去除基板表面ito的方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种去除基板表面ΙΤ0的方法。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管基板具有良好透明导电性能，具有禁带宽、可见光区域光透射率高和 电阻率低等优点，从而广泛的应用于平板显示器件、太阳能电池及其他光电器件中。薄膜晶 体管基板是在基板表面通过磁控溅射等方法沉积一层氧化铟锡（ΙΤ0)层制成。当ΙΤ0层达不 到要求或者出现瑕疵的时候，就要将ΙΤ0层去除。
[0003] 目前，一般都采用物理研磨的方法与化学配置王水方法将ΙΤ0层蚀刻。然而，物理 研磨法通过研磨去掉薄膜晶体管，容易造成基板厚度偏薄达不到客户指定要求，同时研磨 时容易裂片，造成更大损失;化学王水蚀刻法去掉薄膜晶体管时，基板边缘易漏酸，同时王 水蚀刻成本、安全不易管控。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要提供一种成本较低、较为安全、且不易造成基板破裂的去除基板表 面IT0的方法。
[0005] 一种去除基板表面IT0的方法，包括以下步骤：
[0006] 将表面有ΙΤ0的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗，所述酸液按重量百分比计，包括 20 %~25 %的盐酸、30 %~35 %的醋酸及40 %~50 %的水;及
[0007]将经过酸洗的所述表面有ΙΤ0的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中进行碱 洗得到除去IT0的基板，所述碱液按重量百分比计，包括8 %~10 %的碱、15 %~20 %的非离 子表面活性剂及70%~77%的水。
[0008] 在其中一个实施方式中，所述酸洗的时间为5分钟~10分钟。
[0009] 在其中一个实施方式中，所述酸洗的操作中，在所述酸液中进行鼓泡处理。
[0010] 在其中一个实施方式中，所述将经过酸洗的所述表面有ΙΤ0的基板清洗除去表面 的酸液的操作中，将所述表面有ΙΤ0的基板放置于流动的纯水中清洗8分钟~10分钟。
[0011] 在其中一个实施方式中，所述碱洗的时间为5分钟~10分钟。
[0012 ]在其中一个实施方式中，所述碱选自氢氧化钾及氢氧化钠中的至少一种。
[0013] 在其中一个实施方式中，所述非离子表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、聚丙烯 酰胺、烷基酚聚氧乙烯醚及脂肪酸聚氧乙烯酯中的至少一种。
[0014] 在其中一个实施方式中，所述非离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、脂肪酸 甘油酯、脂肪酸山梨坦及聚山梨酯中的至少一种。
[0015] 在其中一个实施方式中，还包括步骤:将所述除去ΙΤ0的基板用水喷淋3分钟~5分 钟。
[0016] 在其中一个实施方式中，还包括步骤:将所述除去ΙΤ0的基板用水喷淋3分钟~5分 钟后，依次进行水清洗、碱溶液清洗、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋将所述除去ΙΤ0的 基板表面清洗干净，之后干燥处理。
[0017] 上述去除基板表面ΙΤ0的方法，通过依次进行酸洗及碱洗的方式去除基板表面 ΙΤ0，酸液包括20%~25%的盐酸、30%~35%的醋酸及40%~50%的水，酸液及碱液的浓 度较低，因此成本低且安全性高;通过酸洗与碱洗配合的方式除去ΙΤ0,不易损伤基板，不会 造成基板破裂。
【具体实施方式】
[0018]下面主要结合具体实施例对去除基板表面ΙΤ0的方法作进一步详细的说明。
[0019] 一实施方式的去除基板表面ΙΤ0的方法，包括以下步骤：
[0020] 步骤S110、清洗表面有IT0的基板以除去表面的污渍。
