基于掺杂浆料的全背接触高效晶体硅电池制备工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及晶体娃太阳电池制造领域，尤其是涉及一种基于渗杂浆料的全背接触 高效晶体娃电池制备工艺。
【背景技术】
[0002] 国内高效背接触晶体娃电池方面的专利，多数涉及的是金属穿孔电池、薄膜方面 的背接触技术，而且多数只是电池外观及电极结构的简单阐述，而且基于全背接触用的高 效晶体娃电池多数采用的是高成本的技术工艺路线，如光刻及其他高精度掩膜对位等工艺 流程。
[0003] 申请号为201210103888. 2的中国专利公开了背接触型晶体娃太阳能电池及其制 作方法，电池包括娃基底、n型或P型渗杂的多晶娃层，在n型或P型渗杂的多晶娃层和娃 基底之间形成第一纯化层。制作时通过热氧化法引入第一纯化层。通过送样方法改进的太 阳能电池会大大改善电池表面的纯化效果，减少光生载流子的复合，降低电学的损失，从而 获得更高的转换效率，实现更大的功率输出。
[0004] 该专利在形成P+发射结区域W及N+背表面场区域采用的是渗杂多晶娃层，然后 采用激光进行刻槽隔离，送无疑需要高精度对位设备，否则会导致电池漏电，甚至带来严重 的激光损伤，其后续在电极金属化方面采用的是采用瓣射、热蒸发或者电锥金属化工艺，送 些工艺后续都要涉及到昂贵的光刻等图形化工艺，送正是本申请要解决的技术问题。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种采用的是常规 高效晶体娃电池量产设备，且工艺制备流程简单的基于渗杂浆料的全背接触高效晶体娃电 池制备工艺。
[0006] 本发明的目的可W通过W下技术方案来实现：
[0007] 基于渗杂浆料的全背接触高效晶体娃电池制备工艺，采用W下步骤：
[0008] 1)将厚度140-200Um的娃片在氨氧化钟及双氧水溶液中去除损伤层，然后在高 浓度氨氧化钟溶液中进行双面抛光；
[0009] 2)采用量产丝网印刷设备将渗磯源浆料按照设计图形印刷到抛光娃片；
[0010] 3)采用阳CVD或APCVD设备在抛光娃片表面沉积厚度为100-200nm的Si02、Si化 或a-Si中的一种或两种，作为印刷磯源的扩散掩蔽层；
[0011] 4)采用ns激光开孔方式，或者湿法选择性刻蚀工艺，形成渗杂测浆料印刷窗口；
[0012] 5)采用丝网印刷工艺将渗测浆料印刷到窗口层区域；
[0013] 6)将处理后的娃片置于高温扩散炉中进行测、磯共扩散形成P+发射结区域及背表 面场妒区域；
[0014] 7)控制处理温度为8(TC，利用四甲基氨氧化倭及异丙醇的混合溶液在娃片正面 制备1-2Um的金字培绒面；
[0015] 8)将娃片在90(TC下高温退火30-50分钟，在娃片表面分别形成护发射结及N+背 表面场；
[001引 9)高温扩散炉中，控制温度为84(TC通化化液态源，高温扩散约30分钟，形成结 深约为0. 5Um-1Um的N+前表面扩散区域；
[0017] 10)将娃片在HF溶液中清洗后，在娃片前表面沉积连续沉积Si化及Si化叠层纯 化膜，同时在娃片背表面沉积Si化层，形成电池背面的阻挡及绝缘层；
[0018] 11)采用激光或湿法刻蚀方式，在电池背面P+区域及妒区域形成电极接触窗口；
[0019] 12)采用丝网印刷方式分一次或两次将电池背面P+区域及妒区域电极浆料印刷 在电池背面，然后在高温烧结炉中进行烘干并高温烧结形成欧姆接触，得到全背接触晶体 娃电池。
[0020] 步骤1)中去除损伤层的氨氧化钟浓度为Iwt% -5wt%，双氧水溶液浓度为 3wt% -6wt%，进行双面抛光的高浓度氨氧化钟溶液的浓度为6wt% -lOwt%。
