芯片级封装led成型方法及芯片级封装led的利记博彩app
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及芯片级封装LED及其成型方法。
【背景技术】
[0002] LED的传统封装是先将芯片固定到基板上，然后在基板上对芯片实现封装工艺，采 用这种封装工艺形成的LED器件，一方面，在封装过程中，芯片可能会出现移动的现象，造成 芯片封装的位置精度不高，而且还会影响到芯片与基板的导电性能，另一方面，封装胶的厚 度均匀性难以控制，对出光也有一定的影响。对于在同一基板上封装了多个芯片的LED器 件，如C0B光源等，一旦封装完成，被封装的芯片被确定，假如出现芯片一致性不好或是某些 芯片被损坏的现象，则会影响出光的一致性和出光效率以及光色，在这个情况下，如需要更 换芯片，操作起来非常的困难。
[0003]后来，随着倒装芯片的出现，人们开始研究芯片级封装(CSP)技术。目前，这种封装 技术形成的封装级芯片，体积最小、重量轻、电性能好。
[0004]现有不带基板的单个CSP的制作工艺是:首先在机台上铺设薄膜，然后在薄膜上放 置多个芯片，接着在薄膜上封装荧光胶，并让荧光胶固化，让荧光胶包覆在除底面以外的芯 片上，然后将上述成型芯片群切割成单颗的CSP。
[0005]芯片级封装结构一般是针对倒装晶片，在固定芯片级封装结构时，利用倒装晶片 本身的电极与基板的焊盘电性连接，而由于倒装晶片本身的电极面积小，因此，不方便固定 芯片级封装结构，而且电连接性能不可靠；另外，在焊接过程中，由于电极的侧面与倒装晶 片本体的侧面基本平齐，因此，锡膏很容易沿着电极上爬到倒装晶片本体上，容易出现短路 的现象。再有，当芯片级封装结构固定到基板上后，向下的光基本上由基板进行反射，而目 前的基板反射率不高，因此，出光率受到了 一定的影响。
【发明内容】
[0006]为了组装方便、可靠，为了提高电连接的可靠性，为了有效的防止锡膏上爬，防止 出现短路的现象，为了提高反射率，从而提高出光率，为了简化成型工艺，本发明提供了一 种芯片级封装LED成型方法及芯片级封装LED。
[0007]为达到上述目的，芯片级封装LED成型方法，包括如下步骤： (1) 让封装胶包裹在多个倒装晶片的侧面和顶面上； (2) 提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜;将封装胶的顶面固定到第二隔离膜 上，让倒装晶片的电极朝上； (3) 在倒装晶片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版； (4) 曝光； (5) 显影:通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为倒装晶片电极对应的 溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积； (6) 在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极； (7)清洗掉光刻胶； (8 )涂白月父； (9) 将步骤(8)的半成品切割成芯片级封装LED; (10) 将第二载台与第二隔离膜分离； (11) 将第二隔离膜与芯片级封装LED分离。
[0008]利用所述的芯片级封装LED成型方法成型的芯片级封装LED，包括倒装晶片，在倒 装晶片的侧面和顶面封装有封装胶;倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延 伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。
[0009] 通过上述成型方法成型的芯片级封装LED，由于成型了面积大于电极的延伸电极， 使得该芯片级封装LED与基板等连接时，电连接的面积大，因此，方便固定本发明的芯片级 封装LED，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性也好。由于在电极的下方成型了延伸电 极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡膏不容易上爬到倒装晶片本体上，避免出现短路的 现象。由于在倒装晶片本体底部成型了白胶层，白胶层的反射率高，当芯片级封装LED安装 后，倒装晶片本体向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本发明的芯 片级封装LED固定到黑色基板上和将普通的CSP封装结构固定到黑色基本上，前者的出光率 高出了后者的14%_18%。
[0010] -种芯片级封装LED，包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶;倒 装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面 积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。
