用于制造覆盖元件和光电子组件的方法、覆盖元件和光电子组件的利记博彩app
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及如在专利权利要求1中所述的用于制造覆盖元件的方法，涉及如在专利权利要求16中所述的用于制造光电子组件的方法，涉及如在专利权利要求18中所述的用于光电子组件的覆盖元件，以及涉及如在专利权利要求19中所述的光电子组件。
【背景技术】
[0002]本专利申请要求德国专利申请10 2013 214 877.1的优先权，所述德国专利申请的公开内容在此通过弓I用被合并。
[0003 ]从现有技术中已知用于白光或其它颜色的光的发射的光电子组件、例如发光二极管组件。已知给这样的光电子组件配备光电子半导体芯片、例如发光二极管芯片，所述光电子半导体芯片被用于具有第一波长的电磁辐射的发射，例如被用于具有在蓝色光谱范围中的波长的电磁辐射的发射。附加地，这样的光电子组件具有转换器元件，所述转换器元件是用来转换由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的一部分的波长。为了这个目的，转换器元件具有波长转换粒子，所述波长转换粒子被配置以便吸收具有第一波长的电磁辐射以及随后发射具有典型地更长的第二波长的电磁辐射。波长转换粒子一般被嵌入到转换器元件的基质材料中，例如被嵌入到硅树脂或者陶瓷中。
[0004]已知在这样的光电子组件中把光电子半导体芯片和被布置在光电子半导体芯片的辐射发射表面上的转换器元件嵌入到光学反射封装材料中，所述封装材料覆盖光电子半导体芯片的侧表面以及转换器元件的侧表面。封装材料例如可以包括具有所嵌入的散射粒子的硅树脂。为了阻止以封装材料对转换器元件的被用作光出射表面的上侧的污染，有必要给转换器元件配置基本上垂直的侧表面以及锐利的外边缘。这些要求在具有基于硅树脂的基质材料的转换器元件的情况下是难以满足的。
【发明内容】
[0005]本发明的一个目的是提供一种用于制造用于光电子组件的覆盖元件的方法。该目的通过具有权利要求1的特征的方法实现。本发明的另一个目的是提供一种用于制造光电子组件的方法。该目的通过具有权利要求16的特征的方法实现。本发明的另一个目的是提供一种用于光电子组件的覆盖元件。该目的通过具有权利要求18的特征的覆盖元件实现。本发明的另一个目的是提供一种光电子组件。该目的通过具有权利要求19的特征的光电子组件实现。各种改进方案在从属权利要求中详细说明。
[0006]用于制造用于光电子组件的覆盖元件的方法包括以下步骤:制造具有多个开口的框，将材料引入到多个开口中，以及分割所述框。有利地，通过该方法可以在共同的工作步骤中同时制造多个覆盖元件。该方法因此允许覆盖元件的经济的大量制造。在该情况下，各个覆盖元件通过框的分割来个体化。由于框的分割允许基本上垂直的切割表面和锐利的边缘的生成，通过所述方法获得的覆盖元件可以有利地具有基本上垂直的侧表面以及锐利的外边缘。
[0007]在所述方法的一个实施例中，通过注射模制或传递模制来制造框。作为替代，框也可以通过另外的模制过程来制造。有利地，所述方法因此允许经济地以及高度可复制地制造框。
[0008]在所述方法的一个实施例中，框由包括硅树脂或者环氧树脂的基质材料制成。有利地，这些材料是经济上可用的并且具有合适的材料特性。
[0009]在所述方法的一个实施例中，框由具有嵌入的Ti02、Zr02、Al203-、AlN、Si02的粒子、或者另外的光学反射材料、嵌入的波长转换粒子和/或嵌入的有色的颜料的材料制成。有利地，因此可以将白色以及光学反射外观或者有色外观给予框。作为替代或者附加地，框也可以具有波长转换特性或者具有与被引入到框的开口中的材料类似的外观。
[0010]在所述方法的一个实施例中，材料通过平刮(blading)、喷射或配发被引入到开口中。有利地，这允许所述方法以经济以及可复制的方式被执行。
[0011]在所述方法的一个实施例中，所述材料具有嵌入的波长转换粒子。波长转换粒子例如可以以有机或者无机发光材料的形式或者以量子点的形式存在。可以通过所述方法获得的覆盖元件于是可以被用作由覆盖元件产生的电磁辐射的波长转换的转换器元件。
[0012]在所述方法的一个实施例中，材料作为软膏被引入到开口中。以这种方式，所述材料有利地可以被直接处理。此外，使得能够以经济的方式执行所述方法。
[0013]在所述方法的一个实施例中，分别形成具有基本上矩形的横断面的开口。有利地，具有基本上矩形的形状的覆盖元件因此可以通过所述方法获得。这使得能够与具有基本上矩形的辐射发射表面的光电子半导体芯片相组合地使用覆盖元件。在这种情况下，辐射发射表面有利地基本上完全被可以通过所述方法获得的覆盖元件覆盖。
