试结果图表；
[0035] 图9是本发明一个实施例中一种电致发光器件在不同能量传递层厚度下的电流密 度-发光效率的测试结果图表；
[0036] 图10是本发明一个实施例中一种电致发光器件在不同能量传递层厚度下的电流 密度-外量子效率的测试结果图表；
[0037] 图11是本发明一个实施例中一种电致发光器件的制造方法的步骤流程示意图。
【具体实施方式】
[0038] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是 本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员 在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039] 图1是本发明一个实施例中一种电致发光器件的局部剖切示意图。参见图1，该电 致发光器件包括量子点发光层11和电子传输层13,还包括位于所述量子点发光层11与所述 电子传输层13之间的能量传递层12。其中，形成所述能量传递层12的材料包括主体材料和 客体材料，所述主体材料适于收集未被所述量子点发光层11俘获的空穴h+W复合成激子 EXl，并将激子EXl的能量传递给所述客体材料中的激子EX2;而所述客体材料适于将激子 EX2得到的能量相对缓慢地释放，W传递给所述量子点发光层中的量子点材料QD(即激子 EX2的激子寿命相对更长，使得其可W在一定时间内将能量充分地传递给量子点材料QD)。
[0040] 需要说明的是，上述量子点发光层11作为上述电致发光器件的主要发光结构，包 括用于在电子e-和空穴h +的注入下发出给定波段（视应用需求而定）的光线的量子点 (Quantum Dot)材料。而上述电子传输层13主要包括用于向量子点发光层11注入电子e-的 电子传输材料化TM)和/或电子注入材料巧IM)。而可W理解的是，在量子点发光层11与电子 传输层13相对的一侧(即图1中的下侧)可W通过任意方式向量子点发光层11注入空穴h+。
[0041] 还需要说明的是，本文中的主体材料是一种特定的发光材料，主要用于俘获空穴 并将能量传递给客体材料中的激子;客体材料是另一种特定的发光材料，主要用于将来自 主体材料的能量相对缓慢地释放(即将能量的释放过程在时间上分散），W传递给量子点材 料。在具体应用场景下，可W根据器件中除能量传递层W外的结构的相关参量(尤其是量子 点发光层和电子传输层的形成材料)来在发光材料的范围中选取可W实现上述能量传递过 程的具体材料，本发明对此不做限制。同时，为了达到所需要的能量传递效果，还可W对主 体材料的含量、客体材料的含量、主体材料与客体材料之间的比率W及能量传递层的厚度 等参量进行设置，本发明对此不做限制。在选取材料或设置参量时，可W依照相关理论通过 计算或推演的方式进行，也可W例如采用单一变量实验测定器件EQE化Xternal quantum ef f iciency，外量子效率)的方式进行，在此不再寶述。
[0042] 基于此，上述能量传递层12中的主体材料