极结构远离第一栅极结构的一侧接工作电压Vdd (+)。
[0153]当VIN输入为低电平时，第一掺杂区210耗尽，此时VOUT输出为高电平；反之，当VIN输入为高电平时，第二掺杂区220耗尽，此时VOUT输出为低电平，从而实现输入与输出反相的功能。
[0154]此外需要说明的是，上述的利记博彩app仅为本发明的一个实施例，在本发明的其他实施例中，所述鳍200并不仅限于形成上述的截面为矩形的结构，在本发明的其他实施中，还可以形成其他结构，例如截面呈三角形或者圆形的鳍，本发明对此并不作任何限定。
[0155]此外，本发明也不仅限于形成上述实施例中FinFET结构的无结场效应管，在本发明的其他实施例中，也可以形成平面结构的无结场效应管。
[0156]具体来说，可以在衬底中形成半导体层，并在平面结构的半导体层中形成第一掺杂区以及第二掺杂区，并形成分别与第一掺杂区以及第二掺杂位置相对应的第一栅极结构以及第二栅极结构；在此之后，在半导体层中形成位于第一栅极结构以及第二栅极结构的第一开口以及位于第一栅极结构以及第二栅极结构另一侧的第二开口，并在第一、第二开口中形成含有金属的材料层，以形成源漏区。
[0157]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种无结场效应管的利记博彩app，其特征在于，包括: 提供衬底，所述衬底具有第一区域以及第二区域； 对所述第一区域的衬底进行第一掺杂以形成第一掺杂区，对所述第二区域的衬底进行第二掺杂以形成第二掺杂区，所述第一掺杂与所述第二掺杂的掺杂类型不同； 在衬底上形成第一栅极结构以及第二栅极结构，所述第一栅极结构与所述第一掺杂区的位置相对应，且所述第二栅极结构与所述第二掺杂区的位置相对应； 去除位于所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的部分衬底以形成第一开口，并分别去除第一栅极结构远离第二栅极结构一侧的部分衬底以及第二栅极结构远离第一栅极结构一侧的部分衬底以形成第二开口 ； 在所述第一开口以及第二开口中形成金属层； 对所述金属层以及衬底进行退火处理，使第一开口中的金属层与第一开口处的部分衬底形成含有金属的共源区，并使第二开口中的金属层与第二开口处的部分衬底形成含有金属的漏区；或者， 对所述金属层以及衬底进行退火处理，使第一开口中的金属层与第一开口处的部分衬底形成含有金属的共漏区，并使第二开口中的金属层与第二开口处的部分衬底形成含有金属的源区。2.如权利要求1所述的利记博彩app，其特征在于，在第一开口以及第二开口中形成金属层的步骤包括:形成铝、钨、铜、镍、银、金、钛、氮化钛或碳化钽材料的金属层。3.如权利要求1所述的利记博彩app，其特征在于，提供衬底的步骤包括:提供硅衬底； 进行退火处理的步骤包括:形成金属硅化物的共源区以及漏区；或者，形成金属硅化物的共漏区以及源区。4.如权利要求3所述的利记博彩app，其特征在于，进行退火处理的步骤包括:形成全硅化物的共源区以及漏区，或者，形成全硅化物的共漏区以及源区。5.如权利要求1所述的利记博彩app，其特征在于，提供衬底的步骤包括: 提供基底； 在所述基底上形成埋氧层； 在所述埋氧层上形成半导体层； 去除部分所述半导体层，以形成鳍； 形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括:在所述鳍中分别形成所述第一掺杂区以及第二掺杂区； 形成第一栅极结构以及第二栅极结构的步骤包括:形成横跨所述鳍的第一掺杂区的第一栅极结构，并使第一栅极结构覆盖所述鳍的侧壁与顶部；形成横跨所述鳍的第二掺杂区的第二栅极结构，并使第二栅极结构覆盖所述鳍的侧壁与顶部； 形成第一开口以及第二开口的步骤包括:去除位于所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的鳍以形成第一开口，并分别去除第一栅极结构远离第二栅极结构一侧的鳍以及第二栅极结构远离第一栅极结构一侧的鳍以形成第二开口，所述第一开口以及第二开口露出所述埋氧层。6.如权利要求5所述的利记博彩app，其特征在于: 提供基底的步骤包括:提供硅基底； 形成埋氧层的步骤包括:形成氧化硅埋氧层。7.如权利要求5所述的利记博彩app，其特征在于，形成半导体层的步骤包括:形成硅或者锗材料的半导体层。8.如权利要求5所述的利记博彩app，其特征在于，去除部分半导体层以形成鳍的步骤包括:使形成的鳍的厚度在10?100纳米的范围内。9.如权利要求5或8所述的利记博彩app，其特征在于，在所述埋氧层上形成鳍的步骤包括:形成截面为三角形、矩形或者圆形的鳍。10.