[0014]在所述方法的一个实施例中，框的分割通过锯切、激光分离、切割或者冲压来执行。有利地，分割框的这些方法使得能够制造具有锐利的边缘的基本上垂直的分割表面。以这种方式，可以通过所述方法获得的覆盖元件也具有基本上垂直的侧表面以及锐利的边缘。
[0015]在所述方法的一个实施例中，制造框，使得开口被规则地布置。有利地，这允许可以通过所述方法获得的覆盖元件的特别直接的个体化。
[0016]在所述方法的一个实施例中，框被分割，使得分别具有一个开口的部分被形成。有利地，部分中的每个于是形成覆盖元件，所述覆盖元件适于与光电子半导体芯片组合地使用。
[0017]在所述方法的一个实施例中，框被分割，使得形成具有由框的区段环形地形成边界的开口的至少一个部分。有利地，环形地形成开口的边界的框区段可以具有基本上垂直的侧表面以及锐利的边缘。此外，形成覆盖元件的部分的环形地形成开口的边界的区段可以形成反射器的一部分、光电子组件的发光表面的横向边界的一部分(遮板)或者覆盖元件的波长转换部分。
[0018]在所述方法的一个实施例中，在框的分割之前，针对多个开口分割被引入到开口中的材料。在这种情况下，例如，材料的拐角区域可以与开口的材料的其它部分分离。可以通过所述方法获得的覆盖元件于是在它们的拐角区域中具有凹部，所述凹部例如可以是用来将光电子半导体芯片的接合表面保持为空闲的。
[0019]在所述方法的一个实施例中，通过钻孔、冲压、锯切、切割、水注切割或者激光过程来执行材料的分割。有利地，可以精确地、经济地以及快速地执行这些方法步骤。
[0020]在所述方法的一个实施例中，在材料被引入之前利用等离子体处理框。有利地，这可以改善被引入到框的开口中的材料和框的材料之间的粘附。
[0021]在所述方法的一个实施例中，在框被完全硬化之前执行材料的引入。有利地，这也可以改善框的材料和被引入到框的开口中的材料之间的粘附。
[0022]用于制造光电子组件的方法包括以下步骤:通过前面提到的类型的方法来制造覆盖元件，提供光电子半导体芯片以及将覆盖元件布置在光电子半导体芯片的辐射发射表面上。有利地，可以通过该方法获得的光电子组件的覆盖元件可以具有基本上垂直的侧表面以及锐利的边缘。
[0023]在所述方法的一个实施例中，所述方法包括另外的步骤:将光电子半导体芯片布置在载体的表面上，以及将封装材料布置在载体的表面上，使得光电子半导体芯片的侧表面以及覆盖元件的侧表面至少部分地被封装材料覆盖。由于可以通过该方法所获得的光电子组件的覆盖元件可以具有基本上垂直的侧表面以及锐利的边缘，所以在封装材料的布置期间有利地仅存在封装材料将到达覆盖元件的被用于电磁辐射的出射的上侧的低风险。所述方法因此允许光电子组件的制造中的高的产量。
[0024]用于光电子组件的覆盖元件包括具有第一材料的第一区段，以及包括具有不同于第一材料的第二材料的第二区段。有利地，覆盖元件的第一区段的第一材料以及第二区段的第二材料可以具有不同的机械特性并且满足对覆盖元件提出的不同要求。第二材料尤其可以形成覆盖元件的基本上垂直的外表面以及锐利的边缘。
[0025]在所述覆盖元件的一个实施例中，至少第一材料具有嵌入的波长转换粒子。具有嵌入的波长转换粒子的第一材料因此可以被用于由覆盖元件产生的电磁辐射的波长转换。
[0026]光电子组件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有辐射发射表面。光电子组件此外包括前面提到的类型的覆盖元件，所述覆盖元件被布置在所述辐射发射表面上。有利地，该光电子组件的覆盖元件可以具有基本上垂直的侧表面以及锐利的边缘。
【附图说明】
[0027]本发明的上面所描述的特性、特征和优点以及实现它们的方式结合对示范性的实施例的下列描述将变得能够更清楚以及更全面地理解，所述实施例将结合附图更详细地来解释，在所述附图中在所有情况下以示意图:
图1示出框的俯视图；
图2示出框的剖面侧视图；
图3示出具有被引入到框中的开口中的转换器材料的框的俯视图；
图4示出具有被引入到开口中的转换器材料的框的剖面侧视图；
图5示出框的形成第一覆盖元件的部分的俯视图；
图6示出第一光电子组件的剖面侧视图；
图7示出具有被引入的分离槽的框的俯视图；
图8示出框的形成第二覆盖元件的具有凹部的部分的俯视图；以及图9示出第二光电子组件的俯视图。
【具体实施方式】
[0028]图1示出框300的示意性俯视图。图2示出框300的示意性剖面侧视图。框300形成在用于光电子组件的覆盖元件的制造期间的中间产品。
[0029]框300被配置为基本上