一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法
【技术领域】
[0001]本发明公开了一种用高效能背接触式太阳能电池加工成各种高效能小型化电池芯片的电极引出方法，属太阳能电池技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，背接触式太阳能电池由于发电效率高被广泛应用，研究人员不断研究开发出许多结构不同的背接触式太阳能电池(以下简称背接触电池或电池)。背接触式电池是指发射区η+的电极和基区p+的电极均位于硅太阳能电池背面的一种硅基片太阳电池，背接触电池消除了电池正面栅线电极的遮光损失，有效提高了电池利用率和转化效率;易组装，正负极均在背面，组件封装共面连接，电池片间隔减小，使封装密度提高，难度降低。电池的正面没有凃锡带，受光面均一、美观。美国公司SUNP0WER的专利技术US7339110B1给出了一种典型的背接触式电池，电池的正负极均位于电池的背面，正负极栅线呈交错布置，正负极呈间隔排列。背接触式电池不仅是用于大型电站的光伏组件，同时背接触式电池被切割成尺寸较小的背接触式的电池芯片(以下简称芯片)，被广泛应用于消费类电子产品及小型电子产品中。现有技术，用背接触式电池制成芯片，是采用高精度PCB板对位的电极引出工艺，如中国专利申请号为201410283104.8和申请号为201380017058.1，用高精度PCB版为基底，完成背接触式电池切割及电极栅线与PCB板的电路串接引出，此材料成本和机械设备成本高昂O
【发明内容】
[0003]本发明针对上述现有技术存在问题，特别是背接触式电池被精细加工成各种尺寸芯片，其电极引出方法，已成为本领域技术人员亟待解决的关键技术。
[0004]鉴于此，本发明的首要目的是降低芯片加工成本，避免背接触电池二次加工切割过程中电极引出栅线偏差。
[0005]本发明的再一个目的是背接触电池被加工成芯片的电极引出端方法问题。
[0006]本发明的技术解决方案是:一种背接触式太阳能电池的小芯片电极引出方法
，包括位于硅原基片的背光面上η+区和ρ+区的正负电极，及间隔排列的相异极栅，其技术特征在于在背接触电池的背电极面，采用栅线绝缘涂层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层；
优选的，采用栅线汇流导电层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把导电层浆料丝印到背电极面绝缘层区域的绝缘层，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端栅线汇流的导电层。
[0007]优选的，拟切割出的每个电池芯片的绝缘层，所使用的绝缘层浆料是UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨。
[0008]采用栅线绝缘涂层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层；
采用栅线汇流导电层网版，用掩膜丝网印刷工艺，把导电层浆料丝印到背电极面绝缘层区域的绝缘层，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出端栅线汇流的导电层。
[0009]优选的，相异极性栅线的绝缘层上分别覆盖导电层是覆盖在未覆盖绝缘层的相异极性栅线上实现汇集电流导通。
[0010]优选的，所述芯片的正负电极引出端的导电层是覆盖在相异极性栅线汇流层的绝缘膜上，包括一种可焊电极引出线的导电层，或采用导电型材包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材形成导电层。
[0011]包括制备绝缘层的基片，在背接触电池的背电极面上，采用栅线绝缘涂层网版，掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料包括UV紫外光固型或热固型环氧树脂绝缘油墨丝印到基片的相应位置，形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端相异极性栅线的绝缘层;UV紫外光固型的光固化温度设置为45?80°C，使用热固型环氧树脂绝缘油墨，固化温度设置为100?160°C。
[0012]在制备好绝缘层的基片上，采用栅线汇流导电层网版，采用掩膜丝网印刷工艺，把导电层用包括铜浆、银浆、锡膏浆料在内的任选其中一种导电浆料丝印到背电极面绝缘层区域的相应位置，形成拟切割出的每个电池芯片的正负电极汇流导电层；或采用导电型材包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带的导电金属带材，任选其中一种导电型材汇流形成引出电极的导电层，则采用热压或静压设备，把导电材料贴合到已制备好绝缘层的基片上拟切割出的每个电池芯片的正负电极引出区域相应位置，以形成每个电池芯片的正负电极汇流及引出电极端。如使用铜浆作为导电层浆料，采用0.06?0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为130?170° C;如使用银浆作为导电层浆料，采用0.06?0.15mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为120?150°C;如使用低温锡膏作为导电层浆料，采用0.1?0.2mm厚的钢板网丝印，用回流炉固化，固化温度设置为130-170° C，传送带速度设置为0.6-1.2m/min。
