射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及利记博彩app。
【背景技术】
[0002]在制作射频横向双扩散金属氧化物半导体(Rad1 Frequency LaterallyDiffused Metal Oxide Semiconductor, RFLDMOS)中，为了提高击穿电压，场板的设计是必不可少的。场板技术是提高器件表面耐压的常用终端技术，它可以有效降低反向PN结的表面电场，提高PN结的耐压能力。即当表面覆盖有场板的PN结加反向偏压时，水平方向的部分电力线将会终止于垂直方向的场板，从而降低水平方向的电场强度，提高器件的抗击穿能力。
[0003]如下图1所示，在制造工艺中，由于场板覆盖在多晶硅101的侧边上，形成了很高的垂直台阶。这在后续的场板刻蚀中，非常容易出现残留，如图1中残留的场板102这样会导致最终形成的半导体器件产生漏电，降低良品率。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及利记博彩app，以解决现有技术场板残留的问题。
[0005]本发明第一个方面提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括:
[0006]基板，所述基板上形成有栅极；
[0007]侧壁，所述侧壁位于所述栅极的两侧面，所述侧壁背离所述栅极的一边呈弧形，且所述侧壁的底部大于所述侧壁的顶部；
[0008]隔离氧化层，形成于所述基板、所述侧壁和所述栅极上；
[0009]场板层，形成于所述隔离氧化层上。
[0010]本发明另一个方面提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的利记博彩app，包括:
[0011]在基板的栅极的两侧面上形成侧壁，所述侧壁背离所述栅极的一边呈弧形，且所述侧壁的底部大于所述侧壁的顶部；
[0012]在所述基板、所述侧壁和所述栅极上形成隔离氧化层；
[0013]在所述隔离氧化层上形成场板层。
[0014]由上述技术方案可知，本发明提供的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件及利记博彩app，由于在栅极两侧形成侧壁，使得栅极两侧为斜坡形貌，对场板层的刻蚀变得相对容易，可以减少不需要的场板层的残留，提高了射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的良品率。
【附图说明】
[0015]图1为根据本发明一实施例的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的结构示意图；
[0016]图2A-2G为根据本发明另一实施例的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的各个步骤的剖面示意图；
[0017]图3为根据本发明一实施例的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的利记博彩app的流程示意图。
【具体实施方式】
[0018]实施例一
[0019]本实施例提供一种射频横向双扩散金属氧化物半导体器件。该半导体器件如图2E所示，包括:基板201、侧壁202、隔离氧化层203和场板层204。其中，基板201上形成有栅极206，侧壁202位于栅极206的两侧面；侧壁202背离栅极206的一边呈弧形，且侧壁202的底部2021大于侧壁202的顶部2022 ;隔离氧化层203形成基板201和侧壁202上；场板层204形成于隔离氧化层203上。
[0020]如图2A至2E所示，为制作本实施例的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的各个步骤的剖面示意图。
[0021]首先，如图2A所示，基板201上形成有栅极206。
[0022]基板201上还形成有源区210、漏区211、漏极漂移区212和体区213，还可以形成有栅氧化层214。该基板201具体可以为P型硅衬底，栅极206具体可以为多晶硅栅极。该基板201上各区域的形成的具体方式举例如下:
[0023]在P+的硅衬底201上采用热氧化方式形成栅氧化层214，例如将硅片放入高温炉管里并通入氧气，氧气和硅片表面的硅发生反应，生成二氧化硅层作为栅氧化层214，接下来进行多晶硅的沉积掺杂和刻蚀形成多晶硅栅极206，然后通过光刻和离子注入工艺形成体区213以及漏极漂移区212，例如在多晶硅栅极206的一侧进行离子注入，之后经过高温驱入，让离子扩散到多晶硅的另一侧，进而形成体区213以及漏极漂移区212。接着通过光刻和离子注入工艺形成源区210和漏区211。该形成各区域的方式均为现有技术，在此不再赘述。
[0024]以上仅为基板201上形成源区210、漏区211、漏极漂移区212、体区213，以及栅氧化层214的一个方法，还可以以现有技术中其它方式形成，在此不再赘述。
[0025]接着，如图2B所示，在基板201和栅极206上形成侧壁氧化层205。
[0026]如图2B所示，如果存在栅氧化层214，则在栅氧化层214和栅极206上形成侧壁氧化层205，即在图2A所示的器件上以低压化学气相沉积的方式形成侧壁氧化层205。该侧壁氧化层205的材料可以是二氧化硅，厚度为1000埃-3000埃。侧壁氧化层205采用二氧化硅，可以尽量避免刻蚀采用多晶硅为材料的栅极206。
[0027]然后，如图2C所示，采用干法刻蚀方式刻蚀侧壁氧化层205，形成侧壁202。
[0028]具体地，形成侧壁202采用的干法刻蚀的工艺条件是:真空度为100毫托-300毫托，磁场为15G-45G,功率为250瓦-750瓦,氧气流量为50 _升/分钟-150 _升/分钟，CHF3流量为25晕升/分钟-75晕升/分钟，刻蚀时间为20秒-80秒。具体地可米用如下工艺条件:真空度为200毫托，磁场为30G，功率为500瓦，氩气流量为100毫升/分钟，CHF3流量为50 _升/分钟，刻蚀时间为20秒-80秒。
[0029]该过程中，如果存在栅氧化层214，则可以采用过刻方式。假设，将栅氧化层214上的侧壁氧化层205完全刻蚀干净的时间为t，则刻蚀时间tl可以为t < tl < 1.2。这样，可以将栅氧化层214刻蚀一部分或者完全刻蚀。图2C中示出的是除了被栅极206和侧壁202覆盖的部分栅氧化层214，其余栅氧化层214完全刻蚀掉的情况。
[0030]如图2D所示，在基板201、侧壁202和栅极206上形成隔离氧化层203。
[0031]具体地，可以采用低压化学气相沉积方式形成该隔离氧化层203。该隔离氧化层203的材料可以是氧化硅或者氮化硅，厚度为1000埃-3000埃，工艺条件可以是低压化学气相工艺。温度600-800摄氏度，压力27帕-270帕。
[0032]如图2E所示，在隔离氧化层203上形成场板层204。
[0033]具体地，可以在隔离氧化层203上沉积一层金属作为场板层204,该金属可以是WS1.Ti等，或者在隔离氧化层203上形成一层低阻多晶来作为场板层204，该低阻多晶具体是多晶硅，经过离子注入或者掺杂等低阻化工艺后，