[0011] 由于延伸电极的面积大于电极的面积，使得该芯片级封装LED与基板等连接时，电 连接的面积大，因此，方便固定本发明的芯片级封装LED，固定的可靠性和牢固性高，而且电 连接性也好。由于在电极的下方成型了延伸电极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡膏不 容易上爬到倒装晶片本体上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层，白胶层的反射率 高，当芯片级封装LED安装后，倒装晶片本体向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率 高。经试验，将本发明的芯片级封装LED固定到基板上和将普通的CSP封装结构固定到基板 上，前者的出光率高出了后者的14%_18%。
【附图说明】
[0012]图1为实施例1芯片级封装LED的示意图。图2为图1的A-A剖视图。图3为延伸电极金 属层的示意图。图4为将实施例1中的芯片级封装LED安装到基板上的示意图。图5为实施例1 第一载台的示意图。图6为实施例1在第一载台上铺设第一隔离膜的示意图。图7为实施例1 在第一隔离膜上固定倒装晶片的示意图。图8为实施例1在第一载台上加入封装胶的示意 图。图9为提供第二载台和铺设第二隔离膜并放置封装有封装胶的倒装晶片的示意图。图10 为第一隔离膜与倒装晶片分离的示意图。图11为在倒装晶片上涂光刻胶和铺设掩膜版的示 意图。图12为光刻胶被曝光后的示意图。图13为蒸镀延伸电极的示意图。图14为清洗掉光刻 胶的示意图。图15为涂白胶的示意图。图16为白胶低于延伸电极的示意图。图17为实施例1 白月父尚于延伸电极的芯片级封装LED的不意图。图18为实施例1白Jj父尚于延伸电极的芯片级 封装LED安装到基板上的示意图。图19为实施例1在中间未填充白胶的芯片级封装LED。图20 为实施例2芯片级封装LED的示意图。图21为实施例2第一载台的示意图。图22为实施例2在 第一载台上铺设第一隔离膜的示意图。图23为实施例2在第一隔离膜上固定倒装晶片的示 意图。图24为实施例2在第一载台上加入封装胶的示意图。图25为实施例2用压板按压封装 胶的示意图。图26为实施例2去掉压板的示意图。图27为实施例2白胶层高于延伸电极的芯 片级封装LED的示意图。图28为第三载台的示意图。图29为铺设第三隔离膜且加入封装胶的 示意图。图30为在第一隔离膜上固定倒装晶片的示意图。图31为将倒装晶片准备伸入到封 装胶的示意图。图32为将倒装晶片伸入到封装胶的示意图。图33为将第三隔离膜与封装胶 分离的示意图。图34为图36芯片级封装LED三面出光B-B剖视图。图35为图36中C-C剖视图。 图36为图34中的D-D剖视图。图37为三面出光的荧光胶覆盖在挡光胶上的芯片级封装LED的 示意图。图38为三面出光的荧光胶覆盖在部分挡光胶上的芯片级封装LED的示意图。图39为 三面出光的荧光胶包裹住倒装晶片的芯片级封装LED的示意图。图40为三面出光的封装胶 高于电极底面的芯片级封装LED的示意图。图41为图40E-E的剖视图。图42为芯片级封装LED 单面出光图44的F-F剖视图。图43为图44中G-G剖视图。图44为图41中的H-H剖视图。图45为 单面出光荧光胶全部覆盖挡光胶顶面的芯片级封装LED。图46为单面出光荧光胶部分覆盖 挡光胶顶面的芯片级封装LED。图47为单面出光在倒装晶片全部包裹荧光胶的示意图。图48 为单面出光封装胶高于电极底面的芯片级封装LED的示意图。图49为图48中I-Ι剖视图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合【具体实施方式】对本发明进行进一步详细说明。
[00M] 实施例1。
[0015]如图1和图2所示，芯片级封装LED100包括倒装晶片1，倒装晶片1包括倒装晶片本 体11和设在倒装晶片本体11底部的电极12,所述的电极包括正电极和负电极。
[0016]在倒装晶片1的侧面和顶面封装有封装胶2,所述的封装胶为荧光胶;封装胶2的底 面与电极12的底面平齐。
[0017]在电极12的底部设有延伸电极3,延伸电极3的外端凸出电极12,延伸电极3的面积 大于电极12的面积，在本发明中，所记载的面积为正投影面积。
[0018]在本实施例中，延伸电极包括正延伸电极和负延伸电极，正延伸电极连接在正电 极的底面上，负延伸电极连接在负电极的底面上，正延伸电极的面积大于正电极的面积，正 延伸电极的外端凸出正电极，负延伸电极的面积大于负电极的面积，负延伸电极的外端凸 出负电极。
[0019]如图3所示，所述的延伸电极3包括依次连接的钛层31、镍层32和铜层33,钛层31与 电极连接，一般电极为金，而铜与金的连接性能欠佳，为了让金与铜更好的连接，连接牢固， 在电极12与铜层33之间形成了钛层31和镍层32,而且钛层31和镍层32能起到缓冲作用。
[0020] 在倒装晶片本体11的下方设有白胶层4，在本实施例中，在正电极和负电极之间以 及延伸电极外填充有白胶形成白胶层4。
[0021]