[0013]所说电极汇流导电层为不可焊材料，则需在其表面按每个电池芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸需求，再丝印可焊电极层(如可焊铜浆、银浆、锡膏等)，以作电极引出线的焊接电极。如使用可焊铜浆作为焊盘浆料，采用0.04?0.08_厚的钢板网丝印，固化温度设置为130?170° C;如使用可焊银浆作为焊盘浆料，采用0.04?0.08mm厚的钢板网丝印，固化温度设置为120?150° C;如使用低温锡膏作为焊盘浆料，采用0.1?0.2mm厚的钢板网丝印，采用回流炉固化，中心固化温度设置为130?170° C。
[0014]采用高精度激光硅片切割机或砂轮硅片切割机，按背电极硅太阳能电池芯片拟切割出的每个小电池芯片的切割位置设计图，把背电极硅太阳能电池芯片切割成带独立正负极输出电极的小电池芯片。
[0015]本发明产生的积极效果:
可按功率需求将背电极硅太阳能电池裁切成任形状尺寸的小电池芯片，形成太阳能电池组件的小型化和高电压输出的芯片。
[0016]芯片合格率达99%以上，通过芯片掩膜丝印网版图形和套位标志的特殊设计，及制作过程的高精度控制，消除了电池芯片的电极栅线汇流时因套位误差导致的相邻近正负极栅线之间的短路问题。
[0017]无需预定位，与现行SMT技术加工背电极娃太阳能电池芯片工艺相比小电池芯片切割后，用焊接方法串接成组件，无需对每一个小电池做精确的预定位来实现组件的串接，极大的提高了生产效率。
[0018]节省了加工成本，采用本芯片串接技术，材料只需普通导线或通用涂锡带，用普通烙铁便可完成组件串接，节省了太阳能电池组件的加工成本。现行SMT加工背电极硅太阳能电池芯片工艺，采用高精度PCB板为基底，用SMT机及回流焊机完成太阳能电池组件串接，材料成本和机械设备成本非常高昂。
[0019]特别是绝缘层制作的制作，为制作汇流导电层作了很好的铺垫，有效防止电池背面用于制作汇流导电层时正负栅状电极短路。绝缘浆料固化后不存在因偏移造成的短路。
【附图说明】
[0020]图1.是美国专利US7339110B1的背接触电池的剖面结构示意图，图中，背接触电池10的正极栅线50和负极栅线52间隔排列。
[0021]图2.是美国专利US7339110B1的背接触电池的背光面结构示意图。
[0022]图3.是本发明的背接触电池10切割后的电池芯片的背光面电极引出结构示意图，图中的绝缘层I在两端分别覆盖正极栅线50和负极栅线52，在绝缘层I上覆盖导电层2，导电层2在两端分别将未覆盖绝缘层I的负极栅线52和正极栅线50汇流导通。
[0023]图4.是图3中A-A剖面结构示意图，绝缘层I覆盖负极栅线52，导电层2将正极栅线50汇流导通。
[0024]图5.是图3中B-B剖面结构示意图，绝缘层I覆盖正极栅线50，导电层2将负极栅线52汇流导通。
[0025]图6.是本发明实施例1的背接触电池切割前的背光面电极引出结构示意图，在背接触电池10的背光面切割前对应电池芯片的位置上丝印绝缘层I和导电层2。
[0026]图7.是图6中的背接触电池10切割后上边位置的电池芯片的电极引出结构示意图，正极引出端是背接触电池10本身的正极端5，负极引出端是将背接触电池10的正极栅线50先用绝缘层I覆盖，再用导电层2将负极栅线52汇流导通。
[0027]图8.是图6中的背接触电池10切割后中间位置的电池芯片的电极引出结构示意图，正极引出端是将背接触电池10的负极栅线52先用绝缘层I覆盖，再用导电层2将正极栅线50汇流导通，负极引出端是将背接触电池10的正极栅线50先用绝缘层I覆盖，再用导电层2将负极栅线52汇流导通。
[0028]图9.是图6中的背接触电池10切割后下边位置的电池芯片的电极引出结构示意图，正极引出端是将背接触电池10的负极栅线52先用绝缘层I覆盖，再用导电层2将正极栅线50汇流导通，负极引出端是背接触电池10的本身的负极端6。
[0029]图10.是本发明实施例2的正面结构示意图，当导电层2为不可焊材料时，在导电层2上丝印可焊层3。
[0030]图11.是图10中的C-C剖面结构示意图。
[0031]图12.是本发明实施例3的剖面结构示意图，导电层2采用带导电胶层7的铜带8，导电胶层7与粘结在负极栅线52(或正极栅线50)和绝缘层I上。
[0032]图13.是图12中的带导电胶层7的铜带8，在铜带8的下面有一层导电胶层7。
【具体实施