芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种图像传感器技术，尤其涉及一种芯片驱动性能改善的背光图像传 感器芯片。
【背景技术】
[0002] 由本发明的申请人在先申请的韩国公开专利第10-2011-0096275号（2011年8月30 日）中提出了一种具有三维结构的晶圆焊盘的形成方法，该方法能够通过简单的步骤实现： 在进行元件晶圆的背面减薄(Back Side Thinning)工艺后，无需进行额外的蚀刻(etch)娃 (Si)基板的工艺，而是在形成绝缘层后在超级触点（super contact)背面形成过孔(via)， 然后在过孔背面形成焊盘，从而不会造成超级触点和Si基板表面破损(damage)。
[0003] 从通过这种现有的具有三维结构的晶圆焊盘形成方法制造的晶圆所获得的各背 光图像传感器芯片，形成焊盘的焊盘区域与形成光滤波器的感测区域之间的区域不被使 用。
[0004] 因此，本发明人对以下技术进行了研究：通过将除形成背光图像传感器芯片的焊 盘的焊盘区域和形成光滤波器的感测区域以外的区域用作辅助驱动的区域，从而在无需进 行追加工艺的情况下，能够改善具有有限的面积的背光图像传感器芯片的芯片驱动性能。
【发明内容】
[0005] (一)要解决的技术问题
[0006] 本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种背光图像传感器芯 片，所述背光图像传感器芯片通过将除形成背光图像传感器芯片的导电焊盘的焊盘区域和 形成光滤波器的感测区域以外的区域用作辅助驱动的区域，从而在无需进行追加工艺的情 况下，能够提高具有有限的面积的背光图像传感器芯片的芯片驱动性能。
[0007] (二)技术方案
[0008] 为了实现上述目的，本发明的一个方面提供一种芯片驱动性能改善的背光图像传 感器芯片，所述背光图像传感器芯片包括:半导体基板;元件层叠部，其形成在所述半导体 基板的前表面，并且包括半导体电路模块、图像传感器模块及层间绝缘层;绝缘复合层，其 形成在所述半导体基板的背面；导电焊盘，其形成在所述绝缘复合层背面的一部分;连接 部，将所述导电焊盘与所述元件层叠部的半导体电路模块电连接，其特征在于，所述背光图 像传感器芯片包括：至少一个布线金属，其形成在与所述导电焊盘处于相同的层的剩余空 间中，并且至少一个布线金属与所述导电焊盘电连接;至少一个辅助驱动部，其形成在所述 元件层叠部或绝缘复合层上；以及辅助连接部，其用于电连接至少一个所述布线金属与至 少一个所述辅助驱动部。
[0009] (三)有益效果
[0010] 本发明能够通过将除形成背光图像传感器芯片焊盘的导电焊盘区域和形成光滤 波器的感测区域以外的区域用作辅助驱动的区域，从而在无需进行追加工艺的情况下，具 有有限的面积的背光图像传感器芯片能够执行供给辅助电源、传送辅助信号、控制辅助操 作等附加功能，从而可提尚芯片驱动性能。
【附图说明】
[0011]图1是示出本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的第一实施例的剖 视图。
[0012] 图2是示出本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的第二实施例的剖 视图。
[0013] 图3是示出本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的第三实施例的剖 视图。
[0014] 图4是示出本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的制造过程的一个 例子的图。
【具体实施方式】
[0015] 下面，参照附图对本发明的优选实施例进行详细说明，以使本发明所属技术领域 的普通技术人员容易理解并再现本发明。
[0016]若在说明本发明时，认为相关的公知功能或结构的具体说明内容有可能会混淆本 发明实施例的要旨，则将省略对其的详细说明。
[0017] 在本发明的说明书中所使用的术语是考虑到本发明的实施例的功能而被定义的 术语，可根据用户或操作人员的意图和惯例等完全变形，因此，应基于本说明书整体内容来 对所述术语进行定义。
[0018] 图1是示出本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的第一实施例的剖 视图，图2是示出本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片的第二实施例的剖视 图。