[0021] -般的，在薄膜晶体管质检过程中，当ΙΤ0层达不到要求或出现瑕疵的时候，检测 人员会做好标记，通常是用油性标记工具做油性标识。
[0022] 优选的，使用酒精对表面有ΙΤ0的基板进行清洗，出去表面的油性标识及灰尘。进 一步的，使用的酒精为分析纯(质量浓度为99.7% )。
[0023]清洗表面有ΙΤ0的基板以除去表面的污渍可以保证后续操作的快速及准确。
[0024]当然，当表面有ΙΤ0的基板的表面干净且没有标识时，该步骤可以省略。
[0025]步骤S120、将表面有ΙΤ0的基板放置于酸液中浸泡进行酸洗。
[0026] 酸液按重量百分比计，包括20 %~25 %的盐酸、30 %~35 %的醋酸及40 %~50 % 的水。
[0027]优选的，酸洗的时间为5分钟~10分钟。
[0028]优选的，酸洗的操作中，在酸洗的过程中在所述酸液中进行鼓泡处理。进一步优选 的，酸液放置在酸槽中进行酸洗，酸槽的底部加装鼓泡管以提高酸洗的速度及均匀性。 [0029]优选的，酸洗在常温下进行。
[0030]ΙΤ0的主要成分包括In2〇3及Sn02。酸洗的过程中，盐酸及醋酸提供氢离子与In2〇3发 生反应：
[0032]步骤S130、将经过酸洗的表面有ΙΤ0的基板清洗除去表面的酸液后放置于碱液中 进行喊洗得到除去IT0的基板。
[0033] 碱液按重量百分比计，包括8 %~10 %的碱、15 %~20 %的非离子表面活性剂及 70%~77%的水。
[0034]优选的，将经过酸洗的所述表面有ΙΤ0的基板清洗除去表面的酸液的操作中，将表 面有ΙΤ0的基板放置于流动的纯水中清洗8分钟~10分钟。
[0035]优选的，碱洗的时间为5分钟~10分钟。
[0036]优选的，碱选自氢氧化钾及氢氧化钠中的至少一种。
[0037]表面活性剂具有固定的亲水亲油基团，在溶液的表面能定向排列，并能使表面张 力显著下降，在碱洗的过程中，非离子表面活性剂有利于ΙΤ0从基底的表面脱落。优选的，非 离子表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、聚丙烯酰胺、烷基酚聚氧乙烯醚及脂肪酸聚氧乙 烯酯中的至少一种。
[0038]优选的，非离子表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦 及聚山梨酯中的至少一种。
[0039]优选的，碱液的pH值为8-10。
[0040]ΙΤ0的主要成分包括In2〇3及Sn02。碱洗的过程中，氢氧化钾提供氢氧根与Sn02发生 反应：
[0042]步骤S140、将除去ΙΤ0的基板用水喷淋3分钟~5分钟。
[0043]步骤S150、将除去IT0的基板依次进行水清洗、碱溶液清洗、二流体喷淋、超纯水喷 淋、高压喷淋将所述除去ΙΤ0的基板表面清洗干净，之后干燥处理。
[0044]优选的，水清洗的时间为1分钟~2分钟。
[0045]优选的，碱溶液清洗使用的碱溶液为质量浓度为1.5%-2.5%的Κ0Η溶液。碱液清 洗的时间为1分钟~2分钟。碱溶液的pH值为8-10。
[0046]二流体喷淋即BJ喷淋，指的是采用含空气的水进行喷淋，优选的，二流体喷淋的时 间为2分钟~5分钟。
[0047]超纯水喷淋即DI喷淋，超纯水指的是电阻率2 8兆欧的水，优选的，超纯水喷淋的 时间为1分钟~3分钟。
[0048]优选的，高压喷淋的时间为1分钟~3分钟。进一步优选的，高压喷淋的压力为3KG/cm2。
[0049] 优选的，干燥处理包括依次进行冷风干燥和热风干燥。
[0050]优选的，水清洗、碱溶液清洗、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋均通过清洗机进 行，清洗机的清洗水箱装有pH感应器以监控水的pH值进而监控基板的酸碱值。
[0051]上述去除基板表面ΙΤ0的方法，通过依次进行酸洗及碱洗的方式去除基板表面ΙΤ0，酸液包括20%~25%的盐酸、30%~35%的醋酸及40%~50%的水，酸液及碱液的浓 度较低，因此成本低且安全性高;通过酸洗与碱洗配合的方式除去ΙΤ0,不易损伤基板，不会 造成基