如权利要求1所述的利记博彩app，其特征在于，形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括:使第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂浓度从衬底表面到衬底中心逐渐减小。11.如权利要求1或10所述的利记博彩app，其特征在于，形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括:形成砷掺杂的第一掺杂区以及硼掺杂的第二掺杂区。12.如权利要求11所述的利记博彩app，其特征在于，形成第一掺杂区以及第二掺杂区的步骤包括: 使砷的掺杂能量在5?40千电子伏的范围内，且掺杂剂量在I X 116?5X 116每平方厘米的范围内； 使硼的掺杂能量在I?10千电子伏的范围内，且掺杂剂量在I X 116?5X 116每平方厘米的范围内。13.如权利要求1所述的利记博彩app，其特征在于，在进行退火处理的步骤之后，所述利记博彩app还包括: 在所述共源区以及漏区上形成导电插塞；或者， 在所述共漏区以及源区上形成导电插塞。14.如权利要求13所述的利记博彩app，其特征在于，在进行退火处理的步骤之后，形成导电插塞的步骤之前，还包括: 采用包括双氧水与硫酸的混合溶液对所述共源区以及漏区进行清洗的步骤，或者， 采用包括双氧水与硫酸的混合溶液对所述共漏区以及源区进行清洗的步骤。15.一种无结场效应管，其特征在于，包括: 衬底，所述衬底具有第一区域以及第二区域； 位于第一区域衬底中的第一掺杂区以及位于第二区域衬底中的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的掺杂类型不同； 位于第一掺杂区衬底上的第一栅极结构以及位于所述第二掺杂区衬底上的第二栅极结构； 所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的衬底中形成有含有金属的第一材料层，用作共漏区；所述第一栅极结构远离第二栅极结构的一侧以及第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧的衬底中形成有含有金属的第二材料层，用作源区； 或者，所述第一栅极结构以及第二栅极结构之间的衬底中形成有含有金属的第一材料层，用作共源区；所述第一栅极结构远离第二栅极结构的一侧以及第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧的衬底中形成有含有金属的第二材料层，用作漏区。16.如权利要求15所述的无结场效应管，其特征在于，所述衬底包括: 基底； 形成于所述基底上的埋氧层； 形成于所述埋氧层上的第一鳍和第二鳍，第一鳍与第二鳍分别掺杂不同掺杂类型不同的离子； 所述第一栅极结构横跨所述第一鳍，且覆盖所述第一鳍的侧壁与顶部，所述第二栅极结构横跨所述第二鳍，且覆盖所述第二鳍的侧壁与顶部； 所述第一材料层位于所述第一鳍和第二鳍之间，所述第二材料层位于所述第一鳍远离所述第一材料层的一侧以及所述第二鳍远离所述第一材料层的一侧。17.如权利要求15所述的无结场效应管，其特征在于，所述第一材料层以及第二材料层的材料为金属硅化物。18.如权利要求15所述的无结场效应管，其特征在于，所述第一材料层以及第二材料层的材料为全硅化物。19.如权利要求16所述的无结场效应管，其特征在于，所述鳍的截面为三角形、矩形或者圆形。20.如权利要求15所述的无结场效应管，其特征在于，所述第一掺杂区以及第二掺杂区的掺杂浓度从衬底表面到衬底中心逐渐减小。
【专利摘要】本发明提供一种无结场效应管及其利记博彩app，包括：提供衬底；掺杂以形成第一、第二掺杂区，使第一、第二掺杂区的掺杂类型不同；形成第一、第二栅极结构；去除部分衬底以形成第一、第二开口；在第一、第二开口中形成金属层；对金属层以及衬底进行退火处理以形成源漏区。本发明还提供一种无结场效应管，包括衬底；第一、第二掺杂区；第一、第二栅极结构；第一、第二开口，所述第一、第二开口中具有作为源漏区的含有金属的材料层。本发明的有益效果在于：源漏区与导电插塞之间的接触电阻较小且开启电流增加，提高了无结场效应管的性能；简化了工艺难度并在一定程度上减少掺杂区中可能发生的界面散射问题的程度。
【IPC分类】H01L29/78, H01L29/423, H01L21/336, H01L29/06
【公开号】CN105448718
【申请号】CN201410310733
【发明人】肖德元
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年7月1日