[0019] 如图1和图2所示，本发明的芯片驱动性能改善的背光图像传感器芯片包括:半导 体基板100、元件层叠部200、绝缘复合层300、导电焊盘400、连接部500、至少一个布线金属 600、至少一个辅助驱动部700以及辅助连接部800。
[0020] 例如，所述半导体基板100可以是厚度为2um至6um的娃(Si)基板等，且可通过形成 于前表面的元件层叠部200的背面减薄(Back Side Thinning)工艺来形成。
[0021] 所述元件层叠部200形成在所述半导体基板100的前表面，并且包括:半导体电路 模块210,包括用于驱动芯片的外围电路211和金属配线212;图像传感器模块220,包括光电 二极管221和金属配线222;以及层间绝缘层230,用于将元件层叠部200与所述半导体基板 100电绝缘。此时，两个金属配线212与金属配线222电连接。
[0022] 所述绝缘复合层300形成在所述半导体基板100的背面，并且将所述半导体基板 100与层叠在所述绝缘复合层300的背面的物质（导电焊盘及布线金属)之间电绝缘。
[0023]例如，所述绝缘复合层300可包括：防反射膜310,在所述半导体基板100的背面沉 积500 A以内的氮氧化物(Oxynitride)或者氧化物-氮化物-氧化物(Oxide-Nit-Oxide) 等;优选金属沉积(preferential Metal Deposit ion，PDM)介电薄膜320,在所述防反射膜 的背面沉积1000至5000 A ;绝缘膜330，其为层叠在所述PDM介电薄膜背面的氧化物系列。
[0024]所述导电焊盘400形成在所述绝缘复合层300背面的一部分，可采用铝(A1)等金属 或至少两种金属的合金。并且，可通过所述导电焊盘400供给主电源或者收发主信号。
[0025]所述连接部500用于电连接所述导电焊盘400与所述元件层叠部200的半导体电路 模块210之间，可以是由钨(W)等材质构成的金属过孔(Via)。
[0026] 此时，所述连接部500可由第一连接部510和第二连接部520构成，所述第一连接部 510电连接于所述元件层叠部200的半导体电路模块210的外围电路211和金属配线212,所 述第二连接部520电连接于所述第一连接部510与导电焊盘400之间。
[0027] 在与所述导电焊盘400处于相同的层的剩余空间，至少形成一个所述布线金属 (Routing Metal)600,并且至少一个布线金属与所述导电焊盘400电连接。此时，剩余空间C 是指除形成导电焊盘400的焊盘区域A和形成光滤波器920的感测区域B以外的区域。另外， 所述布线金属600可以是铝(A1)或者钨(W)等材质。
[0028] 在所述元件层叠部200或者绝缘复合层300上，至少形成一个所述辅助驱动部700， 并且执行供给辅助电源、传送辅助信号、控制辅助操作等附加功能。
[0029]例如，所述辅助驱动部700可以是用于供给辅助电源的至少一个辅助电源线。与此 不同地，所述辅助驱动部700可以是用于传送辅助信号的至少一个辅助信号传送线。与此不 同地，所述辅助驱动部700可以是用于控制辅助操作的三极管、二极管等有源元件或者电 阻、电感器、电容器等无源元件。
[0030] 所述辅助连接部800用于将至少一个所述布线金属600与至少一个辅助驱动部700 之间进行电连接，且可以是由钨(W)等材质构成的金属过孔。
[0031] 此时，所述辅助连接部800可由第一辅助连接部810和第二辅助连接部820构成，所 述第一辅助连接部810与辅助驱动部700电连接，所述第二连接部820电连接于第一辅助连 接部810和布线金属600之间。
[0032]由于具有上述结构，本发明通过所述导电焊盘400和连接部500,向所述元件层叠 部200的半导体电路模块210和与所述半导体电路模块210电连接的图像传感器模块220供 给主电源或传送主信号。
[0033]另外，通过相同层上的至少一个与所述导电焊盘400电连接的布线金属600和辅助 连接部800,向辅助驱动部700供给辅助电源或传送辅助信号，或者，执行另设的有源元件或 无源元件的辅助操作控制。
[0034] 此时，当向所述辅助驱动部700供给辅助电源或传送辅助信号时，可向与所述辅助 驱动部700电连接的所述元件层叠部200的半导体电路模块210和与所述半导体电路模块 210电连接的图像传感器模块220供给主电源或传送辅助信号。
[0035] 因此，本发明能够通过将除形成背光图像传感器芯片的导电焊盘的焊盘区域和形 成光滤波器的感测区域以外的区域用作辅助驱动的区域，从而在无需进行追加工艺的情况 下，具有有限的面积的背光图像传感器芯片能够执行供给辅助电源、传送辅助信号、控制辅 助操作等附加功能，从而可提高芯片驱动性能。
[0036]