[0021] 步骤7)四甲基氨氧化倭的浓度为2-lOwt%，异丙醇的浓度为5-8wt%。
[002引步骤10)中用于清洗的HF溶液的浓度为2-5wt%。
[002引 步骤10)中娃片前表面沉积的Si化厚度为5-10皿，Si化厚度为50-75皿。
[0024] 步骤10中）娃片背表面沉积的Si化层厚度为150-200皿。
[00巧]步骤12)还可W采用蒸发形成金属层，然后采用丝网印刷将金属电极进行图形 化，在350-45(TC的氮气气氛中将电池进行退火形成电池欧姆接触，得到全背接触晶体娃电 池。
[0026] 与现有技术相比，本发明具有W下优点：
[0027] 1、本发明中使用的设备均为可适用于量产的渗杂浆料图形化印刷设备，形成P+ 发射结区域W及N+背表面场区域采用的是丝网印刷工艺直接形成渗杂图形化区域，然后 直接通过高温退火推结形成P+发射结区域W及N+背表面场区域，且通过测/磯源共扩退 火工艺能有效降低电池制备成本；
[0028] 2、本发明中使用的电池抛光、制绒、扩散、电极印刷设备均可采用常规量产机器；
[0029] 3、采用了简单低成本的图形化及对位技术，采用的丝网印刷电极及后续烧结工艺 都是基于现有规模批产工艺设备，且能满足电极设计要求，W便于开发进入批量产阶段。
【具体实施方式】
[0030] 下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
[00引]实施例1
[0032] 基于渗杂浆料的全背接触高效晶体娃电池制备工艺，采用W下步骤：
[0033] 1)将厚度140Um的娃片在氨氧化钟及双氧水溶液中去除损伤层，然后在高浓度 氨氧化钟溶液中进行双面抛光；
[0034] 2)采用量产丝网印刷设备将渗磯源浆料按照设计图形印刷到抛光娃片；
[003引 3)采用阳CVD设备在抛光娃片表面沉积厚度为IOOnm的Si化作为印刷磯源的扩 散掩蔽层；
[0036] 4)采用激光刻蚀工艺将渗测源浆料印刷的窗口打开；
[0037] 5)采用丝网印刷工艺将渗测浆料印刷到窗口层区域；
[0038] 6)将处理后的娃片置于高温扩散炉中进行测、磯共扩散形成P+发射结区域及背表 面场妒区域；
[0039] 7)控制处理温度为8(TC，利用2wt%四甲基氨氧化倭及5wt%异丙醇的混合溶液 在娃片正面制备1-2Um的金字培绒面；
[0040] 8)将娃片在90(TC下高温退火30分钟，在娃片表面分别形成P+发射结及妒背表 面场；
[00川 9)高温扩散炉中，控制温度为84(TC通化化液态源，推结30分钟，在娃片正面形 成N+前表面场；
[0042] 10)将娃片在%的HF溶液中清洗后，在娃片前表面沉积连续沉积5nm厚的 Si化及50nm厚的Si化叠层纯化膜，同时在娃片背表面沉积150nm厚的Si化层，形成电池 背面的阻挡及绝缘层；
[004引11)采用激光或湿法刻蚀方式，在电池背面P+区域及N+区域形成电极接触窗口；
[0044] 12)采用丝网印刷方式分一次或两次将电池背面P+区域及妒区域电极浆料印刷 在电池背面，然后在高温烧结炉中进行烘干并高温烧结形成欧姆接触，得到全背接触晶体 娃电池。
[0045] 步骤12)还可W采用蒸发形成金属层，然后采用丝网印刷将金属电极进行图形 化，在350-45(TC的氮气气氛中将电池进行退火形成电池欧姆接触，得到全背接触晶体娃电 池。
[0046] 实施例2
[0047] 基于渗杂浆料的全背接触高效晶体娃电池制备工艺，采用W下步骤：
[0048] 1)将厚度140Um的娃片在氨氧化钟及双氧水溶液中去除损伤层，然后在高浓度 氨氧化钟溶液中进行双面抛光；
[0049] 2)采用量产丝网印刷设备将渗磯源浆料按照设计图形印刷到抛光娃片；
[0050] 3)采用阳CVD设备在抛